CnOpenData中国高校专利统计数据简介

在教育部、国家知识产权局、科技部等部门的政策措施促进下,我国高校科技成果转化机制更加完善、科研人员转化积极性不断增强、转化效益逐年提升。

作为衡量高校科技创新成效的重要指标,专利统计数据和专利引用数据分别在数量和质量双方面给予数据支持。CnOpenData高校专利数据包含专利统计、专利引用被引用两个部分,其中,专利统计数据分为数量统计表质量统计表,这两类表分别以专利申请和专利授权为依据再进行划分,更进一步地,专利质量统计表还按专利类型细分为发明、实用新型、外观设计三模块。专利引用及被引信息在此数据中体现于专利详情表部分,与上市公司、工业企业等专利引用被引用数据相同,分发明申请、发明授权、实用新型、外观设计四模块,各模块包含基础信息表、引用表、被引用表、事务表四张表格(外观设计无引用表)。

中国高校专利统计数据作为CnOpenData专利系列数据之一,率先引入了专利质量统计这一概念,并在以下三个方面,对专利质量进行了统计:

  • 独立完成与合作完成的专利数量;
  • 分别以1位、2位和4位IPC分类号统计的专利技术复杂度;
  • 各类型专利公开当年至五年内每年度累计被引次数;

此外,本数据依据教育部发布的全国高校名单,涵盖全国高校2740所,遍布全国31个省份、共计300多个城市,数据齐备、字段丰富、结构完整,是对CnOpenData专利系列数据库的有力补充。


时间区间

1985-2022.12.31


数据结构展示

中国高校专利详情表发明申请专利基本信息表专利引用表专利被引用表事务表发明授权专利基本信息表专利引用表专利被引用表事务表实用新型专利基本信息表专利引用表专利被引用表事务表外观设计专利基本信息表专利被引用表事务表中国高校专利质量统计表专利申请质量统计发明/实用新型/外观设计专利授权质量统计发明/实用新型/外观设计中国高校专利数量统计表专利申请数量统计专利授权数量统计中国高校专利统计数据

字段展示

中国高校专利数量统计表

中国高校专利申请数量统计表中国高校专利授权数量统计表
学校名称学校名称
申请年度授权年度
发明专利申请数量发明专利授权数量
发明专利独立申请数量独立发明专利授权数量
发明专利合作申请数量合作发明专利授权数量
发明专利申请当年授权数量实用新型专利授权数量
发明专利申请二年累计授权量实用新型独立专利授权数量
发明专利申请三年累计授权量实用新型合作专利授权数量
发明专利申请四年累计授权量外观设计专利授权数量
发明专利申请五年累计授权量外观设计独立专利授权数量
发明专利申请总授权数量外观设计合作专利授权数量
发明专利独立申请当年授权数量
发明专利独立申请二年累计授权量
发明专利独立申请三年累计授权量
发明专利独立申请四年累计授权量
发明专利独立申请五年累计授权量
发明专利独立申请总授权数量
发明专利合作申请当年授权数量
发明专利合作申请二年累计授权量
发明专利合作申请三年累计授权量
发明专利合作申请四年累计授权量
发明专利合作申请五年累计授权量
发明专利合作申请总授权数量
实用新型专利申请数量
实用新型专利独立申请数量
实用新型专利合作申请数量
实用新型专利申请当年授权数量
实用新型专利申请二年累计授权量
实用新型专利申请三年累计授权量
实用新型专利申请四年累计授权量
实用新型专利申请五年累计授权量
实用新型专利申请总授权数量
实用新型专利独立申请当年授权数量
实用新型专利独立申请二年累计授权量
实用新型专利独立申请三年累计授权量
实用新型专利独立申请四年累计授权量
实用新型专利独立申请五年累计授权量
实用新型专利独立申请总授权数量
实用新型专利合作申请当年授权数量
实用新型专利合作申请二年累计授权量
实用新型专利合作申请三年累计授权量
实用新型专利合作申请四年累计授权量
实用新型专利合作申请五年累计授权量
实用新型专利合作申请总授权数量
外观设计专利申请数量
外观设计专利独立申请数量
外观设计专利合作申请数量
外观设计专利申请当年授权数量
外观设计专利申请二年累计授权量
外观设计专利申请三年累计授权量
外观设计专利申请四年累计授权量
外观设计专利申请五年累计授权量
外观设计专利申请总授权数量
外观设计专利独立申请当年授权数量
外观设计专利独立申请二年累计授权量
外观设计专利独立申请三年累计授权量
外观设计专利独立申请四年累计授权量
外观设计专利独立申请五年累计授权量
外观设计专利独立申请总授权数量
外观设计专利合作申请当年授权数量
外观设计专利合作申请二年累计授权量
外观设计专利合作申请三年累计授权量
外观设计专利合作申请四年累计授权量
外观设计专利合作申请五年累计授权量
外观设计专利合作申请总授权数量

中国高校专利质量统计表

中国高校专利申请质量统计表中国高校专利授权质量统计表
学校名称学校名称
专利申请年度专利授权年度
专利申请数量专利授权数量
独立专利申请数量独立专利授权数量
合作专利申请数量合作专利授权数量
申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计总类型数授权专利的技术复杂度-以1位IPC号统计总类型数
申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计平均类型数授权专利的技术复杂度-以1位IPC号统计平均类型数
申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计总类型数授权专利的技术复杂度-以2位IPC号统计总类型数
申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计平均类型数授权专利的技术复杂度-以2位IPC号统计平均类型数
申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计总类型数授权专利的技术复杂度-以4位IPC号统计总类型数
申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计平均类型数授权专利的技术复杂度-以4位IPC号统计平均类型数
独立申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计总类型数独立授权专利的技术复杂度-以1位IPC号统计总类型数
独立申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计平均类型数独立授权专利的技术复杂度-以1位IPC号统计平均类型数
独立申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计总类型数独立授权专利的技术复杂度-以2位IPC号统计总类型数
独立申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计平均类型数独立授权专利的技术复杂度-以2位IPC号统计平均类型数
独立申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计总类型数独立授权专利的技术复杂度-以4位IPC号统计总类型数
独立申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计平均类型数独立授权专利的技术复杂度-以4位IPC号统计平均类型数
合作申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计总类型数合作授权专利的技术复杂度-以1位IPC号统计总类型数
合作申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计平均类型数合作授权专利的技术复杂度-以1位IPC号统计平均类型数
合作申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计总类型数合作授权专利的技术复杂度-以2位IPC号统计总类型数
合作申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计平均类型数合作授权专利的技术复杂度-以2位IPC号统计平均类型数
合作申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计总类型数合作授权专利的技术复杂度-以4位IPC号统计总类型数
合作申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计平均类型数合作授权专利的技术复杂度-以4位IPC号统计平均类型数
专利公开当年被引用次数专利公开当年被引用次数
专利公开2年累计被引用次数专利公开2年累计被引用次数
专利公开3年累计被引用次数专利公开3年累计被引用次数
专利公开4年累计被引用次数专利公开4年累计被引用次数
专利公开5年累计被引用次数专利公开5年累计被引用次数
专利截止2020.12被引次数专利截止2020.12被引次数
独立申请专利公开当年被引用次数独立授权专利公开当年被引用次数
独立申请专利公开2年累计被引用次数独立授权专利公开2年累计被引用次数
独立申请专利公开3年累计被引用次数独立授权专利公开3年累计被引用次数
独立申请专利公开4年累计被引用次数独立授权专利公开4年累计被引用次数
独立申请专利公开5年累计被引用次数独立授权专利公开5年累计被引用次数
独立申请专利截止2020.12被引次数独立授权专利截止2020.12被引次数
合作申请专利公开当年被引用次数合作授权专利公开当年被引用次数
合作申请专利公开2年累计被引用次数合作授权专利公开2年累计被引用次数
合作申请专利公开3年累计被引用次数合作授权专利公开3年累计被引用次数
合作申请专利公开4年累计被引用次数合作授权专利公开4年累计被引用次数
合作申请专利公开5年累计被引用次数合作授权专利公开5年累计被引用次数
合作申请专利截止2020.12被引次数合作授权专利截止2020.12被引次数

中国高校专利详情表

中国高校发明公布专利基本信息表中国高校发明公布专利引用表中国高校发明公布专利被引用表中国高校发明公布专利事务表中国高校发明授权专利基本信息表中国高校发明授权专利引用表中国高校发明授权专利被引用表中国高校发明授权专利事务表中国高校实用新型专利基本信息表中国高校实用新型专利引用表中国高校实用新型专利被引用表中国高校实用新型专利事务表中国高校外观设计专利基本信息表中国高校外观设计专利被引用表中国高校外观设计专利事务表
学校名称学校名称学校名称索引ID(申请公布号)学校名称学校名称学校名称索引ID(授权公告号)学校名称学校名称学校名称索引ID(授权公告号)学校名称学校名称索引ID(授权公告号)
学校曾用名学校曾用名学校曾用名学校名称学校曾用名学校曾用名学校曾用名学校名称学校曾用名学校曾用名学校曾用名学校名称学校曾用名学校曾用名学校名称
学校标识码学校标识码学校标识码申请(专利)号学校标识码学校标识码学校标识码申请(专利)号学校标识码学校标识码学校标识码申请(专利)号学校标识码学校标识码申请(专利)号
主管部门主管部门主管部门事务序号主管部门主管部门主管部门事务序号主管部门主管部门主管部门事务序号主管部门主管部门事务序号
省份省份省份事务数据公告日省份省份省份事务数据公告日省份省份省份事务数据公告日省份省份事务数据公告日
城市城市城市事务数据类型城市城市城市事务数据类型城市城市城市事务数据类型城市城市事务数据类型
办学层次办学层次办学层次内容办学层次办学层次办学层次内容办学层次办学层次办学层次内容办学层次办学层次内容
办学性质办学性质办学性质授权公告号办学性质办学性质办学性质授权公告号办学性质办学性质办学性质授权公告号办学性质办学性质授权公告号
申请号申请号申请号申请号申请号申请号申请号申请号申请号申请号申请号
专利名称专利名称专利名称专利名称专利名称专利名称专利名称专利名称专利名称专利名称专利名称
分类号分类号分类号分类号分类号分类号分类号分类号分类号分类号分类号
优先权优先权优先权PCT公布数据PCT公布数据PCT公布数据优先权优先权优先权优先权优先权
代理人代理人代理人申请日申请日申请日代理人代理人代理人代理人代理人
PCT公布数据PCT公布数据PCT公布数据生物保藏生物保藏生物保藏PCT公布数据PCT公布数据PCT公布数据申请日申请日
申请公布日申请公布日申请公布日分案原申请分案原申请分案原申请PCT申请数据PCT申请数据PCT申请数据设计人设计人
PCT申请数据PCT申请数据PCT申请数据专利代理机构专利代理机构专利代理机构申请日申请日申请日分案原申请分案原申请
申请日申请日申请日同一申请的已公布的文献号同一申请的已公布的文献号同一申请的已公布的文献号分案原申请分案原申请分案原申请授权公告日授权公告日
生物保藏生物保藏生物保藏地址地址地址授权公告日授权公告日授权公告日专利代理机构专利代理机构
分案原申请分案原申请分案原申请优先权优先权优先权专利代理机构专利代理机构专利代理机构专利权人专利权人
专利代理机构专利代理机构专利代理机构代理人代理人代理人专利权人专利权人专利权人地址地址
申请公布号申请公布号申请公布号申请公布日申请公布日申请公布日PCT进入国家阶段日PCT进入国家阶段日PCT进入国家阶段日授权公告号授权公告号
PCT进入国家阶段日PCT进入国家阶段日PCT进入国家阶段日PCT申请数据PCT申请数据PCT申请数据发明人发明人发明人简要说明简要说明
发明人发明人发明人授权公告日授权公告日授权公告日地址地址地址专利ID专利ID
地址地址地址专利权人专利权人专利权人本国优先权本国优先权本国优先权专利优先权日引用专利公开日期
本国优先权本国优先权本国优先权PCT进入国家阶段日PCT进入国家阶段日PCT进入国家阶段日授权公告号授权公告号授权公告号专利公布日期引用专利申请公布号
申请人申请人申请人发明人发明人发明人简要说明简要说明简要说明专利发明人引用专利所有权人
简要说明简要说明简要说明对比文件对比文件对比文件专利ID专利ID专利ID专利名称引用专利名称
专利ID专利ID专利ID本国优先权本国优先权本国优先权专利优先权日被引用专利公开日期引用专利公开日期专利授权公布号引用专利优先权日
专利优先权日被引用专利公开日期引用专利公开日期授权公告号授权公告号授权公告号专利公布日期被引用专利申请公布号引用专利申请公布号专利授权日期是否Family to Family引用
专利公布日期被引用专利申请公布号引用专利申请公布号简要说明简要说明简要说明专利发明人被引用专利所有权人引用专利所有权人专利权利要求数
专利发明人被引用专利所有权人引用专利所有权人专利ID专利ID专利ID专利名称被引用专利名称引用专利名称专利申请人
专利名称被引用专利名称引用专利名称专利优先权日被引用专利公开日期引用专利公开日期专利授权公布号被引用专利优先权日引用专利优先权日专利申请公布号
专利授权公布号被引用专利优先权日引用专利优先权日专利公布日期被引用专利申请公布号引用专利申请公布号专利授权日期是否Family to Family引用是否Family to Family引用专利申请号
专利授权日期是否Family to Family引用是否Family to Family引用专利发明人被引用专利所有权人引用专利所有权人专利权利要求数专利申请日期
专利权利要求数专利名称被引用专利名称引用专利名称专利申请人专利被引用次数
专利申请人专利授权公布号被引用专利优先权日引用专利优先权日专利申请公布号引用其他专利次数
专利申请公布号专利授权日期是否Family to Family引用是否Family to Family引用专利申请号法律状态
专利申请号专利权利要求数专利申请日期
专利申请日期专利申请人专利被引用次数
专利被引用次数专利申请公布号引用其他专利次数
引用其他专利次数专利申请号法律状态
法律状态专利申请日期
专利被引用次数
引用其他专利次数
法律状态

样本数据

因表格众多,本页仅做专利申请模块(数量及质量统计表)/发明公布专利(详情表)展示,其他版块详见左侧各模块分支页面进行查看。

中国高校专利申请数量统计表

学校名称申请年度发明专利申请数量发明专利独立申请数量发明专利合作申请数量发明专利申请当年授权数量发明专利申请二年累计授权量发明专利申请三年累计授权量发明专利申请四年累计授权量发明专利申请五年累计授权量发明专利申请总授权数量发明专利独立申请当年授权数量发明专利独立申请二年累计授权量发明专利独立申请三年累计授权量发明专利独立申请四年累计授权量发明专利独立申请五年累计授权量发明专利独立申请总授权数量发明专利合作申请当年授权数量发明专利合作申请二年累计授权量发明专利合作申请三年累计授权量发明专利合作申请四年累计授权量发明专利合作申请五年累计授权量发明专利合作申请总授权数量实用新型专利申请数量实用新型专利独立申请数量实用新型专利合作申请数量实用新型专利申请当年授权数量实用新型专利申请二年累计授权量实用新型专利申请三年累计授权量实用新型专利申请四年累计授权量实用新型专利申请五年累计授权量实用新型专利申请总授权数量实用新型专利独立申请当年授权数量实用新型专利独立申请二年累计授权量实用新型专利独立申请三年累计授权量实用新型专利独立申请四年累计授权量实用新型专利独立申请五年累计授权量实用新型专利独立申请总授权数量实用新型专利合作申请当年授权数量实用新型专利合作申请二年累计授权量实用新型专利合作申请三年累计授权量实用新型专利合作申请四年累计授权量实用新型专利合作申请五年累计授权量实用新型专利合作申请总授权数量外观设计专利申请数量外观设计专利独立申请数量外观设计专利合作申请数量外观设计专利申请当年授权数量外观设计专利申请二年累计授权量外观设计专利申请三年累计授权量外观设计专利申请四年累计授权量外观设计专利申请五年累计授权量外观设计专利申请总授权数量外观设计专利独立申请当年授权数量外观设计专利独立申请二年累计授权量外观设计专利独立申请三年累计授权量外观设计专利独立申请四年累计授权量外观设计专利独立申请五年累计授权量外观设计专利独立申请总授权数量外观设计专利合作申请当年授权数量外观设计专利合作申请二年累计授权量外观设计专利合作申请三年累计授权量外观设计专利合作申请四年累计授权量外观设计专利合作申请五年累计授权量外观设计专利合作申请总授权数量
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上海交通大学201215511330221080551937103510520694828298989070116910813714511792252311711711711711716929292929272525252525220022222022222000000
上海交通大学2013176015721880737141239132613500616481119119012030126612013614790632733909090909027636363636362727272727330133333133333000000
上海交通大学201417321523209091642109311921218083577984106310790865109129139105703548105105105105105357070707070133535353535220222222222222000000
上海交通大学2015191016013090796271096123412560685329411046106301195155188193144895572144144144144144448989898989285555555555550455555455555000000
上海交通大学201716551306349033377761761761024319631631631095813013013013876624112913813813813832707676767695962626262505055555000000055555
上海交通大学201819721578394010659959959959908750450450450401995959595167106614916516716716716727104106106106106226161616161660466666466666000000
上海交通大学20192264176150311322322322322322827427427427427434848484848216139774921621621621621639139139139139139107777777777171345171717171751313131313044444
上海体育学院2012550002222002222000000121208121212121281212121212000000110011111011111000000
上海体育学院20141515001112201112200000012120101212121212101212121212000000220222222222222000000
上海健康医学院2019675710044444044444000000222023222222222222020202020122222660466666466666000000
上海出版印刷高等专科学校2013909002555000000002555303033333000000033333615246666111111135555
上海出版印刷高等专科学校201443101255501111100144431223333311111112222219415161919191919144444151515151515
上海出版印刷高等专科学校2015651001222001111000111110011111011111000000770677777677777000000
上海出版印刷高等专科学校201687101222200111101111166016666616666600000030300243030303030243030303030000000
上海出版印刷高等专科学校2017871012555011444001111660366666366666000000131308131313131381313131313000000
上海出版印刷高等专科学校20181511400111100000000111177017777717777700000025250162525252525162525252525000000

中国高校专利申请质量统计表-发明专利

学校名称专利申请年度专利申请数量独立专利申请数量合作专利申请数量申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计总类型数申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计平均类型数申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计总类型数申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计平均类型数申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计总类型数申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计平均类型数独立申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计总类型数独立申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计平均类型数独立申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计总类型数独立申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计平均类型数独立申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计总类型数独立申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计平均类型数合作申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计总类型数合作申请专利的技术复杂度-以1位IPC号统计平均类型数合作申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计总类型数合作申请专利的技术复杂度-以2位IPC号统计平均类型数合作申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计总类型数合作申请专利的技术复杂度-以4位IPC号统计平均类型数专利公开当年被引用次数专利公开2年累计被引用次数专利公开3年累计被引用次数专利公开4年累计被引用次数专利公开5年累计被引用次数专利截止2020.12被引次数独立申请专利公开当年被引用次数独立申请专利公开2年累计被引用次数独立申请专利公开3年累计被引用次数独立申请专利公开4年累计被引用次数独立申请专利公开5年累计被引用次数独立申请专利截止2020.12被引次数合作申请专利公开当年被引用次数合作申请专利公开2年累计被引用次数合作申请专利公开3年累计被引用次数合作申请专利公开4年累计被引用次数合作申请专利公开5年累计被引用次数合作申请专利截止2020.12被引次数
龙岩学院20164337671.23151.26491.6371.22141.24451.5931.3351.33101.83254453575757244251555555122222
齐齐哈尔大学20171101001081.35181.35731.7181.37171.38691.7131.141.1101.79262626262672323232323233333
齐齐哈尔大学20122724371.3131.44291.5961.21121.33251.53242.3362.3301625324554015232939440123610
齐鲁工业大学20184013524981.23231.281411.7581.24231.31311.7371.14121.18401.86122323232323112121212121122222
齐鲁工业大学20173993782181.27201.321481.8281.28191.331391.8471.1111.14221.43431041101101101104298103103103103167777
齐鲁工业大学20163283121681.28191.321121.8481.29191.331121.843141.06121.887525931431731731773252307310310310277777
齐鲁工业大学20152942821281.33171.361101.9481.34171.381081.9431.0841.08101.8383297440467469469822884234504524521917171717
齐鲁工业大学2014229223681.25181.3981.7481.25181.3971.7431.1741.1781.67372253724895175183621335346649449511219232323
齐鲁工业大学2013153150361.14161.22671.6161.14161.21661.612131.3351.6734121198274326354341131862613123400812131414
齐鲁工业大学2012124120481.23151.26761.8481.23151.26741.8631.2541.2541.251172140202278344117113619726632901451215
齐鲁工业大学20105345851.13101.17321.6251.1391.18281.6931.1251.1291.255356810814021833356901201902212182028
齐鲁工业大学20093229351.1681.19321.4451.1781.21291.48313131057122047057111944000113
黑龙江科技大学20176259371.32171.32511.6971.32161.32491.7131.3331.3331.334151616161641314141414022222
黑龙江科技大学20166966361.13121.13501.5261.14121.14481.5521213111516265656594858595959234666
黑龙江科技大学20143835371.34151.39401.7671.34151.4391.7721.3321.3351.671164258656511636515757006788
黑龙江科技大学20101613361.1281.12191.3161.1581.15161.382121313101934497331017324669002234
黑龙江生物科技职业学院201511222222222222022222000000022222
黑龙江工程学院200931221.3321.336211112221.521.5420012210000112001118
黑龙江工业学院20175047371.24121.24421.5471.23121.23401.5131.3331.33527151515151571313131313022222
黑龙江工业学院201697261.1161.1191.2251.1451.1471.29212121678888011111667777
黑龙江大学2011115113261.23141.29511.9261.24141.29501.94212121888145203260337888145201257334000233
黑龙江大学20107774361.21141.23461.761.22141.24451.7212141.6753581124154253534801221492370112516
黑龙江大学20095249361.25111.27381.7161.24111.27371.7131.3331.3351.67092440621280517335211404771014
黑龙江八一农垦大学20176055571.35111.4341.9271.35111.4341.8421.421.472.8145555023333122222
黑龙江八一农垦大学20148379461.12101.2411.5461.1101.16411.5221.54242771105127130130767100122125125045555
黑龙江八一农垦大学20123529641.1481.17271.5441.1481.17241.5221.1751.1781.672102839536018182740471210121313
黑龙江八一农垦大学20112824451.2991.43291.8651.2981.46231.8321.2541.2582214243758772101829466204681215
黑龙江八一农垦大学2009107331.461.5121.821.1441.1471.293252.33830257143202359200022512
黑龙江中医药大学20154031951.1861.18131.8251.1651.16101.9421.2231.2271.44102025262626101519202020056666
黎明职业大学20163027351.161.13171.5351.0761.11171.5221.3321.3341.671121313131311011111111022222
黄淮学院20173327671.27111.27381.8571.15101.15311.7851.8361.83122.17199999166666033333
黄淮学院201364241.1741.1782212131.7521.521.552.5023777023555000222
黄河科技学院20146967271.16161.17581.4271.16161.18571.4321212123731241471691732271122144166169122334
黄河水利职业技术学院2016972516191.11415161212131.5414161616163566661910101010
黄山学院201187141.1251.1271.1241415122222209131320330910101527003356
黄冈师范学院201638211751.24111.34312.0551.24101.24191.8641.2451.47152.29111161616161810101010036666
黄冈师范学院20152420451.12101.25221.4651.1591.25171.452131.2551.562231343434171417171751517171717
黄冈师范学院20116621.521.561.8321.521.561.83014569000000014569
鲁东大学2016108105381.21211.27751.7581.21211.27751.7531.3331.3351.67247394959595247090919191034444
鲁东大学20159991871.17141.22611.6561.16131.22551.6351.2551.25131.882511218119820020024105172187189189179111111
鲁东大学20144948171.27141.29481.6961.25131.27471.6722223324073971081092397194104105012344
鲁东大学20124341281.19141.19431.4271.2131.2411.41212131.51655991471701931655961411641820036611
首都经济贸易大学201422212121212121035555000000035555
首都师范大学2017102911161.22131.27451.4761.21121.26391.4441.2751.36141.738333636363662729292929267777
首都师范大学20161431142971.23141.27711.5271.23141.28641.5451.2461.24181.41321151561601601602087117119119119122839414141
首都师范大学201454371751.2101.28311.4451.24101.32271.5441.1251.18101.2419559013614314372650747979122940626464
首都师范大学20133731651.2481.27331.6851.2671.26261.7431.1741.3371.3310358310713114593170871061151413202530
首都师范大学20123528751.3181.34271.7151.3281.36241.7131.2941.2981.71124396185111116294565880810162023
首都师范大学20114337651.391.37281.651.3291.41241.5921.1721.1771.671035669811917572341648311931225343656
首都师范大学20091917261.1171.11161.4251.1261.12141.41212131.5058131843035811280235715

中国高校发明公布专利详情表-基本信息表

学校名称学校曾用名学校标识码主管部门省份城市办学层次办学性质申请号专利名称分类号优先权代理人PCT公布数据申请公布日PCT申请数据申请日生物保藏分案原申请专利代理机构申请公布号PCT进入国家阶段日发明人地址本国优先权申请人简要说明专利ID专利优先权日专利公布日期专利发明人专利名称专利授权公布号专利授权日期专利权利要求数专利申请人专利申请公布号专利申请号专利申请日期专利被引用次数引用其他专利次数法律状态
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010101631008发明公布 一种减小阻变存储器阻值离散性的方法H01L45/00(2006.01)I; G11C11/56(2006.01)I王莹2010.09.292010.04.29北京路浩知识产权代理有限公司11002CN101847688A康晋锋;  高滨; 陈冰; 陈沅沙; 刘力锋; 刘晓彦; 韩汝琦100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法,该方法包括:S1、在Forming过程中施加一个电流脉冲,使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态;S2、在SET过程中施加一个电流脉冲,使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低阻态;S3、在RESET过程中施加一个反向电压脉冲,使阻变存储器的阻变材料从低阻态转为高阻态。本发明提出的电流电压控制方法可以显著的减小器件阻值的离散性,并同时可以提高低阻态的阻值,从而减小器件的工作电流,降低功耗。CN101847688A2010/4/292010/9/29刘力锋,刘晓彦,康晋锋,陈冰,陈沅沙,韩汝琦,高滨一种减小阻变存储器阻值离散性的方法CN101847688B2012/7/47北京大学CN 201010163100CN101847688A2010/4/2936CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102781055发明公布 电解锌漂洗废水的电沉积-膜分离组合处理装置C02F9/06(2006.01)I; C02F1/463(2006.01)N; C02F1/44(2006.01)N曹正凤2010.12.222010.09.10北京金阙华进专利事务所(普通合伙)11224CN101921032A张林楠;  刘晗; 李艳静; 苏赛赛; 汪成运; 王艺林; 李振山100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明公开电解锌漂洗废水的电沉积-膜分离组合处理装置,该装置包括进液管、调节池、电沉积装置、三维固定床装置、保安过滤器、三个循环泵、膜组件、清水出口和浓缩液回流孔,各部件之间的连接详见说明书。本发明的优点是:组合电沉积与膜分离技术,具有投资少、处理量大、能耗低、效益高、易工业化、易实现资源综合利用;实现出水达标排放和循环使用的同时,有效回收废水中重金属资源;自动化程度高,人工操作简便,基本可以实现重金属完全回收和零排放,水资源完全回用,实现废水深度净化的组合装置。CN101921032A2010/9/102010/12/22刘晗,张林楠,李振山,李艳静,汪成运,王艺林,苏赛赛电解锌漂洗废水的电沉积CN101921032B2012/11/142北京大学CN 201010278105CN101921032A2010/9/10213CN - IP Right Cessation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010101318494发明公布 一种内存泄漏探测方法G06F11/34(2006.01)I; G06F11/36(2006.01)I冯艺东2010.08.252010.03.23北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200CN101814049A汪小林;  罗英伟; 刘毅; 李晓明100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学北京大学本发明公开了一种内存泄漏探测方法,属于虚拟化技术领域。本发明的方法为:1)虚拟机管理器截获内存资源的申请函数和释放函数的地址,从而获取分配的动态内存信息;2)根据动态内存的起始地址和长度,计算该动态内存所跨越的所有内存监控单元;3)在影子页表中删除对所述内存监控单元的虚拟地址到机器地址的映射关系;4)虚拟机陷入时,虚拟机管理器监测2)中的内存监控单元是否被访问;5)监控策略模块将设定时间内未被应用程序访问的内存监控单元所在的动态内存项视为存在内存泄漏嫌疑的动态内存项。与现有技术相比,本发明能够发现潜在的内存泄露,且不需要修改被探测程序的源代码,也不需要重新编译,为被测试代码提供了透明性。CN101814049A2010/3/232010/8/25刘毅,李晓明,汪小林,罗英伟一种内存泄漏探测方法10北京大学CN 201010131849CN101814049A2010/3/23112CN - Application Discontinuation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办201010177852X发明公布 一种无线光通信中的接收系统及其信号接收方法H04B10/12(2006.01)I; H04B10/06(2006.01)I; G02B6/32(2006.01)I; G02B6/24(2006.01)I邵可声2010.10.272010.05.14北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200CN101873169A杨筱舟; 方傲; 胡薇薇100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学北京大学本发明涉及一种无线光通信中的接收系统及其信号接收方法,属于光通信领域。本系统包括一组聚焦透镜、一组光纤或波导阵列、一组光信号延迟器、一组光相位调制器、一光耦合器、一光滤波器、一光电探测器、一分析计算控制模块和一解码抽样判决模块。本方法为:1)采用一组聚焦透镜将空间光信号聚焦馈入一光纤阵列中;2)对光纤阵列的每一路分别进行相位延迟、相位调制后耦合输出为一路光信号;3)对光信号进行滤波后转换为电信号分别输出到一解码采样判决模块中和一分析计算控制模块中;4)通信时隙内,解码采样判决模块从接收电信号中恢复出原始信息;参考时隙内,分析计算控制模块对每一路接收光信号进行反馈调节。本发明易于实现、且精度高。CN101873169A2010/5/142010/10/27方傲,杨筱舟,胡薇薇一种无线光通信中的接收系统及其信号接收方法CN101873169B2013/1/2310北京大学CN 201010177852CN101873169A2010/5/14103CN - IP Right Cessation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102100241发明公布 一种集成化多反应室流水作业式外延生长方法及系统C23C16/54(2006.01)I; H01L33/00(2010.01)I李稚婷2010.11.242010.06.18北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200CN101892467A张国义; 左然100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学; 左然本发明公开了一种集成化多反应室流水作业式外延生长方法及系统,用于LED或类似化合物半导体多层异质结的制备。该方法和系统采用多个串联的MOCVD反应室,每个反应室工作在相应不同外延层而独立设定的温度和压力下,输入相应的反应气体和/或掺杂气体,利用传送机构使待生长的晶片按生长顺序依次进入不同的反应室生长相应的外延层,从而使生长过程的温度、压力控制和气体输入控制大为简化,避免了不同外延层间的交叉污染,使生长质量和产量大大提高,成本大大降低。CN101892467A2010/6/182010/11/24左然,张国义一种集成化多反应室流水作业式外延生长方法及系统CN101892467B2012/1/188北京大学;左然CN 201010210024CN101892467A2010/6/1843CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102262782发明公布 一种细胞分选磁珠及合成方法以及其在细胞分选中的应用C12N5/078(2010.01)I张肖琪2010.11.242010.07.14北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN101892196A张新祥;  崔毅然; 高晓明; 洪超100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明提供一种新型细胞分选磁珠,该磁珠为表面上以共价键偶联proteinA,并通过protein A与IgG的Fc段的特异性相互作用,定向偶联IgG型小鼠CD3抗体的50-70nm金包裹Fe3O4磁性纳米颗粒(Fe3O4@Au纳米颗粒)。本发明涉及该磁珠的合成和修饰方法,以及使用该磁珠进行细胞分选的方法。本发明磁珠用于除去小鼠脾细胞中的CD3 T细胞,使CD3 T细胞在脾细胞中的含量由36.5%降为0.7%,分选效率极高。本磁珠还同时具有蛋白偶联量高和超顺磁性的优点,而且制备方法简单,环境友好,成本较低,具有较好的应用前景。CN101892196A2010/7/142010/11/24崔毅然,张新祥,洪超,高晓明一种细胞分选磁珠及合成方法以及其在细胞分选中的应用CN101892196B2012/10/109北京大学CN 201010226278CN101892196A2010/7/1482CN - IP Right Cessation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010101084468发明公布 一株Diaphorobacter菌株及其应用C12N1/20(2006.01)I; C02F3/34(2006.01)I; A62D3/02(2007.01)I; C12R1/01(2006.01)N; C02F101/38(2006.01)N; C02F101/34(2006.01)N; C02F103/34(2006.01)N; A62D101/28(2007.01)N; A62D101/26(2007.01)N关畅; 任凤华2010.11.242010.02.05CGMCC No.3511 2009.12.15北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN101892174A吴晓磊;  孙纪全; 汤岳琴; 刘伟强; 赵晶晶; 郭鹏100080北京市海淀区中关村北二条3号北京大学技物楼北京大学本发明公开了一株Diaphorobacter菌株及其应用。本发明提供的菌株为菌株(Diaphorobacter sp.)SG-51 CGMCC No.3511。本发明提供的菌剂,活性成分为菌株(Diaphorobacter sp.)SG-51 CGMCC No.3511。本发明提供的菌株有较广的降解谱,对多种有毒化合物的降解率达到90%以上。本发明的菌剂为新型的芳香族有机污染物降解菌剂,具有生产使用成本低、使用方便、较广的降解谱、去除效果好的优点。本发明提供的菌株和菌剂适用于现代焦化、汽化过程所产生的废水、以及其它石油化工生产过程中产生的含有苯酚、甲酚、对氯苯酚和吡啶的有机废水的处理,可以保证相应有机物残留含量符合废水排放标准。本发明成功解决了废水处理中的苯酚及其衍生物、苯或其它杂环化合物去除效果不高的问题,降低了生产和使用过程中的工作量,降低了生产和使用成本,对于保护生态环境,保护人民的身体健康具有重要的意义。CN101892174A2010/2/52010/11/24刘伟强,吴晓磊,孙纪全,汤岳琴,赵晶晶,郭鹏一株Diaphorobacter菌株及其应用CN101892174B2011/11/238北京大学CN2010101084468ACN101892174A2010/2/543CN - IP Right Cessation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102157678发明公布 一种数字图像中的水印嵌入和提取方法G06T1/00(2006.01)I冯艺东2010.10.202010.06.22北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200CN101866478A李晓龙;  王超; 亓文法; 杨斌100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学北京大学本发明公开了一种数字图像中的水印嵌入和提取方法,属于信息隐藏和图像隐写技术领域。本发明的水印嵌入方法为:首先对原始数字图像进行降噪,得到降噪后的图像;然后将待嵌入的二进制水印与原始数字图像的像素值进行匹配,最后根据对应的降噪图像的像素值改变原始图像的像素值,实现水印嵌入。本发明的水印提取方法为:根据获取的水印图像的像素值,顺次提取最低有效位,获得水印信息。与现有技术相比,本发明可以使每点像素值改变后水印图像的噪声更小,从而可以更好的抵抗隐写分析。CN101866478A2010/6/222010/10/20亓文法,李晓龙,杨斌,王超一种数字图像中的水印嵌入和提取方法CN101866478B2012/3/77北京大学CN 201010215767CN101866478A2010/6/2245CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102191772发明公布 一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管H01L21/336(2006.01)I; H01L21/762(2006.01)I; H01L29/78(2006.01)I贾晓玲2010.10.202010.07.07北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN101866859A黄如;  云全新; 安霞; 张兴100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明涉及CMOS超大集成电路,是一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管。本发明在场效应晶体管的源/漏区与衬底之间,插入形变介质层,利用直接与衬底接触的形变介质层,诱使沟道发生应变,用于提升沟道载流子迁移率和器件性能。具体效果为,利用具有张应变的形变介质层可以诱使沟道发生张应变,可用于提升沟道电子迁移率;利用具有压应变的形变介质层可以诱使沟道发生压应变,可用于提升沟道空穴迁移率。本发明既可以保证沟道应力引入的有效性,同时又从根本上改善了场效应晶体管的器件结构,提升了器件短沟效应抑制能力。CN101866859A2010/7/72010/10/20云全新,安霞,张兴,黄如一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管CN101866859B2012/7/410北京大学CN 201010219177CN101866859A2010/7/7116CN - IP Right Grant, WO - Application Filing Active, US - Application Filing Active
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102757253发明公布 一种估算集成电路辐照效应的方法G06F17/50(2006.01)I张肖琪2010.12.222010.09.08北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN101923596A薛守斌;  王思浩; 谭斐; 安霞; 黄如; 张兴100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法,属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤:A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管;B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式:Qtrap∝δT2STID,其中Qtrap是STI中俘获的电荷,TSTI寄生晶体管有效的栅氧厚度,D是辐照剂量,δ为拟合系数,得到寄生晶体管的漏电流,从而估算出整个集成电路的辐照效应。本发明可通过电路仿真,预测辐照损伤对集成电路的影响,同时也可以预测电路的敏感节点,进而为电路的抗辐照加固技术给予指导,并且可以降低实验成本。CN101923596A2010/9/82010/12/22安霞,张兴,王思浩,薛守斌,谭斐,黄如一种估算集成电路辐照效应的方法3北京大学CN 201010275725CN101923596A2010/9/841CN - Application Discontinuation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102321136发明公布 预测残差块的重排序、逆重排序方法及系统H04N7/26(2006.01)I; H04N7/32(2006.01)I毛燕生2010.11.242010.07.15北京市商泰律师事务所11255CN101895757A高文;  赵欣; 张莉; 马思伟100871北京市海淀区中关村颐和园路5号北京大学本发明公开了一种预测残差块的重排序、逆重排序方法及系统。该方法包括:根据统计得到的预测残差块的幅度分布,设置预测残差块的排序方法,并且所有可能的预测残差块的排序方法为两种或两种以上;根据残差块的排序方法,在对残差块进行变换之前,对残差块内的残差值进行重排序。本发明通过在空域对残差块内的残差采样值进行重排序,使得不同模式的残差统计特性近似相同,从而可以仅使用少量的变换函数实现与模式相关变换近似的性能,同时降低了编解码器的存储复杂度。CN101895757A2010/7/152010/11/24张莉,赵欣,马思伟,高文预测残差块的重排序、逆重排序方法及系统6北京大学CN 201010232113CN101895757A2010/7/1514CN - Application Discontinuation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010101719790发明公布 一种软件漏洞挖掘方法G06F11/36(2006.01)I冯艺东2010.09.292010.05.07北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200CN101847121A王铁磊;  韦韬; 邹维; 张超; 戴帅夫; 丁羽; 李义春100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学北京大学本发明公开了一种软件漏洞挖掘方法,属于软件工程和信息安全领域。本方法为:1)将多个正常数据输入目标程序,收集该目标程序的运行时信息;2)生成畸形数据,并将其输入该目标程序,收集该目标程序的运行时信息;3)根据1)、2)收集的运行时信息,识别该目标程序中校验和的检测代码;4)修改校验和的检测代码,使得目标程序处理畸形数据时的执行行为与处理正常数据时一致;5)生成若干畸形数据并输入修改后的目标程序,将使其崩溃的畸形数据作为样本数据;6)修改每个样本数据中校验和的域值并将其输入原目标程序,如果原目标程序崩溃或发生异常则报告一个潜在的安全漏洞。与现有技术相比,本发明可以大大提高漏洞挖掘的效率。CN101847121A2010/5/72010/9/29丁羽,张超,戴帅夫,李义春,王铁磊,邹维,韦韬一种软件漏洞挖掘方法CN101847121B2012/1/1810北京大学CN 201010171979CN101847121A2010/5/744CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102233934发明公布 基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法H01L45/00(2006.01)I贾晓玲2010.11.242010.07.12北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN101894910A张丽杰; 黄如; 潘越100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiOxNy)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法,属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极,阻变材料层,底电极和衬底,其中,阻变材料层为硅的氮氧化物(SiOxNy),所述SiOxNy的x、y满足条件:2x+3y<4,x≥0,y≥0,所述底电极为Cu、W、Pt等金属或者其它导电材料,所述顶电极为Ti、TiN、Al、AlCu等与硅的氮氧化物发生化学反应的金属或导电材料。本发明通过控制硅氮氧化物的成分,使其硅含量相对较多,引入更多的缺陷,空位,比如氮空位、氧空位等,从而得到稳定的双极器件。CN101894910A2010/7/122010/11/24张丽杰,潘越,黄如基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法CN101894910B2012/2/2210北京大学CN 201010223393CN101894910A2010/7/1232CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办201010249573X发明公布 时分双工通信方法中上下行时隙的动态调整方法H04B7/185(2006.01)I; H04W72/04(2009.01)I; H04W72/12(2009.01)I邵可声2010.12.222010.08.10北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200CN101924587A徐晓燕;  吴建军; 任术波; 栾西; 程宇新100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学北京大学本发明公开了一种时分双工通信方法中上下行时隙的动态调整方法,属于卫星通信技术领域。上行时隙调整为下行时隙的方法包括:第i帧,卫星向终端发送调整消息,告知将由上行调整为下行;第i+1帧,终端收到调整消息,将待调整时隙由上行调整为空白;第i+2帧,卫星将待调整时隙由上行调整为下行;第i+3帧,终端将待调整时隙由空白调整为下行下行。下行时隙调整为上行时隙的方法包括:第i帧,卫星将待调整时隙由下行调整为空白,并向终端发送调整消息;第i+1帧,终端收到所述调整消息,将待调整时隙由下行调整为上行;第i+2帧,卫星将待调整时隙由空白调整为上行。本发明可用于卫星移动通信。CN101924587A2010/8/102010/12/22任术波,吴建军,徐晓燕,栾西,程宇新时分双工通信方法中上下行时隙的动态调整方法6北京大学CN201010249573XACN101924587A2010/8/1024CN - Application Discontinuation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办201010140590X发明公布 星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法C07C69/63(2006.01)I; C07C67/14(2006.01)I; C08F120/56(2006.01)I; C08F4/00(2006.01)I; C09K11/06(2006.01)I; C07K1/26(2006.01)I; C12N15/10(2006.01)I关畅2010.09.292010.04.02北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN101844983A马玉国;  牛志强; 高凡; 裴坚; 梁德海; 张新祥100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学化学学院北京大学本发明公开了星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法。该荧光聚合物的结构通式如式VII所示。制备该荧光聚合物所用引发剂如式I所示。利用本发明提供的荧光聚合物进行DNA或蛋白质分离,分离速度快,分离效果好,毛细管不需修饰,一次灌胶可重复使用且有较好的重复性;而且,本发明能够将可比较的不同拓扑结构引入到分离介质中,可以系统的对比线形聚合物对生物大分子分离结果的影响;此外,由于该荧光聚合物具有荧光核,因而可将该荧光核引入到分离介质中,实现同时观察到分离介质和生物大分子的目的,从而获得生物大分子在分离过程中更直观的图像,为分离机理的揭示提供更加有力的方法。CN101844983A2010/4/22010/9/29马玉国,牛志强,高凡,裴坚,梁德海,张新祥星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法CN101844983B2014/7/1616北京大学CN201010140590ACN101844983A2010/4/204CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010101996187发明公布 可变光衰减器件及其制备方法G02B26/08(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I王莹2010.11.102010.06.08北京路浩知识产权代理有限公司11002CN101881881A吴文刚;  陈庆华; 杜博超; 张海霞; 郝一龙100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明涉及一种可变光衰减器件及其制备方法,该器件包括:硅基座以及与所述硅基座键合的玻璃基座,所述硅基座设置有垂直光反射面、以及以所述光反射面为一侧面的加热空腔,所述加热空腔与所述玻璃基座的部分上表面围成密封腔体,在所述密封腔体内的玻璃基座的上表面上设置有加热部件。本发明的可变光衰减器件可满足振动环境中对器件的可靠性要求、成本低、且性能高。CN101881881A2010/6/82010/11/10吴文刚,张海霞,杜博超,郝一龙,陈庆华可变光衰减器件及其制备方法CN101881881B2012/7/187北京大学CN 201010199618CN101881881A2010/6/804CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010101619171发明公布 一种去除多环芳烃和/或降解多环芳烃的菌株及其应用C12N1/20(2006.01)I; A62D3/02(2007.01)I; C12R1/01(2006.01)N; A62D101/20(2007.01)N关畅; 任凤华2010.12.012010.04.27CGMCC No.3581 2010.01.18北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN101899406A卢晓霞;  吴淑可; 马杰; 李秀利; 陈超琪; 吴蔚; 廖晓勇100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学生命科学学院植物系北京大学本发明公开了一种去除多环芳烃和/或降解多环芳烃菌株及其应用。本发明提供了微杆菌(Microbacterium sp.)LU1,其保藏号为CGMCC No.3581,本发明提供了一种菌剂,其活性成分为微杆菌(Microbacterium sp.)LU1 CGMCC No.3581。本发明提供的菌株去除多环芳烃的实验结果显示,微杆菌对低环的多环芳烃如萘(NAP)、苊烯(ANY)、苊(ANE)、芴(FLE)、菲(PHE)及蒽(ANT)和高环的多环芳烃苯并k荧蒽的去除明显;微杆菌还可以矿化低分子量多环芳烃,如菲,微杆菌对菲的矿化速率约为0.3/天。CN101899406A2010/4/272010/12/1卢晓霞,吴淑可,吴蔚,廖晓勇,李秀利,陈超琪,马杰一种去除多环芳烃和/或降解多环芳烃的菌株及其应用CN101899406B2012/2/2210北京大学CN 201010161917CN101899406A2010/4/2732CN - IP Right Cessation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010101558248发明公布 一种负色散脉冲展宽光纤放大装置G02F1/39(2006.01)I王莹; 张庆敏2010.09.222010.04.21北京路浩知识产权代理有限公司11002CN101840125A李鹏;  王希; 周春; 蔡岳; 张志刚; 樊仲维; 麻云凤; 牛岗100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学; 北京国科世纪激光技术有限公司本发明公开了一种负色散脉冲展宽光纤放大装置,其包括:锁模激光器,产生种子光脉冲;负色散单元,置于锁模激光器种子光脉冲出射方,对种子光脉冲进行展宽,使其带有负啁啾;一级放大单元,接收负色散单元输出的带有负啁啾的种子光脉冲,并进行一级放大,对种子光脉冲中的负啁啾进一步进行正色散补偿,缩短种子光脉冲;二级放大单元,接收一级放大单元输出的种子光脉冲,并进行二级放大,对种子光脉冲中的负啁啾进一步进行正色散补偿,缩短种子光脉冲;输出单元,与二级放大单元相连,对放大后的种子光脉冲进行输出。本发明通过负色散展宽,使光纤放大器输出端的脉冲最短,简化了系统,降低了损耗,提高了放大器后的脉冲能量,有效降低了成本。CN101840125A2010/4/212010/9/22周春,张志刚,李鹏,樊仲维,牛岗,王希,蔡岳,麻云凤一种负色散脉冲展宽光纤放大装置CN101840125B2012/2/110北京大学;北京国科世纪激光技术有限公司CN 201010155824CN101840125A2010/4/21135CN - IP Right Cessation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010101996312发明公布 抗震装置及其制备方法B81B3/00(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I王莹2010.11.102010.06.08北京路浩知识产权代理有限公司11002CN101880022A陈庆华;  吴文刚; 杜博超; 张海霞; 郝一龙100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明涉及一种抗震装置及其制备方法,该装置包括:基体,上表面设置有抗震平台、以及若干一端与抗震平台固定连接且保持与基体上表面不接触地延伸的抗震悬臂梁;器件载体,上表面用于承载待保护器件,下表面设置有凹槽,器件载体与抗震悬臂梁相连,且凹槽与抗震平台不接触。本发明的抗震装置及其制备方法适用于微电子电路芯片及MEMS可动器件在振动环境下的保护等应用,具有极强的应用性;使用物理方式实现抗振功能,无需高精度控制电路,从而降低了系统成本;本发明的制备方法可以采用常规MEMS工艺设备,实现大批量制造,且工艺过程简单,与多种类型的MEMS器件工艺兼容,可用于实现功能更广泛、更强大的微电子系统。CN101880022A2010/6/82010/11/10吴文刚,张海霞,杜博超,郝一龙,陈庆华抗震装置及其制备方法CN101880022B2012/12/55北京大学CN 201010199631CN101880022A2010/6/804CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102251504发明公布 含有氟磷灰石和二氧化钛的聚醚醚酮复合材料及制备方法A61L27/46(2006.01)I苏爱华2010.11.102010.07.13北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN101879332A魏世成; 魏杰100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明公开了一种氟磷灰石和二氧化钛增强聚醚醚酮复合材料及其制备方法,属于生物复合材料技术领域。本发明复合材料是一种用氟磷灰石和二氧化钛增强聚醚醚酮复合材料形成的骨修复材料,是以熔融方式共混氟磷灰石,二氧化钛和聚醚醚酮,其中氟磷灰石占复合材料总重量的10~30%,二氧化钛占复合材料总重量的10~30%,其余为聚醚醚酮成分。本发明采用氟磷灰石和二氧化钛与聚醚醚酮形成复合材料,实现了强度和韧性好、弹性模量与人骨一致且具有生物活性的骨替代材料,可克服现有金属和陶瓷骨替代材料存在的力学性能与人骨不匹配的缺点。CN101879332A2010/7/132010/11/10魏世成,魏杰含有氟磷灰石和二氧化钛的聚醚醚酮复合材料及制备方法10北京大学CN2010102251504ACN101879332A2010/7/1395CN - Application Discontinuation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102449214发明公布 基于散点透视图像计算三维空间布局的方法与系统G06T17/00(2006.01)I; G06T7/00(2006.01)I毛燕生2010.12.292010.08.04北京市商泰律师事务所11255CN101930626A王亦洲;  马伟; 徐迎庆; 马歆; 李琼; 胡锤; 高文100871北京市海淀区中关村颐和园路5号北京大学本发明公开了一种基于散点透视图像计算三维空间布局的方法与系统。该方法包括:抽取数字图像的构图线索;通过插值,扩散所述构图线索,建立图像空间上的连续线索;依据连续线索,建立所述数字图像和所述数字图像所描述的三维空间支撑面之间的几何映射关系;给定所述数字图像上的任意一点,依据该点所在目标物对应的图像上的支撑点位置和所述几何映射关系,计算得到该点在三维空间中的点。本发明从画家的绘画原理出发,给出散点透视几何解,建立了散点透视图画和其所描绘的三维空间之间的关系;能够在画所描述的三维空间中有效定位画中目标物,定位效果与感知效果一致。CN101930626A2010/8/42010/12/29徐迎庆,李琼,王亦洲,胡锤,马伟,马歆,高文基于散点透视图像计算三维空间布局的方法与系统CN101930626B2012/7/414北京大学CN 201010244921CN101930626A2010/8/413CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102386395发明公布 一种采用无窗气体靶的小型中子源G21G4/02(2006.01)I苏爱华2010.12.152010.07.28北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN101916607A朱昆;  黄胜; 陆元荣; 邹宇斌; 郭之虞; 彭士香100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明公开了一种采用无窗气体靶的小型中子源,属于核技术及应用领域。本发明采用ECR离子源产生氘离子,直接通过高压引出电极引出,轰击用等离子体密封的无窗气体靶,由于无窗氘气体靶是采用等离子体密封的,因此它允许承受很高的流强的束流,同时由于氘离子穿过等离子体窗时的能损很小,因此中子产额较高。与中子管相比,本发明提出的中子源允许的束流强度高,中子产额高。与加速器中子源相比,加速器中子源体积大,系统复杂,造价高,本发明提出的中子源体积小,系统简单,造价低。与离子源直接进行氘氚反应产生中子的中子源相比,该离子源系统简单,造价低,没有氚的放射性处理以及循环问题。本发明具有非常广阔的应用前景。CN101916607A2010/7/282010/12/15彭士香,朱昆,邹宇斌,郭之虞,陆元荣,黄胜一种采用无窗气体靶的小型中子源CN101916607B2012/6/134北京大学CN 201010238639CN101916607A2010/7/28167CN - IP Right Cessation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010101176722发明公布 一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件B81C1/00(2006.01)I; B82B3/00(2006.01)I; B81B7/00(2006.01)I; G01N21/65(2006.01)I关畅2010.08.042010.03.03北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN101792112A毛海央;  吴文刚; 张煜龙; 黄如; 郝一龙; 王阳元100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学北京大学本发明公开了一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件。该微流控检测器件是按照包括下述步骤的方法制备得到的:在衬底上旋涂光刻胶,并对光刻胶依次进行前烘、曝光、显影和定影后形成微流道形状的光刻胶图形;对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀,在衬底上形成了垂直分布于的纳米颗粒结构或纳米纤维直立结构;以所述纳米颗粒结构为掩模,对衬底进行各向异性刻蚀,在衬底上形成了纳米柱;在衬底上的硅纳米柱或纳米纤维直立结构上溅射金属纳米颗粒层,得到表面增强拉曼散射活性基底;结合微流体器件及其加工技术形成了无杂质干扰、可实时监测的硅-PDMS双层结构SERS微流控检测器件,该微流控检测器件不仅能用于液体待分析物的检测还可用于胶体和气体待分析物的检测。CN101792112A2010/3/32010/8/4吴文刚,张煜龙,毛海央,王阳元,郝一龙,黄如一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件CN101792112B2012/5/3010北京大学CN 201010117672CN101792112A2010/3/3324CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102326411发明公布 硅的腐蚀深度实时监控方法C23F1/02(2006.01)I; C23F1/08(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I俞达成2010.12.222010.07.16北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200CN101922008A严远;  张大成; 王玮; 杨芳; 李婷; 王颖; 罗葵; 田大宇100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学北京大学本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法,属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀,所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽,位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面,和位于腐蚀凹槽侧面的监控面,所述腐蚀面和监控面的晶向相同,所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液,腐蚀液浸没所述腐蚀面,所述监控面,以及所述监控面和所述表面相交的监控线,在腐蚀过程中或腐蚀过程后,通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。CN101922008A2010/7/162010/12/22严远,张大成,李婷,杨芳,王玮,王颖,田大宇,罗葵硅的腐蚀深度实时监控方法CN101922008B2011/11/97北京大学CN 201010232641CN101922008A2010/7/1631CN - IP Right Cessation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102179520发明公布 三叶因子3在制备预防和/或治疗抑郁症药物中的用途A61K38/17(2006.01)I; A61P25/24(2006.01)I关畅; 任凤华2010.12.012010.06.24北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN101897952A陆林;  史海水; 朱维莉; 王慎军; 丁增波100083北京市海淀区学院路38号北京大学本发明公开了一种三叶因子3的新用途。本发明提供了三叶因子3在制备预防和/或治疗抑郁症产品中的应用。所述产品为药物。本发明主要发现了TFF3具有抗抑郁作用,因此,可用于预防和治疗由各种因素引起的抑郁症。CN101897952A2010/6/242010/12/1丁增波,史海水,朱维莉,王慎军,陆林三叶因子3在制备预防和/或治疗抑郁症药物中的用途CN101897952B2012/8/82北京大学CN 201010217952CN101897952A2010/6/2410CN - IP Right Grant
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010101181896发明公布 吸气式液体燃料脉冲爆震发动机F02K9/62(2006.01)I麻吉凤; 毛燕生2010.07.142010.03.04北京市商泰律师事务所11255CN101776027A郑殿峰100871北京市海淀区中关村颐和园路5号北京大学本发明公开了一种吸气式液体燃料脉冲爆震发动机,在该发动机中,喷嘴(1)位于固定座(2)中心位置;进气道(3)与凸型雾化室(5)进口端密封相连;钝体(4)安装在进气道(3)和凸型雾化室(5)内部;凸型雾化室(5)下游与爆震管(7)密封连接;点火环(8)位于爆震管(7)进口,下游为火花塞(14);蒸发器(9)安装在爆震管(7)内部,上游是点火环(8),下游设置扰流器(10);尾喷管(11)固定在爆震管(7)出口;喷嘴(1)与电磁阀(12)、控制器(13)、火花塞(14)连接。本发明与旋流式脉冲爆震发动机相比,能改善燃油雾化蒸发掺混性能,提高爆震燃烧强度,减小漏气损失和进气阻力,增加有效推力。CN101776027A2010/3/42010/7/14郑殿峰吸气式液体燃料脉冲爆震发动机CN101776027B2011/8/1010北京大学CN 201010118189CN101776027A2010/3/486CN - IP Right Cessation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办201010138829X发明公布 补偿电路及辐射探测系统G01T1/17(2006.01)I; G01T1/15(2006.01)I胡小永2010.08.112010.03.19北京路浩知识产权代理有限公司11002CN101799553A李静;  张雅聪; 陈中建; 鲁文高; 周春芝; 邵建辉; 杨团伟; 朱红英100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明公开了一种补偿电路及辐射探测系统,该补偿电路设置在辐射探测系统的第一级放大器输出端和第二级放大器输入端之间,该补偿电路包括:两个电阻和一个电容,第一电阻与电容并联,其连接点与第二电阻串联。本发明提供的补偿电路应用在辐射探测系统中,在不影响读出电路第一级环路增益稳定性的前提下,能够增大第二级环路的相位裕度,增加系统的稳定性,提高读出速率;且结构简单,成本低廉,易于实现。CN101799553A2010/3/192010/8/11周春芝,张雅聪,朱红英,李静,杨团伟,邵建辉,陈中建,鲁文高补偿电路及辐射探测系统2北京大学CN 201010138829CN101799553A2010/3/1933CN - Application Discontinuation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办201010242144X发明公布 一种流式电穿孔装置及系统C12M1/42(2006.01)I董琍雯2010.12.292010.07.30北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200CN101928666A李志宏;  梁子才; 魏泽文; 黄璜100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明公开了一种流式电穿孔装置及系统,该系统包括:流式电穿孔装置,其中包括:基板,以及制作在基板上的电极,所述的电极,是平行并成对放置的,每对电极包括相对设置的阳极和阴极;置于电极之上的限制流体流动的通道;所述通道起始端具有多个入口分支通道,并汇聚成一条主通道,结束端具有多个出口分支通道,所述通道上方设置具有多个流体入口及出口的顶盖;注射泵,由管道连接到所述流式电穿孔装置中顶盖的入口及出口控制流体的流速;电压源,由电连接件连接电极设定并产生脉冲电压。流式电穿孔系统利用流体通道以及相连接的注射泵来实现各种悬浮液在流体通道中的连续流动,从而使细胞被电穿孔的过程能够持续进行,实现快速处理大量样品。CN101928666A2010/7/302010/12/29李志宏,梁子才,魏泽文,黄璜一种流式电穿孔装置及系统CN101928666B2013/4/317北京大学CN201010242144XACN101928666A2010/7/3052CN - IP Right Cessation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010103005653发明公布 一种碳纳米角的制备方法C01B31/02(2006.01)I贾晓玲2010.06.302010.01.22北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN101759179A施祖进;  王志永; 李楠; 顾镇南100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明提供了一种碳纳米角的制备方法,属于碳纳米角的合成技术领域。该方法使用直流电弧法,用空气、CO2、CO或CO/N2混合气体作为反应气氛,制得碳纳米角。采用本发明能达到大量生产的要求,设备简单、生产成本低。且产物纯度高,只需简单的灼烧纯化后,碳纳米角的纯度可达94%以上。本发明制得的碳纳米角的直径约为25纳米,可聚集成直径为50—80纳米的球形聚集体。CN101759179A2010/1/222010/6/30施祖进,李楠,王志永,顾镇南一种碳纳米角的制备方法6北京大学CN 201010300565CN101759179A2010/1/2250CN - Application Discontinuation
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2010102477125发明公布 一种基于Android的透明数据存储方法和系统H04L29/08(2006.01)I; H04W28/14(2009.01)I苏爱华2010.12.012010.08.08北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN101902502A郭耀;  孔俊俊; 冯涛; 赵霞; 陈向群100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学本发明涉及一种基于Android的透明数据存储的方法和系统,属于移动计算领域。本方法包括,读取系统的配置信息,利用用户文件系统接口模块提供一组可以重新实现文件操作语义的用户态的接口,通过用户态的程序实现这组用户态的文件操作接口。根据手机设备的网络连接情况,提供本地模式和网络模式下的基本的文件操作功能。本地模式下把文件操作重新定向到本地的另一个目录下;网络模式下利用ftp作为通讯协议,把文件操作重定向到服务器端。网络模式下为了提高效率增加了本地缓存,同时还要保证手机端和服务器端的数据一致性。CN101902502A2010/8/82010/12/1冯涛,孔俊俊,赵霞,郭耀,陈向群一种基于Android的透明数据存储方法和系统CN101902502B2012/10/103北京大学CN 201010247712CN101902502A2010/8/841CN - IP Right Grant
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2018105893877发明公布 基于跨导反馈单元的可编程增益放大器电路H03F3/45(2006.01)I; H03G3/30(2006.01)I廖元秋2018.11.062018.06.08北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201CN108768325A张雷; 吴伟平100084北京市海淀区清华园1号清华大学本发明公开一种基于跨导反馈单元的可编程增益放大器电路,属于模拟集成电路设计领域,该放大器电路由直流失调抑制电路、输入跨导单元、反馈跨导单元以及运算放大器组成。所述直流失调抑制电路由电阻和电容构成;所述输入跨导单元、反馈跨导单元分别由MOS管阵列构成;所述运算放大器由放大电路、偏置电路以及共模反馈电路组成,所述放大电路是一个两级密勒放大器,所述偏置电路是一个正比于温度的电压偏置电路,所述共模反馈是一个差分共模反馈电路。本发明能够有效的解决传统反馈结构中的负载效应问题,减小增益误差;在保证功耗不变的前提下,能大幅提高带宽,并减小版图面积,从而提高可编程增益放大器的性能。CN108768325A2018/6/82018/11/6张雷,吴伟平基于跨导反馈单元的可编程增益放大器电路1清华大学CN201810589387.7ACN108768325A2018/6/800CN - Search and Examination
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2017104344628发明公布 多孔金属复合结构C01B32/168(2017.01)I; B29C65/02(2006.01)I; B32B15/04(2006.01)I; C23C18/31(2006.01)I2018.12.182017.06.09CN109019563A付红颖; 李文珍100084北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司本发明涉及一种多孔金属复合结构,包括多孔金属结构和一个碳纳米管结构,该碳纳米管结构固定在所述多孔金属结构的表面,所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管,所述多孔金属复合结构包括多个褶皱部。CN109019563A2017/6/92018/12/18付红颖,李文珍多孔金属复合结构10清华大学, 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司CN201710434462.8ACN109019563A2017/6/909CN - Search and Examination Pending, TW - Search and Examination Pending, US - Search and Examination Pending, JP - Pending
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2018105509745发明公布 一种基于随机需求和服务水平约束的供应链优化方法G06Q10/04(2012.01)I; G06Q10/08(2012.01)I; G06Q30/02(2012.01)I罗文群2018.11.232018.05.31北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201CN108876020A宋士吉; 赵晗100084北京市海淀区清华园1号清华大学本发明涉及一种基于随机需求和服务水平约束的供应链优化方法,属于供应链管理及运筹学领域。本发明假设供应链中的零售商是风险厌恶的,供应链中的生产商是风险中性的,这是因为零售商直接面向市场随机需求,在顾客随机需求和服务水平约束下,将条件风险价值度量和期权合同应用在供应链优化管理中,解决了供应链中的零售商如何确定最优订购量,供应链中的生产商如何根据最优订购量确定最优生产量的问题,并在此基础上解决了管理者的风险厌恶水平和顾客服务水平对最优决策的影响,以及引入期权合同对供应链中零售商和生产商的影响等一系列问题。CN108876020A2018/5/312018/11/23宋士吉,赵晗一种基于随机需求和服务水平约束的供应链优化方法2清华大学CN201810550974.5ACN108876020A2018/5/3100CN - Search and Examination
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2018109856716发明公布 一类螺环银簇发光簇合物及其制备方法与应用C07F1/10(2006.01)I; C09K11/06(2006.01)I; C09K9/02(2006.01)I; G01N21/64(2006.01)I关畅; 赵静2018.12.142018.08.28北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN108997384A赵亮; 吴晗100084北京市海淀区北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室清华大学本发明公开了一类新型的螺环银簇化合物及其制备方法与应用。该银簇化合物的结构通式如式I所示。本发明所提供的螺环银簇化合物结构稳定,量子产率可达(5%‑30%),表现出对外部刺激(机械力,溶剂)响应的发光变色行为,在力学传感,有机溶剂蒸汽监测,发光材料等领域具有潜在的应用前景。CN108997384A2018/8/282018/12/14赵亮,吴晗一类螺环银簇发光簇合物及其制备方法与应用CN108997384B2020/1/1710清华大学CN201810985671.6ACN108997384A2018/8/2804CN - IP Right Grant
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2018108417798发明公布 电池热失控实验装置及其系统G01R31/36(2006.01)I; H01M10/42(2006.01)I刘诚2018.11.232018.07.27北京华进京联知识产权代理有限公司11606CN108872877A张亚军;  王贺武; 欧阳明高; 李伟峰; 李成; 李建秋; 卢兰光; 韩雪冰; 杜玖玉100084北京市海淀区清华园1号清华大学本申请涉及一种电池热失控实验装置包括箱体、均匀加热器和空气循环装置。所述均匀加热器设置于所述箱体内,用于产生热量。所述空气循环装置,设置于所述箱体内。所述空气循环装置与所述均匀加热器间隔相对设置,用于改变所述箱体内的空气流向,使得所述箱体内热量均匀。本申请提供的所述电池热失控实验装置准确的模拟了所述待测试电池全面均温诱发热失控场景,从而可以提高实验结果的准确性和可靠性。CN108872877A2018/7/272018/11/23张亚军,王贺武,欧阳明高,李伟峰,李成,李建秋,卢兰光,韩雪冰,杜玖玉电池热失控实验装置及其系统12清华大学CN201810841779.8ACN108872877A2018/7/2706CN - Search and Examination
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2018108132952发明公布 用于植入式医疗仪器电路板自动测试的探针接触式工装G01R31/28(2006.01)I; G01R1/04(2006.01)I苏雪雪2018.12.182018.07.23北京华仁联合知识产权代理有限公司11588CN109031095A田野;  胡春华; 陈浩; 黄俊; 王伟明; 马伯志; 郝红伟; 李路明100084北京市海淀区清华园清华大学一种用于植入式医疗仪器电路板自动测试的探针接触式工装包括:第一导轨;位移平台,可移动地设置在所述第一导轨上,所述位移平台上设有测试板安装部、感应线圈安装部,所述感应线圈安装部与所述第一导轨平行设置;充电编程器的线圈安装部,固定设置在所述位移平台的一侧,与所述感应线圈安装部平行设置且具有固定间隙。通过在位移平台上设置用于安装测试板的测试板安装部、用于安装感应线圈的感应线圈安装部,以及控制位移平台沿着导轨移动,从而使得在可靠性测试时,由现有技术中通过人工对准感应线圈和充电编程器的线圈变成由工装控制对准感应线圈和充电编程器的线圈,省去了大量人工,大大提高了测试的精准度和测试效率。CN109031095A2018/7/232018/12/18田野,胡春华,陈浩,黄�俊,王伟明,马伯志,郝红伟,李路明用于植入式医疗仪器电路板自动测试的探针接触式工装10清华大学CN201810813295.2ACN109031095A2018/7/2300CN - Search and Examination
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2018102603622发明公布 一种空气分级调控热解燃烧一体炉F23G5/027(2006.01)I; F23G5/44(2006.01)I; F23G5/50(2006.01)I黄玉东2018.11.062018.03.27北京市万慧达律师事务所11111CN108758638A王伟; 陈坦; 王一迪100084北京市海淀区清华大学工物馆410室清华大学本发明公开了一种空气分级调控热解燃烧一体炉,包括一热解炉主体,所述热解炉主体被耐火层围合形成一燃烧加热区,所述热解炉主体上开设有第一进气口,所述第一进气口与燃烧器相连通,其中,所述热解炉主体还包括一斜向穿过所述燃烧加热区的螺杆解热管,所述螺杆解热管顶部设置有搅拌料斗,生物质废物经所述搅拌料斗处理后进入螺杆解热管内,所述螺杆解热管顶部还设置有一合成气导管,所述合成气导管一端与所述螺杆热解管顶部相连通,另一端伸入至所述燃烧加热区内。本发明解决了原有的热解设备在热解过程中容易产生焦油造成设备凝结的问题。CN108758638A2018/3/272018/11/6王伟,陈坦,王迪,王一迪一种空气分级调控热解燃烧一体炉8清华大学CN201810260362.2ACN108758638A2018/3/2705CN - Search and Examination
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办201810613132X发明公布 基于复合激光结构光的全空间位姿检测视觉传感器装置B23K37/00(2006.01)I黄德海2018.11.232018.06.14北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201CN108857152A朱志明;  郭吉昌; 孙博文; 符平坡100084北京市海淀区清华园清华大学本发明公开了一种基于复合激光结构光的全空间位姿检测视觉传感器装置,所述传感器装置包括固定座、工业CCD相机、工业镜头、主激光器组件和辅助一字线激光器。固定座适于与焊枪相连,工业CCD相机与固定座相连以拍摄焊枪实施焊接过程的焊接坡口或形成的焊缝,工业镜头设在工业CCD相机的镜头前端以调节工业CCD相机的光学参数,主激光器组件连接在固定座上且用于向焊接坡口或焊缝投射激光线,辅助一字线激光器适于连接在焊枪的主轴上,且用于向焊接坡口或焊缝与焊枪的延伸方向的交点投射激光线,根据本发明实施例的基于复合激光结构光的全空间位姿检测视觉传感器装置能够实现焊枪相对于工件待焊点任意空间三维位姿参数的检测。CN108857152A2018/6/142018/11/23朱志明,郭吉昌,孙博文,符平坡基于复合激光结构光的全空间位姿检测视觉传感器装置CN108857152B2020/1/3111清华大学CN201810613132.XACN108857152A2018/6/1405
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2018108053768发明公布 骨修复纳米纤维膜及其制备方法A61L27/42(2006.01)I; A61L27/54(2006.01)I; A61L27/56(2006.01)I; A61L27/58(2006.01)I; D01F8/02(2006.01)I; D01F8/14(2006.01)I; D01F8/10(2006.01)I王赛2018.12.182018.07.20北京华进京联知识产权代理有限公司11606CN109010922A张洪玉; 王毅100084北京市海淀区清华园1号清华大学本发明公开了一种骨修复纳米纤维膜,包括纳米纤维,所述纳米纤维包括聚合物‑明胶复合基体以及负载有促成骨药物的多孔生物活性玻璃;所述多孔生物活性玻璃能够降解产生有利于骨修复的离子;所述促成骨药物能够抑制骨吸收;所述聚合物为可降解的高分子材料;所述多孔生物玻璃均匀分散在所述聚合物‑明胶复合基体中;所述促成骨药物、所述明胶和所述聚合物三者的质量比为(0.5~1.5):(5~7):(13~15);所述多孔生物玻璃的孔径为3~6nm之间。本发明还公开了一种所述骨修复纳米纤维膜的制备方法。CN109010922A2018/7/202018/12/18张洪玉,王毅骨修复纳米纤维膜及其制备方法13清华大学CN201810805376.8ACN109010922A2018/7/2009CN - Search and Examination
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2018108982618发明公布 复合材料及其制备方法以及空气净化器B01J31/06(2006.01)I; B01D53/86(2006.01)I; B01D53/72(2006.01)I; B01J37/04(2006.01)I; B01J37/34(2006.01)I; B01J35/10(2006.01)I; B82Y30/00(2011.01)I赵天月2018.12.182018.08.08北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201CN109012745A林元华;  罗屹东; 南策文; 沈洋100084北京市海淀区清华园清华大学本发明提供了复合材料及其制备方法以及空气净化器。其中,复合材料包括:纤维素载体,所述纤维素载体具有海绵结构;铋铜硫氧,所述铋铜硫氧负载在所述纤维素载体上。发明人发现,该复合材料结构简单、易于实现,性能较稳定,具有较大的比表面积以及优异的环境净化能力,在可见光区域对甲醛的降解率较高,从而可以显著降低室内甲醛的含量,极大程度上保护人体健康,且该复合材料便于回收,有利于循环再利用,节约成本,市场前景较为广阔。CN109012745A2018/8/82018/12/18林元华,罗屹东,南策文,沈洋复合材料及其制备方法以及空气净化器10清华大学CN201810898261.8ACN109012745A2018/8/800CN - S