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· With the promotion of policies and measures from the Ministry of Education, the State Intellectual Property Office, the Ministry of Science and Technology and other departments, the mechanism for the transformation of scientific and technological achievements in universities in my country has become more complete, the enthusiasm of scientific researchers for transformation has been continuously enhanced, and the transformation efficiency has improved year by year.

 As an important indicator for measuring the effectiveness of scientific and technological innovation in universities, patent statistics and patent citation data provide data support in both quantity and quality respectively. CnOpenData university patent data includes two parts: patent statistics and patent citations. Patent statistics are divided into quantity statistics table and quality statistics table >, these two types of tables are divided based on patent applications and patent authorizations respectively. Furthermore, the patent quality statistical table is also subdivided into three modules according to patent types: invention, utility model, and design. Patent citations and cited information are reflected in this data in the Patent Details Table section, which is the same as the cited data of patent citations of listed companies, industrial enterprises, etc., divided into invention applications, invention authorizations, and utility models , appearance designFour modules, each module contains four tables: basic information table, reference table, referenced table, transaction table (appearance design has no reference table).

  As one of the CnOpenData patent series data, Chinese university patent statistics were the first to introduce the concept of patent quality statistics, and statistics of patent quality were carried out in the following three aspects:

  • Number of patents completed independently and collaboratively;
  • Patent technology complexity statistics based on 1-digit, 2-digit and 4-digit IPC classification numbers respectively;
  • The cumulative number of citations for each type of patent in each year from the year it was published to five years;

  In addition, this data is based on the national list of colleges and universities released by the Ministry of Education, covering 2,740 colleges and universities across the country, covering 31 provinces and more than 300 cities in total. The data is complete, the fields are rich, and the structure is complete. It is a powerful supplement to the CnOpenData patent series database.


Time interval

1985-2020.12.31


Data structure display

中国高校专利详情表发明申请专利基本信息表专利引用表专利被引用表事务表发明授权专利基本信息表专利引用表专利被引用表事务表实用新型专利基本信息表专利引用表专利被引用表事务表外观设计专利基本信息表专利被引用表事务表中国高校专利质量统计表专利申请质量统计发明/实用新型/外观设计专利授权质量统计发明/实用新型/外观设计中国高校专利数量统计表专利申请数量统计专利授权数量统计中国高校专利统计数据

Field display

Statistical table of the number of patents in Chinese universities

Statistical table of the number of patent applications filed by Chinese universities Statistical table of the number of patents granted by Chinese universities
School name School name
Application year Authorization year
Number of invention patent applications Number of invention patents granted
Number of independent invention patent applications Number of independent invention patents granted
Number of invention patent cooperation applications Number of collaborative invention patents granted
Number of invention patent applications granted in the year Number of utility model patents granted
Cumulative number of authorizations for invention patent applications in two years Number of independent utility model patents granted
Cumulative number of authorizations for invention patent applications in three years Number of utility model cooperation patents granted
Cumulative number of authorizations for invention patent applications over four years Number of design patents granted
Cumulative number of authorizations for invention patent applications in five years Number of independent design patents granted
Total number of authorized invention patent applications Number of design cooperation patents granted
Number of independent invention patent applications granted in the year
Cumulative number of independent invention patent applications granted in two years
Cumulative number of independent invention patent applications granted in three years
Cumulative number of independent invention patent applications granted over four years
Cumulative number of independent patent applications granted in five years
Total number of independent invention patent applications granted
Number of invention patent cooperation applications authorized in the year
Cumulative number of authorizations for invention patent cooperation applications in two years
Cumulative number of authorizations for invention patent cooperation applications in three years
Cumulative number of authorizations for invention patent cooperation applications over four years
Cumulative number of authorizations for invention patent cooperation applications in five years
Total authorized number of invention patent cooperation applications
Number of utility model patent applications
Number of independent applications for utility model patents
Number of utility model patent cooperation applications
Number of utility model patent applications granted in the year
Cumulative number of authorizations for utility model patent applications in two years
Cumulative number of authorizations for utility model patent applications in three years
Cumulative number of authorizations for utility model patent applications over four years
Cumulative number of authorizations for utility model patent applications in five years
Total number of authorized utility model patent applications
Number of independent utility model patent applications authorized in the year
Cumulative number of authorizations for independent utility model patent applications in two years
Cumulative number of independent patent applications for utility model patents granted in three years
Cumulative number of independent utility model patent applications granted over four years
Cumulative number of independent patent applications for utility model patents granted in five years
Total authorized number of independent utility model patent applications
Number of utility model patent cooperation applications authorized in the year
Cumulative number of authorizations for utility model patent cooperation applications in two years
Cumulative number of authorizations for utility model patent cooperation applications in three years
Cumulative number of authorizations for utility model patent cooperation applications in four years
Cumulative number of authorizations for utility model patent cooperation applications in five years
Total authorized number of utility model patent cooperation applications
Number of design patent applications
Number of independent design patent applications
Number of design patent cooperation applications
Number of design patent applications granted in the year
Cumulative number of design patent applications granted in two years
Cumulative number of design patent applications granted in three years
Cumulative number of design patent applications granted over four years
Cumulative number of design patent applications granted in five years
Total number of authorized design patent applications
Number of independent design patent applications granted in the year
Cumulative number of independent design patent applications granted in two years
Cumulative number of independent design patent applications granted in three years
Cumulative number of independent design patent applications granted over four years
Cumulative number of independent design patent applications granted in five years
Total number of independent design patent applications granted
Number of design patent cooperation applications authorized in the year
Cumulative number of authorizations for design patent cooperation applications in two years
Cumulative number of authorizations for design patent cooperation applications in three years
Cumulative number of authorizations for design patent cooperation applications over four years
Cumulative number of authorizations for design patent cooperation applications in five years
Total number of authorized design patent cooperation applications

Patent quality statistics table of Chinese universities

Statistics table on the quality of patent applications in Chinese universities Statistical Table of Patent Grant Quality in Chinese Universities
School name School name
Patent application year Patent grant year
Number of patent applications Number of patent authorizations
Number of independent patent applications Number of independent patent authorizations
Number of cooperative patent applications Number of cooperation patents granted
Technical complexity of patent applications - counting the total number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of authorized patents - counting the total number of types based on 1-digit IPC number
Technical complexity of patent applications - average number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of authorized patents - average number of types based on 1-digit IPC number
Technical complexity of patent applications - counting the total number of types based on 2-digit IPC numbers Technical complexity of authorized patents - total number of types based on 2-digit IPC number
Technical complexity of patent applications - average number of types based on 2-digit IPC number Technical complexity of authorized patents - average number of types based on 2-digit IPC number
Technical complexity of patent applications - counting the total number of types based on 4-digit IPC numbers Technical complexity of authorized patents - counting the total number of types based on 4-digit IPC numbers
Technical complexity of patent applications - average number of types based on 4-digit IPC number Technical complexity of authorized patents - average number of types based on 4-digit IPC number
Technical complexity of independent patent applications - counting the total number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of independently authorized patents - counting the total number of types based on 1-digit IPC number
Technical complexity of independent patent applications - average number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of independently authorized patents - average number of types based on 1-digit IPC number
Technical complexity of independent patent applications - counting the total number of types based on 2-digit IPC numbers Technical complexity of independently authorized patents - counting the total number of types based on 2-digit IPC numbers
Technical complexity of independent patent applications - average number of types based on 2-digit IPC number Technical complexity of independently authorized patents - average number of types based on 2-digit IPC number
Technical complexity of independent patent applications - counting the total number of types based on 4-digit IPC numbers Technical complexity of independently authorized patents - counting the total number of types based on 4-digit IPC numbers
Technical complexity of independent patent applications - average number of types based on 4-digit IPC number Technical complexity of independently authorized patents - average number of types based on 4-digit IPC number
Technical complexity of cooperative patent applications - counting the total number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of cooperatively authorized patents - counting the total number of types based on 1-digit IPC number
Technical complexity of cooperative patent applications - average number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of cooperatively licensed patents - average number of types based on 1-digit IPC number
Technical complexity of cooperative patent applications - counting the total number of types based on 2-digit IPC numbers Technical complexity of cooperatively authorized patents - counting the total number of types based on 2-digit IPC numbers
Technical complexity of cooperative patent applications - average number of types based on 2-digit IPC number Technical complexity of cooperatively licensed patents - average number of types based on 2-digit IPC number
Technical complexity of cooperative patent applications - counting the total number of types based on 4-digit IPC numbers Technical complexity of cooperatively authorized patents - counting the total number of types based on 4-digit IPC numbers
Technical complexity of cooperative patent applications - average number of types based on 4-digit IPC number Technical complexity of cooperatively licensed patents - average number of types based on 4-digit IPC number
Number of citations in patent disclosure year Number of citations in patent disclosure year
The cumulative number of citations in the two years since patent disclosure The cumulative number of citations in the two years since patent disclosure
The cumulative number of citations in the three years since patent disclosure The cumulative number of citations in the three years since patent disclosure
The cumulative number of citations in the past 4 years of patent disclosure The cumulative number of citations in the past 4 years of patent disclosure
The cumulative number of citations in the past five years after patent disclosure The cumulative number of citations in the past five years after patent disclosure
Number of patent citations as of December 2020 Number of patent citations as of December 2020
Number of independent patent applications cited in the year Disclose the number of citations of independently authorized patents in the year
The cumulative number of citations in independent patent applications in the past two years The cumulative number of citations in independently authorized patents published in 2 years
The cumulative number of citations in the three years of independent patent application disclosure The cumulative number of citations of independent authorized patents in the past three years
The cumulative number of citations in the four years of independent patent application disclosure The cumulative number of citations in independently authorized patents published over the past 4 years
The cumulative number of citations in the five years of independent patent application disclosure The cumulative number of citations of independently authorized patents in the past five years
Number of citations for independent patent applications as of December 2020 Number of citations for independently authorized patents as of December 2020
The number of citations in the joint patent application disclosed in the year Disclosure of the number of citations of cooperatively authorized patents in the year
The cumulative number of citations in the two years of jointly applied patent disclosures The cumulative number of citations in the two years of cooperatively authorized patent disclosure
The cumulative number of citations in the three years of jointly applied patent disclosures The cumulative number of citations of cooperatively authorized patents in the past three years
The cumulative number of citations in the 4 years of jointly applied patent disclosures The cumulative number of citations in the 4 years of cooperatively authorized patent disclosure
The cumulative number of citations in the five years of jointly applied patent disclosures The cumulative number of citations in the five years of cooperatively authorized patent disclosure
Number of citations for cooperative patent application deadline 2020.12 Number of citations for cooperatively authorized patents as of December 2020

China University Patent Details Table

Basic Information Table for Invention Published Patents of Chinese Universities China University Invention Published Patent Citation List Citation list of patents published by Chinese universities China University Invention Publication Patent Affairs Table Basic Information Table for Invention Patents Authorized by Chinese Universities Citation table of invention patents authorized by Chinese universities Citation list of invention patents authorized by Chinese universities China University Invention Authorization Patent Affairs Form Basic information table for utility model patents in Chinese universities Utility Model Patent Citation List of Chinese Universities Citation list of utility model patents in Chinese universities Utility Model Patent Affairs List of Chinese Universities Basic Information Table on Design Patents of Chinese Universities Citation table of design patents of Chinese universities China University Design Patent Affairs Table
学校名称 学校名称 学校名称 索引ID(申请公布号) 学校名称 学校名称 学校名称 索引ID(授权公告号) 学校名称 学校名称 学校名称 索引ID(授权公告号) 学校名称 学校名称 索引ID(授权公告号)
学校曾用名 学校曾用名 学校曾用名 学校名称 学校曾用名 学校曾用名 学校曾用名 学校名称 学校曾用名 学校曾用名 学校曾用名 学校名称 学校曾用名 学校曾用名 学校名称
学校标识码 学校标识码 学校标识码 申请(专利)号 学校标识码 学校标识码 学校标识码 申请(专利)号 学校标识码 学校标识码 学校标识码 申请(专利)号 学校标识码 学校标识码 申请(专利)号
主管部门 主管部门 主管部门 事务序号 主管部门 主管部门 主管部门 事务序号 主管部门 主管部门 主管部门 事务序号 主管部门 主管部门 事务序号
省份 省份 省份 事务数据公告日 省份 省份 省份 事务数据公告日 省份 省份 省份 事务数据公告日 省份 省份 事务数据公告日
城市 城市 城市 事务数据类型 城市 城市 城市 事务数据类型 城市 城市 城市 事务数据类型 城市 城市 事务数据类型
办学层次 办学层次 办学层次 内容 办学层次 办学层次 办学层次 内容 办学层次 办学层次 办学层次 内容 办学层次 办学层次 内容
办学性质 办学性质 办学性质 授权公告号 办学性质 办学性质 办学性质 授权公告号 办学性质 办学性质 办学性质 授权公告号 办学性质 办学性质 授权公告号
申请号 申请号 申请号 申请号 申请号 申请号 申请号 申请号 申请号 申请号 申请号
专利名称 专利名称 专利名称 专利名称 专利名称 专利名称 专利名称 专利名称 专利名称 专利名称 专利名称
分类号 分类号 分类号 分类号 分类号 分类号 分类号 分类号 分类号 分类号 分类号
优先权 优先权 优先权 PCT公布数据 PCT公布数据 PCT公布数据 优先权 优先权 优先权 优先权 优先权
代理人 代理人 代理人 申请日 申请日 申请日 代理人 代理人 代理人 代理人 代理人
PCT公布数据 PCT公布数据 PCT公布数据 生物保藏 生物保藏 生物保藏 PCT公布数据 PCT公布数据 PCT公布数据 申请日 申请日
申请公布日 申请公布日 申请公布日 分案原申请 分案原申请 分案原申请 PCT申请数据 PCT申请数据 PCT申请数据 设计人 设计人
PCT申请数据 PCT申请数据 PCT申请数据 专利代理机构 专利代理机构 专利代理机构 申请日 申请日 申请日 分案原申请 分案原申请
申请日 申请日 申请日 同一申请的已公布的文献号 同一申请的已公布的文献号 同一申请的已公布的文献号 分案原申请 分案原申请 分案原申请 授权公告日 授权公告日
生物保藏 生物保藏 生物保藏 地址 地址 地址 授权公告日 授权公告日 授权公告日 专利代理机构 专利代理机构
分案原申请 分案原申请 分案原申请 优先权 优先权 优先权 专利代理机构 专利代理机构 专利代理机构 专利权人 专利权人
专利代理机构 专利代理机构 专利代理机构 代理人 代理人 代理人 专利权人 专利权人 专利权人 地址 地址
申请公布号 申请公布号 申请公布号 申请公布日 申请公布日 申请公布日 PCT进入国家阶段日 PCT进入国家阶段日 PCT进入国家阶段日 授权公告号 授权公告号
PCT进入国家阶段日 PCT进入国家阶段日 PCT进入国家阶段日 PCT申请数据 PCT申请数据 PCT申请数据 发明人 发明人 发明人 简要说明 简要说明
发明人 发明人 发明人 授权公告日 授权公告日 授权公告日 地址 地址 地址 专利ID 专利ID
地址 地址 地址 专利权人 专利权人 专利权人 本国优先权 本国优先权 本国优先权 专利优先权日 引用专利公开日期
本国优先权 本国优先权 本国优先权 PCT进入国家阶段日 PCT进入国家阶段日 PCT进入国家阶段日 授权公告号 授权公告号 授权公告号 专利公布日期 引用专利申请公布号
申请人 申请人 申请人 发明人 发明人 发明人 简要说明 简要说明 简要说明 专利发明人 引用专利所有权人
简要说明 简要说明 简要说明 对比文件 对比文件 对比文件 专利ID 专利ID 专利ID 专利名称 引用专利名称
专利ID 专利ID 专利ID 本国优先权 本国优先权 本国优先权 专利优先权日 被引用专利公开日期 引用专利公开日期 专利授权公布号 引用专利优先权日
专利优先权日 被引用专利公开日期 引用专利公开日期 授权公告号 授权公告号 授权公告号 专利公布日期 被引用专利申请公布号 引用专利申请公布号 专利授权日期 是否Family to Family引用
专利公布日期 被引用专利申请公布号 引用专利申请公布号 简要说明 简要说明 简要说明 专利发明人 被引用专利所有权人 引用专利所有权人 专利权利要求数
专利发明人 被引用专利所有权人 引用专利所有权人 专利ID 专利ID 专利ID 专利名称 被引用专利名称 引用专利名称 专利申请人
专利名称 被引用专利名称 引用专利名称 专利优先权日 被引用专利公开日期 引用专利公开日期 专利授权公布号 被引用专利优先权日 引用专利优先权日 专利申请公布号
专利授权公布号 被引用专利优先权日 引用专利优先权日 专利公布日期 被引用专利申请公布号 引用专利申请公布号 专利授权日期 是否Family to Family引用 是否Family to Family引用 专利申请号
专利授权日期 是否Family to Family引用 是否Family to Family引用 专利发明人 被引用专利所有权人 引用专利所有权人 专利权利要求数 专利申请日期
专利权利要求数 专利名称 被引用专利名称 引用专利名称 专利申请人 专利被引用次数
专利申请人 专利授权公布号 被引用专利优先权日 引用专利优先权日 专利申请公布号 引用其他专利次数
专利申请公布号 专利授权日期 是否Family to Family引用 是否Family to Family引用 专利申请号 法律状态
专利申请号 专利权利要求数 专利申请日期
专利申请日期 专利申请人 专利被引用次数
专利被引用次数 专利申请公布号 引用其他专利次数
引用其他专利次数 专利申请号 法律状态
法律状态 专利申请日期
专利被引用次数
引用其他专利次数
法律状态

Sample data

Due to the large number of tables, this page only displays the patent application module (quantity and quality statistics table)/invention published patent (details table). For other sections, please see the branch pages of each module on the left for details.

Statistical table of the number of patent applications in Chinese universities

School name Application year Number of invention patent applications Number of independent invention patent applications Number of cooperative applications for invention patents Number of invention patent applications granted in the year Cumulative number of authorizations for invention patent applications in two years Cumulative number of authorizations for invention patent applications in three years Cumulative number of authorizations for invention patent applications over four years Cumulative number of authorizations for invention patent applications in five years Total number of authorized invention patent applications Number of independent invention patent applications granted in the year Cumulative number of independent invention patent applications granted in two years Cumulative number of independent invention patent applications granted in three years Cumulative number of independent invention patent applications granted over four years Cumulative number of independent patent applications granted in five years Total number of independent patent applications granted for inventions Number of invention patent cooperation applications authorized in the year Cumulative number of authorizations for invention patent cooperation applications in two years Cumulative number of authorizations for invention patent cooperation applications in three years Cumulative number of authorizations for invention patent cooperation applications over four years Cumulative number of authorizations for invention patent cooperation applications in five years Total number of authorized cooperation applications for invention patents Number of utility model patent applications Number of independent applications for utility model patents Number of utility model patent cooperation applications Number of utility model patent applications granted in the year Cumulative number of authorizations for utility model patent applications in two years Cumulative number of authorizations for utility model patent applications in three years Cumulative number of authorizations for utility model patent applications over four years Cumulative number of authorizations for utility model patent applications in five years Total number of authorized utility model patent applications Number of independent utility model patent applications granted in the year Cumulative number of independent utility model patent applications granted in two years Cumulative number of independent utility model patent applications granted in three years Cumulative number of independent utility model patent applications granted in four years Cumulative number of independent utility model patent applications granted in five years Total authorized number of independent utility model patent applications Number of utility model patent cooperation applications authorized in the year Cumulative number of authorizations for utility model patent cooperation applications in two years Cumulative number of authorizations for utility model patent cooperation applications in three years Cumulative number of authorizations for utility model patent cooperation applications in four years Cumulative number of authorizations for utility model patent cooperation applications in five years Total authorized number of utility model patent cooperation applications Number of design patent applications Number of independent design patent applications Number of design patent cooperation applications Number of design patent applications granted in the year Cumulative number of design patent applications granted in two years Cumulative number of design patent applications granted in three years Cumulative number of design patent applications granted over four years Cumulative number of design patent applications granted in five years Total number of authorized design patent applications Number of independent design patent applications granted in the year Cumulative number of independent design patent applications granted in two years Cumulative number of independent design patent applications granted in three years Cumulative number of independent design patent applications granted over four years Cumulative number of independent design patent applications granted in five years Total number of independent design patent applications granted Number of design patent cooperation applications authorized in the year Cumulative number of authorizations for design patent cooperation applications in two years Cumulative number of authorizations for design patent cooperation applications in three years Cumulative number of authorizations for design patent cooperation applications over four years Cumulative number of authorizations for design patent cooperation applications in five years Total number of authorized design patent cooperation applications
三峡大学 2005 7 2 5 0 0 0 1 3 4 0 0 0 1 2 2 0 0 0 0 1 2 3 1 2 0 3 3 3 3 3 0 1 1 1 1 1 0 2 2 2 2 2 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1
三峡大学 2014 283 254 29 0 24 119 155 166 166 0 20 106 136 144 144 0 4 13 19 22 22 338 312 26 212 338 338 338 338 338 197 312 312 312 312 312 15 26 26 26 26 26 10 10 0 1 10 10 10 10 10 1 10 10 10 10 10 0 0 0 0 0 0
三峡大学 2015 416 354 62 0 32 186 262 277 278 0 26 159 226 240 241 0 6 27 36 37 37 786 742 44 575 786 786 786 786 786 556 742 742 742 742 742 19 44 44 44 44 44 89 89 0 87 89 89 89 89 89 87 89 89 89 89 89 0 0 0 0 0 0
三峡大学 2016 468 437 31 0 64 197 296 306 306 0 59 185 279 287 287 0 5 12 17 19 19 1072 1046 26 523 1068 1072 1072 1072 1072 500 1042 1046 1046 1046 1046 23 26 26 26 26 26 3 3 0 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 0 0 0 0 0 0
三峡大学 2017 521 496 25 1 29 145 236 236 236 1 28 140 228 228 228 0 1 5 8 8 8 1248 1231 17 457 1212 1248 1248 1248 1248 450 1195 1231 1231 1231 1231 7 17 17 17 17 17 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
三峡大学 2018 621 600 21 0 28 146 146 146 146 0 28 143 143 143 143 0 0 3 3 3 3 739 733 6 381 733 739 739 739 739 379 727 733 733 733 733 2 6 6 6 6 6 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
三峡大学 2019 815 782 33 8 87 87 87 87 87 8 84 84 84 84 84 0 3 3 3 3 3 429 408 21 183 429 429 429 429 429 181 408 408 408 408 408 2 21 21 21 21 21 3 1 2 0 3 3 3 3 3 0 1 1 1 1 1 0 2 2 2 2 2
三明学院 2011 5 5 0 0 2 3 3 3 3 0 2 3 3 3 3 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 2 2 0 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 0 0 0 0 0 0
三明学院 2014 16 14 2 0 0 6 9 9 9 0 0 5 8 8 8 0 0 1 1 1 1 36 30 6 2 36 36 36 36 36 1 30 30 30 30 30 1 6 6 6 6 6 80 79 1 0 80 80 80 80 80 0 79 79 79 79 79 0 1 1 1 1 1
三明学院 2015 34 32 2 0 2 16 20 20 20 0 2 15 19 19 19 0 0 1 1 1 1 125 120 5 104 125 125 125 125 125 101 120 120 120 120 120 3 5 5 5 5 5 30 30 0 27 30 30 30 30 30 27 30 30 30 30 30 0 0 0 0 0 0
三明学院 2016 35 35 0 0 3 10 15 15 15 0 3 10 15 15 15 0 0 0 0 0 0 86 85 1 40 84 86 86 86 86 40 83 85 85 85 85 0 1 1 1 1 1 88 88 0 74 87 88 88 88 88 74 87 88 88 88 88 0 0 0 0 0 0
三明学院 2018 75 70 5 0 5 14 14 14 14 0 2 11 11 11 11 0 3 3 3 3 3 67 59 8 26 66 67 67 67 67 26 58 59 59 59 59 0 8 8 8 8 8 20 20 0 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 0 0 0 0 0 0
三明学院 2019 86 82 4 0 6 6 6 6 6 0 4 4 4 4 4 0 2 2 2 2 2 108 101 7 4 108 108 108 108 108 4 101 101 101 101 101 0 7 7 7 7 7 20 20 0 10 20 20 20 20 20 10 20 20 20 20 20 0 0 0 0 0 0
三江学院 2009 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 5 4 1 0 4 5 5 5 5 0 4 4 4 4 4 0 0 1 1 1 1 2 2 0 0 2 2 2 2 2 0 2 2 2 2 2 0 0 0 0 0 0
三江学院 2011 13 13 0 0 0 1 2 3 3 0 0 1 2 3 3 0 0 0 0 0 0 29 29 0 12 29 29 29 29 29 12 29 29 29 29 29 0 0 0 0 0 0 20 20 0 10 20 20 20 20 20 10 20 20 20 20 20 0 0 0 0 0 0
三江学院 2015 2 2 0 0 0 0 2 2 2 0 0 0 2 2 2 0 0 0 0 0 0 16 16 0 4 16 16 16 16 16 4 16 16 16 16 16 0 0 0 0 0 0 22 22 0 0 22 22 22 22 22 0 22 22 22 22 22 0 0 0 0 0 0
三江学院 2019 12 12 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 10 8 2 4 10 10 10 10 10 2 8 8 8 8 8 2 2 2 2 2 2 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
上海中医药大学 2012 44 42 2 0 5 14 25 27 27 0 5 14 24 26 26 0 0 0 1 1 1 10 10 0 4 10 10 10 10 10 4 10 10 10 10 10 0 0 0 0 0 0 2 2 0 0 2 2 2 2 2 0 2 2 2 2 2 0 0 0 0 0 0
上海中医药大学 2013 59 40 19 0 3 19 32 41 45 0 3 13 19 25 28 0 0 6 13 16 17 4 4 0 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
上海中医药大学 2014 86 76 10 0 2 13 30 42 55 0 2 10 25 37 48 0 0 3 5 5 7 13 11 2 9 13 13 13 13 13 7 11 11 11 11 11 2 2 2 2 2 2 4 4 0 3 4 4 4 4 4 3 4 4 4 4 4 0 0 0 0 0 0
上海中医药大学 2015 62 59 3 0 2 13 20 26 31 0 2 11 18 24 29 0 0 2 2 2 2 20 18 2 9 20 20 20 20 20 9 18 18 18 18 18 0 2 2 2 2 2 3 3 0 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 0 0 0 0 0 0
上海中医药大学 2016 39 37 2 0 4 7 16 19 19 0 4 7 16 19 19 0 0 0 0 0 0 11 10 1 5 10 11 11 11 11 5 9 10 10 10 10 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
上海中医药大学 2017 44 41 3 0 0 6 16 16 16 0 0 6 15 15 15 0 0 0 1 1 1 18 17 1 2 12 18 18 18 18 2 11 17 17 17 17 0 1 1 1 1 1 8 8 0 2 8 8 8 8 8 2 8 8 8 8 8 0 0 0 0 0 0
上海中医药大学 2018 54 52 2 0 0 6 6 6 6 0 0 6 6 6 6 0 0 0 0 0 0 6 6 0 0 6 6 6 6 6 0 6 6 6 6 6 0 0 0 0 0 0 6 6 0 0 6 6 6 6 6 0 6 6 6 6 6 0 0 0 0 0 0
上海交通大学 1999 45 44 1 0 0 1 16 35 40 0 0 1 16 35 40 0 0 0 0 0 0 38 32 6 0 38 38 38 38 38 0 32 32 32 32 32 0 6 6 6 6 6 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
上海交通大学 2004 826 775 51 0 20 364 566 617 647 0 20 344 527 570 596 0 0 20 39 47 51 44 39 5 0 35 44 44 44 44 0 30 39 39 39 39 0 5 5 5 5 5 2 2 0 0 1 2 2 2 2 0 1 2 2 2 2 0 0 0 0 0 0
上海交通大学 2005 1028 958 70 0 33 415 616 702 714 0 30 400 588 660 667 0 3 15 28 42 47 36 25 11 0 27 36 36 36 36 0 19 25 25 25 25 0 8 11 11 11 11 4 2 2 0 3 4 4 4 4 0 1 2 2 2 2 0 2 2 2 2 2
上海交通大学 2006 826 748 78 0 33 295 499 551 563 0 31 284 467 503 511 0 2 11 32 48 52 33 25 8 0 31 33 33 33 33 0 23 25 25 25 25 0 8 8 8 8 8 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1
上海交通大学 2007 864 804 60 0 26 406 545 582 592 0 26 388 516 546 550 0 0 18 29 36 42 37 31 6 1 36 37 37 37 37 1 31 31 31 31 31 0 5 6 6 6 6 2 2 0 0 1 2 2 2 2 0 1 2 2 2 2 0 0 0 0 0 0
上海交通大学 2008 1093 1011 82 0 61 459 640 714 723 0 60 441 597 657 662 0 1 18 43 57 61 49 38 11 8 49 49 49 49 49 8 38 38 38 38 38 0 11 11 11 11 11 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
上海交通大学 2009 1022 907 115 0 138 457 641 688 698 0 131 426 580 615 618 0 7 31 61 73 80 68 46 22 10 66 68 68 68 68 9 44 46 46 46 46 1 22 22 22 22 22 2 1 1 0 1 2 2 2 2 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1
上海交通大学 2012 1551 1330 221 0 80 551 937 1035 1052 0 69 482 829 898 907 0 11 69 108 137 145 117 92 25 23 117 117 117 117 117 16 92 92 92 92 92 7 25 25 25 25 25 2 2 0 0 2 2 2 2 2 0 2 2 2 2 2 0 0 0 0 0 0
上海交通大学 2013 1760 1572 188 0 73 714 1239 1326 1350 0 61 648 1119 1190 1203 0 12 66 120 136 147 90 63 27 33 90 90 90 90 90 27 63 63 63 63 63 6 27 27 27 27 27 3 3 0 1 3 3 3 3 3 1 3 3 3 3 3 0 0 0 0 0 0
上海交通大学 2014 1732 1523 209 0 91 642 1093 1192 1218 0 83 577 984 1063 1079 0 8 65 109 129 139 105 70 35 48 105 105 105 105 105 35 70 70 70 70 70 13 35 35 35 35 35 2 2 0 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 0 0 0 0 0 0
上海交通大学 2015 1910 1601 309 0 79 627 1096 1234 1256 0 68 532 941 1046 1063 0 11 95 155 188 193 144 89 55 72 144 144 144 144 144 44 89 89 89 89 89 28 55 55 55 55 55 5 5 0 4 5 5 5 5 5 4 5 5 5 5 5 0 0 0 0 0 0
上海交通大学 2017 1655 1306 349 0 33 377 761 761 761 0 24 319 631 631 631 0 9 58 130 130 130 138 76 62 41 129 138 138 138 138 32 70 76 76 76 76 9 59 62 62 62 62 5 0 5 0 5 5 5 5 5 0 0 0 0 0 0 0 5 5 5 5 5
上海交通大学 2018 1972 1578 394 0 106 599 599 599 599 0 87 504 504 504 504 0 19 95 95 95 95 167 106 61 49 165 167 167 167 167 27 104 106 106 106 106 22 61 61 61 61 61 6 6 0 4 6 6 6 6 6 4 6 6 6 6 6 0 0 0 0 0 0
上海交通大学 2019 2264 1761 503 11 322 322 322 322 322 8 274 274 274 274 274 3 48 48 48 48 48 216 139 77 49 216 216 216 216 216 39 139 139 139 139 139 10 77 77 77 77 77 17 13 4 5 17 17 17 17 17 5 13 13 13 13 13 0 4 4 4 4 4
上海体育学院 2012 5 5 0 0 0 2 2 2 2 0 0 2 2 2 2 0 0 0 0 0 0 12 12 0 8 12 12 12 12 12 8 12 12 12 12 12 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0
上海体育学院 2014 15 15 0 0 1 1 1 2 2 0 1 1 1 2 2 0 0 0 0 0 0 12 12 0 10 12 12 12 12 12 10 12 12 12 12 12 0 0 0 0 0 0 2 2 0 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 0 0 0 0 0 0
上海健康医学院 2019 67 57 10 0 4 4 4 4 4 0 4 4 4 4 4 0 0 0 0 0 0 22 20 2 3 22 22 22 22 22 2 20 20 20 20 20 1 2 2 2 2 2 6 6 0 4 6 6 6 6 6 4 6 6 6 6 6 0 0 0 0 0 0
上海出版印刷高等专科学校 2013 9 0 9 0 0 2 5 5 5 0 0 0 0 0 0 0 0 2 5 5 5 3 0 3 0 3 3 3 3 3 0 0 0 0 0 0 0 3 3 3 3 3 6 1 5 2 4 6 6 6 6 1 1 1 1 1 1 1 3 5 5 5 5
上海出版印刷高等专科学校 2014 4 3 1 0 1 2 5 5 5 0 1 1 1 1 1 0 0 1 4 4 4 3 1 2 2 3 3 3 3 3 1 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 19 4 15 16 19 19 19 19 19 1 4 4 4 4 4 15 15 15 15 15 15
上海出版印刷高等专科学校 2015 6 5 1 0 0 1 2 2 2 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 7 7 0 6 7 7 7 7 7 6 7 7 7 7 7 0 0 0 0 0 0
上海出版印刷高等专科学校 2016 8 7 1 0 1 2 2 2 2 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 6 6 0 1 6 6 6 6 6 1 6 6 6 6 6 0 0 0 0 0 0 30 30 0 24 30 30 30 30 30 24 30 30 30 30 30 0 0 0 0 0 0
上海出版印刷高等专科学校 2017 8 7 1 0 1 2 5 5 5 0 1 1 4 4 4 0 0 1 1 1 1 6 6 0 3 6 6 6 6 6 3 6 6 6 6 6 0 0 0 0 0 0 13 13 0 8 13 13 13 13 13 8 13 13 13 13 13 0 0 0 0 0 0
上海出版印刷高等专科学校 2018 15 11 4 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 7 7 0 1 7 7 7 7 7 1 7 7 7 7 7 0 0 0 0 0 0 25 25 0 16 25 25 25 25 25 16 25 25 25 25 25 0 0 0 0 0 0

Quality statistical table of patent applications in Chinese universities - invention patents

School name Patent application year Number of patent applications Number of independent patent applications Number of cooperative patent applications Technical complexity of patent applications - counting the total number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of patent applications - average number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of patent applications - counting the total number of types based on 2-digit IPC numbers Technical complexity of patent applications - average number of types based on 2-digit IPC number Technical complexity of patent applications - counting the total number of types based on 4-digit IPC numbers Technical complexity of patent applications - average number of types based on 4-digit IPC number Technical complexity of independent patent applications - counting the total number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of independent patent applications - average number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of independent patent applications - counting the total number of types based on 2-digit IPC numbers Technical complexity of independent patent applications - average number of types based on 2-digit IPC number Technical complexity of independent patent applications - counting the total number of types based on 4-digit IPC numbers Technical complexity of independent patent applications - average number of types based on 4-digit IPC number Technical complexity of cooperative patent applications - counting the total number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of cooperative patent applications - average number of types based on 1-digit IPC number Technical complexity of cooperative patent applications - counting the total number of types based on 2-digit IPC numbers Technical complexity of cooperative patent applications - average number of types based on 2-digit IPC number Technical complexity of cooperative patent applications - counting the total number of types based on 4-digit IPC numbers Technical complexity of cooperative patent applications - average number of types based on 4-digit IPC number Number of citations in the year the patent was published The cumulative number of citations in the two years since patent disclosure The cumulative number of citations in the three years since patent disclosure Cumulative number of citations over the past 4 years of patent disclosure The cumulative number of citations in the five years since patent disclosure Number of patent citations as of December 2020 The number of citations of independent patent applications in the year The cumulative number of citations in independent patent applications in the past two years The cumulative number of citations in the three years of independent patent application disclosure The cumulative number of citations in the four years since independent patent application was published The cumulative number of citations in the five years since independent patent application disclosures Number of citations for independent patent applications as of December 2020 The number of citations in the joint patent application disclosed in the year The cumulative number of citations in the two years of jointly applied patent disclosures The cumulative number of citations in the three years of jointly applied patent disclosures The cumulative number of citations in the 4 years of jointly applied patent disclosures The cumulative number of citations in the five years of jointly applied patent disclosures Number of citations for cooperative patent applications as of December 2020
龙岩学院 2016 43 37 6 7 1.23 15 1.26 49 1.63 7 1.22 14 1.24 45 1.59 3 1.33 5 1.33 10 1.83 25 44 53 57 57 57 24 42 51 55 55 55 1 2 2 2 2 2
齐齐哈尔大学 2017 110 100 10 8 1.35 18 1.35 73 1.71 8 1.37 17 1.38 69 1.71 3 1.1 4 1.1 10 1.7 9 26 26 26 26 26 7 23 23 23 23 23 2 3 3 3 3 3
齐齐哈尔大学 2012 27 24 3 7 1.3 13 1.44 29 1.59 6 1.21 12 1.33 25 1.5 3 2 4 2.33 6 2.33 0 16 25 32 45 54 0 15 23 29 39 44 0 1 2 3 6 10
齐鲁工业大学 2018 401 352 49 8 1.23 23 1.28 141 1.75 8 1.24 23 1.3 131 1.73 7 1.14 12 1.18 40 1.86 12 23 23 23 23 23 11 21 21 21 21 21 1 2 2 2 2 2
齐鲁工业大学 2017 399 378 21 8 1.27 20 1.32 148 1.82 8 1.28 19 1.33 139 1.84 7 1.1 11 1.14 22 1.43 43 104 110 110 110 110 42 98 103 103 103 103 1 6 7 7 7 7
齐鲁工业大学 2016 328 312 16 8 1.28 19 1.32 112 1.84 8 1.29 19 1.33 112 1.84 3 1 4 1.06 12 1.88 75 259 314 317 317 317 73 252 307 310 310 310 2 7 7 7 7 7
齐鲁工业大学 2015 294 282 12 8 1.33 17 1.36 110 1.94 8 1.34 17 1.38 108 1.94 3 1.08 4 1.08 10 1.83 83 297 440 467 469 469 82 288 423 450 452 452 1 9 17 17 17 17
齐鲁工业大学 2014 229 223 6 8 1.25 18 1.3 98 1.74 8 1.25 18 1.3 97 1.74 3 1.17 4 1.17 8 1.67 37 225 372 489 517 518 36 213 353 466 494 495 1 12 19 23 23 23
齐鲁工业大学 2013 153 150 3 6 1.14 16 1.22 67 1.61 6 1.14 16 1.21 66 1.61 2 1 3 1.33 5 1.67 34 121 198 274 326 354 34 113 186 261 312 340 0 8 12 13 14 14
齐鲁工业大学 2012 124 120 4 8 1.23 15 1.26 76 1.84 8 1.23 15 1.26 74 1.86 3 1.25 4 1.25 4 1.25 11 72 140 202 278 344 11 71 136 197 266 329 0 1 4 5 12 15
齐鲁工业大学 2010 53 45 8 5 1.13 10 1.17 32 1.62 5 1.13 9 1.18 28 1.69 3 1.12 5 1.12 9 1.25 5 35 68 108 140 218 3 33 56 90 120 190 2 2 12 18 20 28
齐鲁工业大学 2009 32 29 3 5 1.16 8 1.19 32 1.44 5 1.17 8 1.21 29 1.48 3 1 3 1 3 1 0 5 7 12 20 47 0 5 7 11 19 44 0 0 0 1 1 3
黑龙江科技大学 2017 62 59 3 7 1.32 17 1.32 51 1.69 7 1.32 16 1.32 49 1.71 3 1.33 3 1.33 3 1.33 4 15 16 16 16 16 4 13 14 14 14 14 0 2 2 2 2 2
黑龙江科技大学 2016 69 66 3 6 1.13 12 1.13 50 1.52 6 1.14 12 1.14 48 1.55 2 1 2 1 3 1 11 51 62 65 65 65 9 48 58 59 59 59 2 3 4 6 6 6
黑龙江科技大学 2014 38 35 3 7 1.34 15 1.39 40 1.76 7 1.34 15 1.4 39 1.77 2 1.33 2 1.33 5 1.67 1 16 42 58 65 65 1 16 36 51 57 57 0 0 6 7 8 8
黑龙江科技大学 2010 16 13 3 6 1.12 8 1.12 19 1.31 6 1.15 8 1.15 16 1.38 2 1 2 1 3 1 3 10 19 34 49 73 3 10 17 32 46 69 0 0 2 2 3 4
黑龙江生物科技职业学院 2015 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 0 2 2 2 2 2 0 0 0 0 0 0 0 2 2 2 2 2
黑龙江工程学院 2009 3 1 2 2 1.33 2 1.33 6 2 1 1 1 1 2 2 2 1.5 2 1.5 4 2 0 0 1 2 2 10 0 0 0 1 1 2 0 0 1 1 1 8
黑龙江工业学院 2017 50 47 3 7 1.24 12 1.24 42 1.54 7 1.23 12 1.23 40 1.51 3 1.33 3 1.33 5 2 7 15 15 15 15 15 7 13 13 13 13 13 0 2 2 2 2 2
黑龙江工业学院 2016 9 7 2 6 1.11 6 1.11 9 1.22 5 1.14 5 1.14 7 1.29 2 1 2 1 2 1 6 7 8 8 8 8 0 1 1 1 1 1 6 6 7 7 7 7
黑龙江大学 2011 115 113 2 6 1.23 14 1.29 51 1.92 6 1.24 14 1.29 50 1.94 2 1 2 1 2 1 8 88 145 203 260 337 8 88 145 201 257 334 0 0 0 2 3 3
黑龙江大学 2010 77 74 3 6 1.21 14 1.23 46 1.7 6 1.22 14 1.24 45 1.7 2 1 2 1 4 1.67 5 35 81 124 154 253 5 34 80 122 149 237 0 1 1 2 5 16
黑龙江大学 2009 52 49 3 6 1.25 11 1.27 38 1.71 6 1.24 11 1.27 37 1.71 3 1.33 3 1.33 5 1.67 0 9 24 40 62 128 0 5 17 33 52 114 0 4 7 7 10 14
黑龙江八一农垦大学 2017 60 55 5 7 1.35 11 1.4 34 1.92 7 1.35 11 1.4 34 1.84 2 1.4 2 1.4 7 2.8 1 4 5 5 5 5 0 2 3 3 3 3 1 2 2 2 2 2
黑龙江八一农垦大学 2014 83 79 4 6 1.12 10 1.2 41 1.54 6 1.1 10 1.16 41 1.52 2 1.5 4 2 4 2 7 71 105 127 130 130 7 67 100 122 125 125 0 4 5 5 5 5
黑龙江八一农垦大学 2012 35 29 6 4 1.14 8 1.17 27 1.54 4 1.14 8 1.17 24 1.52 2 1.17 5 1.17 8 1.67 2 10 28 39 53 60 1 8 18 27 40 47 1 2 10 12 13 13
黑龙江八一农垦大学 2011 28 24 4 5 1.29 9 1.43 29 1.86 5 1.29 8 1.46 23 1.83 2 1.25 4 1.25 8 2 2 14 24 37 58 77 2 10 18 29 46 62 0 4 6 8 12 15
黑龙江八一农垦大学 2009 10 7 3 3 1.4 6 1.5 12 1.8 2 1.14 4 1.14 7 1.29 3 2 5 2.33 8 3 0 2 5 7 14 32 0 2 3 5 9 20 0 0 2 2 5 12
黑龙江中医药大学 2015 40 31 9 5 1.18 6 1.18 13 1.82 5 1.16 5 1.16 10 1.94 2 1.22 3 1.22 7 1.44 10 20 25 26 26 26 10 15 19 20 20 20 0 5 6 6 6 6
黎明职业大学 2016 30 27 3 5 1.1 6 1.13 17 1.53 5 1.07 6 1.11 17 1.52 2 1.33 2 1.33 4 1.67 1 12 13 13 13 13 1 10 11 11 11 11 0 2 2 2 2 2
黄淮学院 2017 33 27 6 7 1.27 11 1.27 38 1.85 7 1.15 10 1.15 31 1.78 5 1.83 6 1.83 12 2.17 1 9 9 9 9 9 1 6 6 6 6 6 0 3 3 3 3 3
黄淮学院 2013 6 4 2 4 1.17 4 1.17 8 2 2 1 2 1 3 1.75 2 1.5 2 1.5 5 2.5 0 2 3 7 7 7 0 2 3 5 5 5 0 0 0 2 2 2
黄河科技学院 2014 69 67 2 7 1.16 16 1.17 58 1.42 7 1.16 16 1.18 57 1.43 2 1 2 1 2 1 23 73 124 147 169 173 22 71 122 144 166 169 1 2 2 3 3 4
黄河水利职业技术学院 2016 9 7 2 5 1 6 1 9 1.11 4 1 5 1 6 1 2 1 2 1 3 1.5 4 14 16 16 16 16 3 5 6 6 6 6 1 9 10 10 10 10
黄山学院 2011 8 7 1 4 1.12 5 1.12 7 1.12 4 1 4 1 5 1 2 2 2 2 2 2 0 9 13 13 20 33 0 9 10 10 15 27 0 0 3 3 5 6
黄冈师范学院 2016 38 21 17 5 1.24 11 1.34 31 2.05 5 1.24 10 1.24 19 1.86 4 1.24 5 1.47 15 2.29 1 11 16 16 16 16 1 8 10 10 10 10 0 3 6 6 6 6
黄冈师范学院 2015 24 20 4 5 1.12 10 1.25 22 1.46 5 1.15 9 1.25 17 1.45 2 1 3 1.25 5 1.5 6 22 31 34 34 34 1 7 14 17 17 17 5 15 17 17 17 17
黄冈师范学院 2011 6 6 2 1.5 2 1.5 6 1.83 2 1.5 2 1.5 6 1.83 0 1 4 5 6 9 0 0 0 0 0 0 0 1 4 5 6 9
鲁东大学 2016 108 105 3 8 1.21 21 1.27 75 1.75 8 1.21 21 1.27 75 1.75 3 1.33 3 1.33 5 1.67 24 73 94 95 95 95 24 70 90 91 91 91 0 3 4 4 4 4
鲁东大学 2015 99 91 8 7 1.17 14 1.22 61 1.65 6 1.16 13 1.22 55 1.63 5 1.25 5 1.25 13 1.88 25 112 181 198 200 200 24 105 172 187 189 189 1 7 9 11 11 11
鲁东大学 2014 49 48 1 7 1.27 14 1.29 48 1.69 6 1.25 13 1.27 47 1.67 2 2 2 2 3 3 2 40 73 97 108 109 2 39 71 94 104 105 0 1 2 3 4 4
鲁东大学 2012 43 41 2 8 1.19 14 1.19 43 1.42 7 1.2 13 1.2 41 1.41 2 1 2 1 3 1.5 16 55 99 147 170 193 16 55 96 141 164 182 0 0 3 6 6 11
首都经济贸易大学 2014 2 2 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 0 3 5 5 5 5 0 0 0 0 0 0 0 3 5 5 5 5
首都师范大学 2017 102 91 11 6 1.22 13 1.27 45 1.47 6 1.21 12 1.26 39 1.44 4 1.27 5 1.36 14 1.73 8 33 36 36 36 36 6 27 29 29 29 29 2 6 7 7 7 7
首都师范大学 2016 143 114 29 7 1.23 14 1.27 71 1.52 7 1.23 14 1.28 64 1.54 5 1.24 6 1.24 18 1.41 32 115 156 160 160 160 20 87 117 119 119 119 12 28 39 41 41 41
首都师范大学 2014 54 37 17 5 1.2 10 1.28 31 1.44 5 1.24 10 1.32 27 1.54 4 1.12 5 1.18 10 1.24 19 55 90 136 143 143 7 26 50 74 79 79 12 29 40 62 64 64
首都师范大学 2013 37 31 6 5 1.24 8 1.27 33 1.68 5 1.26 7 1.26 26 1.74 3 1.17 4 1.33 7 1.33 10 35 83 107 131 145 9 31 70 87 106 115 1 4 13 20 25 30
首都师范大学 2012 35 28 7 5 1.31 8 1.34 27 1.71 5 1.32 8 1.36 24 1.71 3 1.29 4 1.29 8 1.71 1 24 39 61 85 111 1 16 29 45 65 88 0 8 10 16 20 23
首都师范大学 2011 43 37 6 5 1.3 9 1.37 28 1.6 5 1.32 9 1.41 24 1.59 2 1.17 2 1.17 7 1.67 10 35 66 98 119 175 7 23 41 64 83 119 3 12 25 34 36 56
首都师范大学 2009 19 17 2 6 1.11 7 1.11 16 1.42 5 1.12 6 1.12 14 1.41 2 1 2 1 3 1.5 0 5 8 13 18 43 0 3 5 8 11 28 0 2 3 5 7 15

China University Invention Published Patent Details Table-Basic Information Table

School name Old name of the school School identification code Competent authorities Province City School level Nature of the school Application number Patent name Classification number Priority Agent PCT released data Application announcement date PCT application data Application date Biological Preservation Original application for divisional case Patent agency Application for Publication Number PCT National Phase Entry Day Inventor Address Home country priority Applicant Brief description Patent ID Patent priority date Patent publication date Patent inventor Patent name Patent authorization publication number Patent grant date Number of patent claims Patent Applicant Patent application publication number Patent application number Patent application date Number of patent citations Number of citations to other patents Legal Status
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101631008 [发明公布] 一种减小阻变存储器阻值离散性的方法 H01L45/00(2006.01)I; G11C11/56(2006.01)I 王莹 2010.09.29 2010.04.29 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN101847688A 康晋锋;  高滨; 陈冰; 陈沅沙; 刘力锋; 刘晓彦; 韩汝琦 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法,该方法包括:S1、在Forming过程中施加一个电流脉冲,使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态;S2、在SET过程中施加一个电流脉冲,使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低阻态;S3、在RESET过程中施加一个反向电压脉冲,使阻变存储器的阻变材料从低阻态转为高阻态。本发明提出的电流电压控制方法可以显著的减小器件阻值的离散性,并同时可以提高低阻态的阻值,从而减小器件的工作电流,降低功耗。 CN101847688A 2010/4/29 2010/9/29 刘力锋,刘晓彦,康晋锋,陈冰,陈沅沙,韩汝琦,高滨 一种减小阻变存储器阻值离散性的方法 CN101847688B 2012/7/4 7 北京大学 CN 201010163100 CN101847688A 2010/4/29 3 6 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102781055 [发明公布] 电解锌漂洗废水的电沉积-膜分离组合处理装置 C02F9/06(2006.01)I; C02F1/463(2006.01)N; C02F1/44(2006.01)N 曹正凤 2010.12.22 2010.09.10 北京金阙华进专利事务所(普通合伙)11224 CN101921032A 张林楠;  刘晗; 李艳静; 苏赛赛; 汪成运; 王艺林; 李振山 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明公开电解锌漂洗废水的电沉积-膜分离组合处理装置,该装置包括进液管、调节池、电沉积装置、三维固定床装置、保安过滤器、三个循环泵、膜组件、清水出口和浓缩液回流孔,各部件之间的连接详见说明书。本发明的优点是:组合电沉积与膜分离技术,具有投资少、处理量大、能耗低、效益高、易工业化、易实现资源综合利用;实现出水达标排放和循环使用的同时,有效回收废水中重金属资源;自动化程度高,人工操作简便,基本可以实现重金属完全回收和零排放,水资源完全回用,实现废水深度净化的组合装置。 CN101921032A 2010/9/10 2010/12/22 刘晗,张林楠,李振山,李艳静,汪成运,王艺林,苏赛赛 电解锌漂洗废水的电沉积 CN101921032B 2012/11/14 2 北京大学 CN 201010278105 CN101921032A 2010/9/10 21 3 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101318494 [发明公布] 一种内存泄漏探测方法 G06F11/34(2006.01)I; G06F11/36(2006.01)I 冯艺东 2010.08.25 2010.03.23 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101814049A 汪小林;  罗英伟; 刘毅; 李晓明 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种内存泄漏探测方法,属于虚拟化技术领域。本发明的方法为:1)虚拟机管理器截获内存资源的申请函数和释放函数的地址,从而获取分配的动态内存信息;2)根据动态内存的起始地址和长度,计算该动态内存所跨越的所有内存监控单元;3)在影子页表中删除对所述内存监控单元的虚拟地址到机器地址的映射关系;4)虚拟机陷入时,虚拟机管理器监测2)中的内存监控单元是否被访问;5)监控策略模块将设定时间内未被应用程序访问的内存监控单元所在的动态内存项视为存在内存泄漏嫌疑的动态内存项。与现有技术相比,本发明能够发现潜在的内存泄露,且不需要修改被探测程序的源代码,也不需要重新编译,为被测试代码提供了透明性。 CN101814049A 2010/3/23 2010/8/25 刘毅,李晓明,汪小林,罗英伟 一种内存泄漏探测方法 10 北京大学 CN 201010131849 CN101814049A 2010/3/23 11 2 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010177852X [发明公布] 一种无线光通信中的接收系统及其信号接收方法 H04B10/12(2006.01)I; H04B10/06(2006.01)I; G02B6/32(2006.01)I; G02B6/24(2006.01)I 邵可声 2010.10.27 2010.05.14 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101873169A 杨筱舟; 方傲; 胡薇薇 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明涉及一种无线光通信中的接收系统及其信号接收方法,属于光通信领域。本系统包括一组聚焦透镜、一组光纤或波导阵列、一组光信号延迟器、一组光相位调制器、一光耦合器、一光滤波器、一光电探测器、一分析计算控制模块和一解码抽样判决模块。本方法为:1)采用一组聚焦透镜将空间光信号聚焦馈入一光纤阵列中;2)对光纤阵列的每一路分别进行相位延迟、相位调制后耦合输出为一路光信号;3)对光信号进行滤波后转换为电信号分别输出到一解码采样判决模块中和一分析计算控制模块中;4)通信时隙内,解码采样判决模块从接收电信号中恢复出原始信息;参考时隙内,分析计算控制模块对每一路接收光信号进行反馈调节。本发明易于实现、且精度高。 CN101873169A 2010/5/14 2010/10/27 方傲,杨筱舟,胡薇薇 一种无线光通信中的接收系统及其信号接收方法 CN101873169B 2013/1/23 10 北京大学 CN 201010177852 CN101873169A 2010/5/14 10 3 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102100241 [发明公布] 一种集成化多反应室流水作业式外延生长方法及系统 C23C16/54(2006.01)I; H01L33/00(2010.01)I 李稚婷 2010.11.24 2010.06.18 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101892467A 张国义; 左然 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 左然 本发明公开了一种集成化多反应室流水作业式外延生长方法及系统,用于LED或类似化合物半导体多层异质结的制备。该方法和系统采用多个串联的MOCVD反应室,每个反应室工作在相应不同外延层而独立设定的温度和压力下,输入相应的反应气体和/或掺杂气体,利用传送机构使待生长的晶片按生长顺序依次进入不同的反应室生长相应的外延层,从而使生长过程的温度、压力控制和气体输入控制大为简化,避免了不同外延层间的交叉污染,使生长质量和产量大大提高,成本大大降低。 CN101892467A 2010/6/18 2010/11/24 左然,张国义 一种集成化多反应室流水作业式外延生长方法及系统 CN101892467B 2012/1/18 8 北京大学;左然 CN 201010210024 CN101892467A 2010/6/18 4 3 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102262782 [发明公布] 一种细胞分选磁珠及合成方法以及其在细胞分选中的应用 C12N5/078(2010.01)I 张肖琪 2010.11.24 2010.07.14 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101892196A 张新祥;  崔毅然; 高晓明; 洪超 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明提供一种新型细胞分选磁珠,该磁珠为表面上以共价键偶联proteinA,并通过protein A与IgG的Fc段的特异性相互作用,定向偶联IgG型小鼠CD3抗体的50-70nm金包裹Fe3O4磁性纳米颗粒(Fe3O4@Au纳米颗粒)。本发明涉及该磁珠的合成和修饰方法,以及使用该磁珠进行细胞分选的方法。本发明磁珠用于除去小鼠脾细胞中的CD3 T细胞,使CD3 T细胞在脾细胞中的含量由36.5%降为0.7%,分选效率极高。本磁珠还同时具有蛋白偶联量高和超顺磁性的优点,而且制备方法简单,环境友好,成本较低,具有较好的应用前景。 CN101892196A 2010/7/14 2010/11/24 崔毅然,张新祥,洪超,高晓明 一种细胞分选磁珠及合成方法以及其在细胞分选中的应用 CN101892196B 2012/10/10 9 北京大学 CN 201010226278 CN101892196A 2010/7/14 8 2 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101084468 [发明公布] 一株Diaphorobacter菌株及其应用 C12N1/20(2006.01)I; C02F3/34(2006.01)I; A62D3/02(2007.01)I; C12R1/01(2006.01)N; C02F101/38(2006.01)N; C02F101/34(2006.01)N; C02F103/34(2006.01)N; A62D101/28(2007.01)N; A62D101/26(2007.01)N 关畅; 任凤华 2010.11.24 2010.02.05 CGMCC No.3511 2009.12.15 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN101892174A 吴晓磊;  孙纪全; 汤岳琴; 刘伟强; 赵晶晶; 郭鹏 100080北京市海淀区中关村北二条3号北京大学技物楼 北京大学 本发明公开了一株Diaphorobacter菌株及其应用。本发明提供的菌株为菌株(Diaphorobacter sp.)SG-51 CGMCC No.3511。本发明提供的菌剂,活性成分为菌株(Diaphorobacter sp.)SG-51 CGMCC No.3511。本发明提供的菌株有较广的降解谱,对多种有毒化合物的降解率达到90%以上。本发明的菌剂为新型的芳香族有机污染物降解菌剂,具有生产使用成本低、使用方便、较广的降解谱、去除效果好的优点。本发明提供的菌株和菌剂适用于现代焦化、汽化过程所产生的废水、以及其它石油化工生产过程中产生的含有苯酚、甲酚、对氯苯酚和吡啶的有机废水的处理,可以保证相应有机物残留含量符合废水排放标准。本发明成功解决了废水处理中的苯酚及其衍生物、苯或其它杂环化合物去除效果不高的问题,降低了生产和使用过程中的工作量,降低了生产和使用成本,对于保护生态环境,保护人民的身体健康具有重要的意义。 CN101892174A 2010/2/5 2010/11/24 刘伟强,吴晓磊,孙纪全,汤岳琴,赵晶晶,郭鹏 一株Diaphorobacter菌株及其应用 CN101892174B 2011/11/23 8 北京大学 CN2010101084468A CN101892174A 2010/2/5 4 3 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102157678 [发明公布] 一种数字图像中的水印嵌入和提取方法 G06T1/00(2006.01)I 冯艺东 2010.10.20 2010.06.22 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101866478A 李晓龙;  王超; 亓文法; 杨斌 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种数字图像中的水印嵌入和提取方法,属于信息隐藏和图像隐写技术领域。本发明的水印嵌入方法为:首先对原始数字图像进行降噪,得到降噪后的图像;然后将待嵌入的二进制水印与原始数字图像的像素值进行匹配,最后根据对应的降噪图像的像素值改变原始图像的像素值,实现水印嵌入。本发明的水印提取方法为:根据获取的水印图像的像素值,顺次提取最低有效位,获得水印信息。与现有技术相比,本发明可以使每点像素值改变后水印图像的噪声更小,从而可以更好的抵抗隐写分析。 CN101866478A 2010/6/22 2010/10/20 亓文法,李晓龙,杨斌,王超 一种数字图像中的水印嵌入和提取方法 CN101866478B 2012/3/7 7 北京大学 CN 201010215767 CN101866478A 2010/6/22 4 5 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102191772 [发明公布] 一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管 H01L21/336(2006.01)I; H01L21/762(2006.01)I; H01L29/78(2006.01)I 贾晓玲 2010.10.20 2010.07.07 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101866859A 黄如;  云全新; 安霞; 张兴 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及CMOS超大集成电路,是一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管。本发明在场效应晶体管的源/漏区与衬底之间,插入形变介质层,利用直接与衬底接触的形变介质层,诱使沟道发生应变,用于提升沟道载流子迁移率和器件性能。具体效果为,利用具有张应变的形变介质层可以诱使沟道发生张应变,可用于提升沟道电子迁移率;利用具有压应变的形变介质层可以诱使沟道发生压应变,可用于提升沟道空穴迁移率。本发明既可以保证沟道应力引入的有效性,同时又从根本上改善了场效应晶体管的器件结构,提升了器件短沟效应抑制能力。 CN101866859A 2010/7/7 2010/10/20 云全新,安霞,张兴,黄如 一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管 CN101866859B 2012/7/4 10 北京大学 CN 201010219177 CN101866859A 2010/7/7 11 6 CN - IP Right Grant, WO - Application Filing Active, US - Application Filing Active
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102757253 [发明公布] 一种估算集成电路辐照效应的方法 G06F17/50(2006.01)I 张肖琪 2010.12.22 2010.09.08 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101923596A 薛守斌;  王思浩; 谭斐; 安霞; 黄如; 张兴 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法,属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤:A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管;B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式:Qtrap∝δT2STID,其中Qtrap是STI中俘获的电荷,TSTI寄生晶体管有效的栅氧厚度,D是辐照剂量,δ为拟合系数,得到寄生晶体管的漏电流,从而估算出整个集成电路的辐照效应。本发明可通过电路仿真,预测辐照损伤对集成电路的影响,同时也可以预测电路的敏感节点,进而为电路的抗辐照加固技术给予指导,并且可以降低实验成本。 CN101923596A 2010/9/8 2010/12/22 安霞,张兴,王思浩,薛守斌,谭斐,黄如 一种估算集成电路辐照效应的方法 3 北京大学 CN 201010275725 CN101923596A 2010/9/8 4 1 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102321136 [发明公布] 预测残差块的重排序、逆重排序方法及系统 H04N7/26(2006.01)I; H04N7/32(2006.01)I 毛燕生 2010.11.24 2010.07.15 北京市商泰律师事务所11255 CN101895757A 高文;  赵欣; 张莉; 马思伟 100871北京市海淀区中关村颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种预测残差块的重排序、逆重排序方法及系统。该方法包括:根据统计得到的预测残差块的幅度分布,设置预测残差块的排序方法,并且所有可能的预测残差块的排序方法为两种或两种以上;根据残差块的排序方法,在对残差块进行变换之前,对残差块内的残差值进行重排序。本发明通过在空域对残差块内的残差采样值进行重排序,使得不同模式的残差统计特性近似相同,从而可以仅使用少量的变换函数实现与模式相关变换近似的性能,同时降低了编解码器的存储复杂度。 CN101895757A 2010/7/15 2010/11/24 张莉,赵欣,马思伟,高文 预测残差块的重排序、逆重排序方法及系统 6 北京大学 CN 201010232113 CN101895757A 2010/7/15 1 4 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101719790 [发明公布] 一种软件漏洞挖掘方法 G06F11/36(2006.01)I 冯艺东 2010.09.29 2010.05.07 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101847121A 王铁磊;  韦韬; 邹维; 张超; 戴帅夫; 丁羽; 李义春 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种软件漏洞挖掘方法,属于软件工程和信息安全领域。本方法为:1)将多个正常数据输入目标程序,收集该目标程序的运行时信息;2)生成畸形数据,并将其输入该目标程序,收集该目标程序的运行时信息;3)根据1)、2)收集的运行时信息,识别该目标程序中校验和的检测代码;4)修改校验和的检测代码,使得目标程序处理畸形数据时的执行行为与处理正常数据时一致;5)生成若干畸形数据并输入修改后的目标程序,将使其崩溃的畸形数据作为样本数据;6)修改每个样本数据中校验和的域值并将其输入原目标程序,如果原目标程序崩溃或发生异常则报告一个潜在的安全漏洞。与现有技术相比,本发明可以大大提高漏洞挖掘的效率。 CN101847121A 2010/5/7 2010/9/29 丁羽,张超,戴帅夫,李义春,王铁磊,邹维,韦韬 一种软件漏洞挖掘方法 CN101847121B 2012/1/18 10 北京大学 CN 201010171979 CN101847121A 2010/5/7 4 4 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102233934 [发明公布] 基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法 H01L45/00(2006.01)I 贾晓玲 2010.11.24 2010.07.12 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101894910A 张丽杰; 黄如; 潘越 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiOxNy)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法,属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极,阻变材料层,底电极和衬底,其中,阻变材料层为硅的氮氧化物(SiOxNy),所述SiOxNy的x、y满足条件:2x+3y<4,x≥0,y≥0,所述底电极为Cu、W、Pt等金属或者其它导电材料,所述顶电极为Ti、TiN、Al、AlCu等与硅的氮氧化物发生化学反应的金属或导电材料。本发明通过控制硅氮氧化物的成分,使其硅含量相对较多,引入更多的缺陷,空位,比如氮空位、氧空位等,从而得到稳定的双极器件。 CN101894910A 2010/7/12 2010/11/24 张丽杰,潘越,黄如 基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法 CN101894910B 2012/2/22 10 北京大学 CN 201010223393 CN101894910A 2010/7/12 3 2 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010249573X [发明公布] 时分双工通信方法中上下行时隙的动态调整方法 H04B7/185(2006.01)I; H04W72/04(2009.01)I; H04W72/12(2009.01)I 邵可声 2010.12.22 2010.08.10 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101924587A 徐晓燕;  吴建军; 任术波; 栾西; 程宇新 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种时分双工通信方法中上下行时隙的动态调整方法,属于卫星通信技术领域。上行时隙调整为下行时隙的方法包括:第i帧,卫星向终端发送调整消息,告知将由上行调整为下行;第i+1帧,终端收到调整消息,将待调整时隙由上行调整为空白;第i+2帧,卫星将待调整时隙由上行调整为下行;第i+3帧,终端将待调整时隙由空白调整为下行下行。下行时隙调整为上行时隙的方法包括:第i帧,卫星将待调整时隙由下行调整为空白,并向终端发送调整消息;第i+1帧,终端收到所述调整消息,将待调整时隙由下行调整为上行;第i+2帧,卫星将待调整时隙由空白调整为上行。本发明可用于卫星移动通信。 CN101924587A 2010/8/10 2010/12/22 任术波,吴建军,徐晓燕,栾西,程宇新 时分双工通信方法中上下行时隙的动态调整方法 6 北京大学 CN201010249573XA CN101924587A 2010/8/10 2 4 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010140590X [发明公布] 星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法 C07C69/63(2006.01)I; C07C67/14(2006.01)I; C08F120/56(2006.01)I; C08F4/00(2006.01)I; C09K11/06(2006.01)I; C07K1/26(2006.01)I; C12N15/10(2006.01)I 关畅 2010.09.29 2010.04.02 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN101844983A 马玉国;  牛志强; 高凡; 裴坚; 梁德海; 张新祥 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学化学学院 北京大学 本发明公开了星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法。该荧光聚合物的结构通式如式VII所示。制备该荧光聚合物所用引发剂如式I所示。利用本发明提供的荧光聚合物进行DNA或蛋白质分离,分离速度快,分离效果好,毛细管不需修饰,一次灌胶可重复使用且有较好的重复性;而且,本发明能够将可比较的不同拓扑结构引入到分离介质中,可以系统的对比线形聚合物对生物大分子分离结果的影响;此外,由于该荧光聚合物具有荧光核,因而可将该荧光核引入到分离介质中,实现同时观察到分离介质和生物大分子的目的,从而获得生物大分子在分离过程中更直观的图像,为分离机理的揭示提供更加有力的方法。 CN101844983A 2010/4/2 2010/9/29 马玉国,牛志强,高凡,裴坚,梁德海,张新祥 星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法 CN101844983B 2014/7/16 16 北京大学 CN201010140590A CN101844983A 2010/4/2 0 4 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101996187 [发明公布] 可变光衰减器件及其制备方法 G02B26/08(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I 王莹 2010.11.10 2010.06.08 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN101881881A 吴文刚;  陈庆华; 杜博超; 张海霞; 郝一龙 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及一种可变光衰减器件及其制备方法,该器件包括:硅基座以及与所述硅基座键合的玻璃基座,所述硅基座设置有垂直光反射面、以及以所述光反射面为一侧面的加热空腔,所述加热空腔与所述玻璃基座的部分上表面围成密封腔体,在所述密封腔体内的玻璃基座的上表面上设置有加热部件。本发明的可变光衰减器件可满足振动环境中对器件的可靠性要求、成本低、且性能高。 CN101881881A 2010/6/8 2010/11/10 吴文刚,张海霞,杜博超,郝一龙,陈庆华 可变光衰减器件及其制备方法 CN101881881B 2012/7/18 7 北京大学 CN 201010199618 CN101881881A 2010/6/8 0 4 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101619171 [发明公布] 一种去除多环芳烃和/或降解多环芳烃的菌株及其应用 C12N1/20(2006.01)I; A62D3/02(2007.01)I; C12R1/01(2006.01)N; A62D101/20(2007.01)N 关畅; 任凤华 2010.12.01 2010.04.27 CGMCC No.3581 2010.01.18 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN101899406A 卢晓霞;  吴淑可; 马杰; 李秀利; 陈超琪; 吴蔚; 廖晓勇 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学生命科学学院植物系 北京大学 本发明公开了一种去除多环芳烃和/或降解多环芳烃菌株及其应用。本发明提供了微杆菌(Microbacterium sp.)LU1,其保藏号为CGMCC No.3581,本发明提供了一种菌剂,其活性成分为微杆菌(Microbacterium sp.)LU1 CGMCC No.3581。本发明提供的菌株去除多环芳烃的实验结果显示,微杆菌对低环的多环芳烃如萘(NAP)、苊烯(ANY)、苊(ANE)、芴(FLE)、菲(PHE)及蒽(ANT)和高环的多环芳烃苯并[k]荧蒽的去除明显;微杆菌还可以矿化低分子量多环芳烃,如菲,微杆菌对菲的矿化速率约为0.3/天。 CN101899406A 2010/4/27 2010/12/1 卢晓霞,吴淑可,吴蔚,廖晓勇,李秀利,陈超琪,马杰 一种去除多环芳烃和/或降解多环芳烃的菌株及其应用 CN101899406B 2012/2/22 10 北京大学 CN 201010161917 CN101899406A 2010/4/27 3 2 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101558248 [发明公布] 一种负色散脉冲展宽光纤放大装置 G02F1/39(2006.01)I 王莹; 张庆敏 2010.09.22 2010.04.21 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN101840125A 李鹏;  王希; 周春; 蔡岳; 张志刚; 樊仲维; 麻云凤; 牛岗 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 北京国科世纪激光技术有限公司 本发明公开了一种负色散脉冲展宽光纤放大装置,其包括:锁模激光器,产生种子光脉冲;负色散单元,置于锁模激光器种子光脉冲出射方,对种子光脉冲进行展宽,使其带有负啁啾;一级放大单元,接收负色散单元输出的带有负啁啾的种子光脉冲,并进行一级放大,对种子光脉冲中的负啁啾进一步进行正色散补偿,缩短种子光脉冲;二级放大单元,接收一级放大单元输出的种子光脉冲,并进行二级放大,对种子光脉冲中的负啁啾进一步进行正色散补偿,缩短种子光脉冲;输出单元,与二级放大单元相连,对放大后的种子光脉冲进行输出。本发明通过负色散展宽,使光纤放大器输出端的脉冲最短,简化了系统,降低了损耗,提高了放大器后的脉冲能量,有效降低了成本。 CN101840125A 2010/4/21 2010/9/22 周春,张志刚,李鹏,樊仲维,牛岗,王希,蔡岳,麻云凤 一种负色散脉冲展宽光纤放大装置 CN101840125B 2012/2/1 10 北京大学;北京国科世纪激光技术有限公司 CN 201010155824 CN101840125A 2010/4/21 13 5 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101996312 [发明公布] 抗震装置及其制备方法 B81B3/00(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I 王莹 2010.11.10 2010.06.08 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN101880022A 陈庆华;  吴文刚; 杜博超; 张海霞; 郝一龙 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及一种抗震装置及其制备方法,该装置包括:基体,上表面设置有抗震平台、以及若干一端与抗震平台固定连接且保持与基体上表面不接触地延伸的抗震悬臂梁;器件载体,上表面用于承载待保护器件,下表面设置有凹槽,器件载体与抗震悬臂梁相连,且凹槽与抗震平台不接触。本发明的抗震装置及其制备方法适用于微电子电路芯片及MEMS可动器件在振动环境下的保护等应用,具有极强的应用性;使用物理方式实现抗振功能,无需高精度控制电路,从而降低了系统成本;本发明的制备方法可以采用常规MEMS工艺设备,实现大批量制造,且工艺过程简单,与多种类型的MEMS器件工艺兼容,可用于实现功能更广泛、更强大的微电子系统。 CN101880022A 2010/6/8 2010/11/10 吴文刚,张海霞,杜博超,郝一龙,陈庆华 抗震装置及其制备方法 CN101880022B 2012/12/5 5 北京大学 CN 201010199631 CN101880022A 2010/6/8 0 4 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102251504 [发明公布] 含有氟磷灰石和二氧化钛的聚醚醚酮复合材料及制备方法 A61L27/46(2006.01)I 苏爱华 2010.11.10 2010.07.13 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101879332A 魏世成; 魏杰 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种氟磷灰石和二氧化钛增强聚醚醚酮复合材料及其制备方法,属于生物复合材料技术领域。本发明复合材料是一种用氟磷灰石和二氧化钛增强聚醚醚酮复合材料形成的骨修复材料,是以熔融方式共混氟磷灰石,二氧化钛和聚醚醚酮,其中氟磷灰石占复合材料总重量的10~30%,二氧化钛占复合材料总重量的10~30%,其余为聚醚醚酮成分。本发明采用氟磷灰石和二氧化钛与聚醚醚酮形成复合材料,实现了强度和韧性好、弹性模量与人骨一致且具有生物活性的骨替代材料,可克服现有金属和陶瓷骨替代材料存在的力学性能与人骨不匹配的缺点。 CN101879332A 2010/7/13 2010/11/10 魏世成,魏杰 含有氟磷灰石和二氧化钛的聚醚醚酮复合材料及制备方法 10 北京大学 CN2010102251504A CN101879332A 2010/7/13 9 5 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102449214 [发明公布] 基于散点透视图像计算三维空间布局的方法与系统 G06T17/00(2006.01)I; G06T7/00(2006.01)I 毛燕生 2010.12.29 2010.08.04 北京市商泰律师事务所11255 CN101930626A 王亦洲;  马伟; 徐迎庆; 马歆; 李琼; 胡锤; 高文 100871北京市海淀区中关村颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种基于散点透视图像计算三维空间布局的方法与系统。该方法包括:抽取数字图像的构图线索;通过插值,扩散所述构图线索,建立图像空间上的连续线索;依据连续线索,建立所述数字图像和所述数字图像所描述的三维空间支撑面之间的几何映射关系;给定所述数字图像上的任意一点,依据该点所在目标物对应的图像上的支撑点位置和所述几何映射关系,计算得到该点在三维空间中的点。本发明从画家的绘画原理出发,给出散点透视几何解,建立了散点透视图画和其所描绘的三维空间之间的关系;能够在画所描述的三维空间中有效定位画中目标物,定位效果与感知效果一致。 CN101930626A 2010/8/4 2010/12/29 徐迎庆,李琼,王亦洲,胡锤,马伟,马歆,高文 基于散点透视图像计算三维空间布局的方法与系统 CN101930626B 2012/7/4 14 北京大学 CN 201010244921 CN101930626A 2010/8/4 1 3 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102386395 [发明公布] 一种采用无窗气体靶的小型中子源 G21G4/02(2006.01)I 苏爱华 2010.12.15 2010.07.28 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101916607A 朱昆;  黄胜; 陆元荣; 邹宇斌; 郭之虞; 彭士香 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种采用无窗气体靶的小型中子源,属于核技术及应用领域。本发明采用ECR离子源产生氘离子,直接通过高压引出电极引出,轰击用等离子体密封的无窗气体靶,由于无窗氘气体靶是采用等离子体密封的,因此它允许承受很高的流强的束流,同时由于氘离子穿过等离子体窗时的能损很小,因此中子产额较高。与中子管相比,本发明提出的中子源允许的束流强度高,中子产额高。与加速器中子源相比,加速器中子源体积大,系统复杂,造价高,本发明提出的中子源体积小,系统简单,造价低。与离子源直接进行氘氚反应产生中子的中子源相比,该离子源系统简单,造价低,没有氚的放射性处理以及循环问题。本发明具有非常广阔的应用前景。 CN101916607A 2010/7/28 2010/12/15 彭士香,朱昆,邹宇斌,郭之虞,陆元荣,黄胜 一种采用无窗气体靶的小型中子源 CN101916607B 2012/6/13 4 北京大学 CN 201010238639 CN101916607A 2010/7/28 16 7 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101176722 [发明公布] 一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件 B81C1/00(2006.01)I; B82B3/00(2006.01)I; B81B7/00(2006.01)I; G01N21/65(2006.01)I 关畅 2010.08.04 2010.03.03 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN101792112A 毛海央;  吴文刚; 张煜龙; 黄如; 郝一龙; 王阳元 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件。该微流控检测器件是按照包括下述步骤的方法制备得到的:在衬底上旋涂光刻胶,并对光刻胶依次进行前烘、曝光、显影和定影后形成微流道形状的光刻胶图形;对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀,在衬底上形成了垂直分布于的纳米颗粒结构或纳米纤维直立结构;以所述纳米颗粒结构为掩模,对衬底进行各向异性刻蚀,在衬底上形成了纳米柱;在衬底上的硅纳米柱或纳米纤维直立结构上溅射金属纳米颗粒层,得到表面增强拉曼散射活性基底;结合微流体器件及其加工技术形成了无杂质干扰、可实时监测的硅-PDMS双层结构SERS微流控检测器件,该微流控检测器件不仅能用于液体待分析物的检测还可用于胶体和气体待分析物的检测。 CN101792112A 2010/3/3 2010/8/4 吴文刚,张煜龙,毛海央,王阳元,郝一龙,黄如 一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件 CN101792112B 2012/5/30 10 北京大学 CN 201010117672 CN101792112A 2010/3/3 32 4 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102326411 [发明公布] 硅的腐蚀深度实时监控方法 C23F1/02(2006.01)I; C23F1/08(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I 俞达成 2010.12.22 2010.07.16 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101922008A 严远;  张大成; 王玮; 杨芳; 李婷; 王颖; 罗葵; 田大宇 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法,属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀,所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽,位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面,和位于腐蚀凹槽侧面的监控面,所述腐蚀面和监控面的晶向相同,所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液,腐蚀液浸没所述腐蚀面,所述监控面,以及所述监控面和所述表面相交的监控线,在腐蚀过程中或腐蚀过程后,通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。 CN101922008A 2010/7/16 2010/12/22 严远,张大成,李婷,杨芳,王玮,王颖,田大宇,罗葵 硅的腐蚀深度实时监控方法 CN101922008B 2011/11/9 7 北京大学 CN 201010232641 CN101922008A 2010/7/16 3 1 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102179520 [发明公布] 三叶因子3在制备预防和/或治疗抑郁症药物中的用途 A61K38/17(2006.01)I; A61P25/24(2006.01)I 关畅; 任凤华 2010.12.01 2010.06.24 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN101897952A 陆林;  史海水; 朱维莉; 王慎军; 丁增波 100083北京市海淀区学院路38号 北京大学 本发明公开了一种三叶因子3的新用途。本发明提供了三叶因子3在制备预防和/或治疗抑郁症产品中的应用。所述产品为药物。本发明主要发现了TFF3具有抗抑郁作用,因此,可用于预防和治疗由各种因素引起的抑郁症。 CN101897952A 2010/6/24 2010/12/1 丁增波,史海水,朱维莉,王慎军,陆林 三叶因子3在制备预防和/或治疗抑郁症药物中的用途 CN101897952B 2012/8/8 2 北京大学 CN 201010217952 CN101897952A 2010/6/24 1 0 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101181896 [发明公布] 吸气式液体燃料脉冲爆震发动机 F02K9/62(2006.01)I 麻吉凤; 毛燕生 2010.07.14 2010.03.04 北京市商泰律师事务所11255 CN101776027A 郑殿峰 100871北京市海淀区中关村颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种吸气式液体燃料脉冲爆震发动机,在该发动机中,喷嘴(1)位于固定座(2)中心位置;进气道(3)与凸型雾化室(5)进口端密封相连;钝体(4)安装在进气道(3)和凸型雾化室(5)内部;凸型雾化室(5)下游与爆震管(7)密封连接;点火环(8)位于爆震管(7)进口,下游为火花塞(14);蒸发器(9)安装在爆震管(7)内部,上游是点火环(8),下游设置扰流器(10);尾喷管(11)固定在爆震管(7)出口;喷嘴(1)与电磁阀(12)、控制器(13)、火花塞(14)连接。本发明与旋流式脉冲爆震发动机相比,能改善燃油雾化蒸发掺混性能,提高爆震燃烧强度,减小漏气损失和进气阻力,增加有效推力。 CN101776027A 2010/3/4 2010/7/14 郑殿峰 吸气式液体燃料脉冲爆震发动机 CN101776027B 2011/8/10 10 北京大学 CN 201010118189 CN101776027A 2010/3/4 8 6 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010138829X [发明公布] 补偿电路及辐射探测系统 G01T1/17(2006.01)I; G01T1/15(2006.01)I 胡小永 2010.08.11 2010.03.19 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN101799553A 李静;  张雅聪; 陈中建; 鲁文高; 周春芝; 邵建辉; 杨团伟; 朱红英 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种补偿电路及辐射探测系统,该补偿电路设置在辐射探测系统的第一级放大器输出端和第二级放大器输入端之间,该补偿电路包括:两个电阻和一个电容,第一电阻与电容并联,其连接点与第二电阻串联。本发明提供的补偿电路应用在辐射探测系统中,在不影响读出电路第一级环路增益稳定性的前提下,能够增大第二级环路的相位裕度,增加系统的稳定性,提高读出速率;且结构简单,成本低廉,易于实现。 CN101799553A 2010/3/19 2010/8/11 周春芝,张雅聪,朱红英,李静,杨团伟,邵建辉,陈中建,鲁文高 补偿电路及辐射探测系统 2 北京大学 CN 201010138829 CN101799553A 2010/3/19 3 3 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010242144X [发明公布] 一种流式电穿孔装置及系统 C12M1/42(2006.01)I 董琍雯 2010.12.29 2010.07.30 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101928666A 李志宏;  梁子才; 魏泽文; 黄璜 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种流式电穿孔装置及系统,该系统包括:流式电穿孔装置,其中包括:基板,以及制作在基板上的电极,所述的电极,是平行并成对放置的,每对电极包括相对设置的阳极和阴极;置于电极之上的限制流体流动的通道;所述通道起始端具有多个入口分支通道,并汇聚成一条主通道,结束端具有多个出口分支通道,所述通道上方设置具有多个流体入口及出口的顶盖;注射泵,由管道连接到所述流式电穿孔装置中顶盖的入口及出口控制流体的流速;电压源,由电连接件连接电极设定并产生脉冲电压。流式电穿孔系统利用流体通道以及相连接的注射泵来实现各种悬浮液在流体通道中的连续流动,从而使细胞被电穿孔的过程能够持续进行,实现快速处理大量样品。 CN101928666A 2010/7/30 2010/12/29 李志宏,梁子才,魏泽文,黄璜 一种流式电穿孔装置及系统 CN101928666B 2013/4/3 17 北京大学 CN201010242144XA CN101928666A 2010/7/30 5 2 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010103005653 [发明公布] 一种碳纳米角的制备方法 C01B31/02(2006.01)I 贾晓玲 2010.06.30 2010.01.22 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101759179A 施祖进;  王志永; 李楠; 顾镇南 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明提供了一种碳纳米角的制备方法,属于碳纳米角的合成技术领域。该方法使用直流电弧法,用空气、CO2、CO或CO/N2混合气体作为反应气氛,制得碳纳米角。采用本发明能达到大量生产的要求,设备简单、生产成本低。且产物纯度高,只需简单的灼烧纯化后,碳纳米角的纯度可达94%以上。本发明制得的碳纳米角的直径约为25纳米,可聚集成直径为50—80纳米的球形聚集体。 CN101759179A 2010/1/22 2010/6/30 施祖进,李楠,王志永,顾镇南 一种碳纳米角的制备方法 6 北京大学 CN 201010300565 CN101759179A 2010/1/22 5 0 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102477125 [发明公布] 一种基于Android的透明数据存储方法和系统 H04L29/08(2006.01)I; H04W28/14(2009.01)I 苏爱华 2010.12.01 2010.08.08 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101902502A 郭耀;  孔俊俊; 冯涛; 赵霞; 陈向群 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及一种基于Android的透明数据存储的方法和系统,属于移动计算领域。本方法包括,读取系统的配置信息,利用用户文件系统接口模块提供一组可以重新实现文件操作语义的用户态的接口,通过用户态的程序实现这组用户态的文件操作接口。根据手机设备的网络连接情况,提供本地模式和网络模式下的基本的文件操作功能。本地模式下把文件操作重新定向到本地的另一个目录下;网络模式下利用ftp作为通讯协议,把文件操作重定向到服务器端。网络模式下为了提高效率增加了本地缓存,同时还要保证手机端和服务器端的数据一致性。 CN101902502A 2010/8/8 2010/12/1 冯涛,孔俊俊,赵霞,郭耀,陈向群 一种基于Android的透明数据存储方法和系统 CN101902502B 2012/10/10 3 北京大学 CN 201010247712 CN101902502A 2010/8/8 4 1 CN - IP Right Grant
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018105893877 [发明公布] 基于跨导反馈单元的可编程增益放大器电路 H03F3/45(2006.01)I; H03G3/30(2006.01)I 廖元秋 2018.11.06 2018.06.08 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 CN108768325A 张雷; 吴伟平 100084北京市海淀区清华园1号 清华大学 本发明公开一种基于跨导反馈单元的可编程增益放大器电路,属于模拟集成电路设计领域,该放大器电路由直流失调抑制电路、输入跨导单元、反馈跨导单元以及运算放大器组成。所述直流失调抑制电路由电阻和电容构成;所述输入跨导单元、反馈跨导单元分别由MOS管阵列构成;所述运算放大器由放大电路、偏置电路以及共模反馈电路组成,所述放大电路是一个两级密勒放大器,所述偏置电路是一个正比于温度的电压偏置电路,所述共模反馈是一个差分共模反馈电路。本发明能够有效的解决传统反馈结构中的负载效应问题,减小增益误差;在保证功耗不变的前提下,能大幅提高带宽,并减小版图面积,从而提高可编程增益放大器的性能。 CN108768325A 2018/6/8 2018/11/6 张雷,吴伟平 基于跨导反馈单元的可编程增益放大器电路 1 清华大学 CN201810589387.7A CN108768325A 2018/6/8 0 0 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2017104344628 [发明公布] 多孔金属复合结构 C01B32/168(2017.01)I; B29C65/02(2006.01)I; B32B15/04(2006.01)I; C23C18/31(2006.01)I 2018.12.18 2017.06.09 CN109019563A 付红颖; 李文珍 100084北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 本发明涉及一种多孔金属复合结构,包括多孔金属结构和一个碳纳米管结构,该碳纳米管结构固定在所述多孔金属结构的表面,所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管,所述多孔金属复合结构包括多个褶皱部。 CN109019563A 2017/6/9 2018/12/18 付红颖,李文珍 多孔金属复合结构 10 清华大学, 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 CN201710434462.8A CN109019563A 2017/6/9 0 9 CN - Search and Examination Pending, TW - Search and Examination Pending, US - Search and Examination Pending, JP - Pending
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018105509745 [发明公布] 一种基于随机需求和服务水平约束的供应链优化方法 G06Q10/04(2012.01)I; G06Q10/08(2012.01)I; G06Q30/02(2012.01)I 罗文群 2018.11.23 2018.05.31 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 CN108876020A 宋士吉; 赵晗 100084北京市海淀区清华园1号 清华大学 本发明涉及一种基于随机需求和服务水平约束的供应链优化方法,属于供应链管理及运筹学领域。本发明假设供应链中的零售商是风险厌恶的,供应链中的生产商是风险中性的,这是因为零售商直接面向市场随机需求,在顾客随机需求和服务水平约束下,将条件风险价值度量和期权合同应用在供应链优化管理中,解决了供应链中的零售商如何确定最优订购量,供应链中的生产商如何根据最优订购量确定最优生产量的问题,并在此基础上解决了管理者的风险厌恶水平和顾客服务水平对最优决策的影响,以及引入期权合同对供应链中零售商和生产商的影响等一系列问题。 CN108876020A 2018/5/31 2018/11/23 宋士吉,赵晗 一种基于随机需求和服务水平约束的供应链优化方法 2 清华大学 CN201810550974.5A CN108876020A 2018/5/31 0 0 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018109856716 [发明公布] 一类螺环银簇发光簇合物及其制备方法与应用 C07F1/10(2006.01)I; C09K11/06(2006.01)I; C09K9/02(2006.01)I; G01N21/64(2006.01)I 关畅; 赵静 2018.12.14 2018.08.28 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN108997384A 赵亮; 吴晗 100084北京市海淀区北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 清华大学 本发明公开了一类新型的螺环银簇化合物及其制备方法与应用。该银簇化合物的结构通式如式I所示。本发明所提供的螺环银簇化合物结构稳定,量子产率可达(5%‑30%),表现出对外部刺激(机械力,溶剂)响应的发光变色行为,在力学传感,有机溶剂蒸汽监测,发光材料等领域具有潜在的应用前景。 CN108997384A 2018/8/28 2018/12/14 赵亮,吴晗 一类螺环银簇发光簇合物及其制备方法与应用 CN108997384B 2020/1/17 10 清华大学 CN201810985671.6A CN108997384A 2018/8/28 0 4 CN - IP Right Grant
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018108417798 [发明公布] 电池热失控实验装置及其系统 G01R31/36(2006.01)I; H01M10/42(2006.01)I 刘诚 2018.11.23 2018.07.27 北京华进京联知识产权代理有限公司11606 CN108872877A 张亚军;  王贺武; 欧阳明高; 李伟峰; 李成; 李建秋; 卢兰光; 韩雪冰; 杜玖玉 100084北京市海淀区清华园1号 清华大学 本申请涉及一种电池热失控实验装置包括箱体、均匀加热器和空气循环装置。所述均匀加热器设置于所述箱体内,用于产生热量。所述空气循环装置,设置于所述箱体内。所述空气循环装置与所述均匀加热器间隔相对设置,用于改变所述箱体内的空气流向,使得所述箱体内热量均匀。本申请提供的所述电池热失控实验装置准确的模拟了所述待测试电池全面均温诱发热失控场景,从而可以提高实验结果的准确性和可靠性。 CN108872877A 2018/7/27 2018/11/23 张亚军,王贺武,欧阳明高,李伟峰,李成,李建秋,卢兰光,韩雪冰,杜玖玉 电池热失控实验装置及其系统 12 清华大学 CN201810841779.8A CN108872877A 2018/7/27 0 6 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018108132952 [发明公布] 用于植入式医疗仪器电路板自动测试的探针接触式工装 G01R31/28(2006.01)I; G01R1/04(2006.01)I 苏雪雪 2018.12.18 2018.07.23 北京华仁联合知识产权代理有限公司11588 CN109031095A 田野;  胡春华; 陈浩; 黄俊; 王伟明; 马伯志; 郝红伟; 李路明 100084北京市海淀区清华园 清华大学 一种用于植入式医疗仪器电路板自动测试的探针接触式工装包括:第一导轨;位移平台,可移动地设置在所述第一导轨上,所述位移平台上设有测试板安装部、感应线圈安装部,所述感应线圈安装部与所述第一导轨平行设置;充电编程器的线圈安装部,固定设置在所述位移平台的一侧,与所述感应线圈安装部平行设置且具有固定间隙。通过在位移平台上设置用于安装测试板的测试板安装部、用于安装感应线圈的感应线圈安装部,以及控制位移平台沿着导轨移动,从而使得在可靠性测试时,由现有技术中通过人工对准感应线圈和充电编程器的线圈变成由工装控制对准感应线圈和充电编程器的线圈,省去了大量人工,大大提高了测试的精准度和测试效率。 CN109031095A 2018/7/23 2018/12/18 田野,胡春华,陈浩,黄�俊,王伟明,马伯志,郝红伟,李路明 用于植入式医疗仪器电路板自动测试的探针接触式工装 10 清华大学 CN201810813295.2A CN109031095A 2018/7/23 0 0 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018102603622 [发明公布] 一种空气分级调控热解燃烧一体炉 F23G5/027(2006.01)I; F23G5/44(2006.01)I; F23G5/50(2006.01)I 黄玉东 2018.11.06 2018.03.27 北京市万慧达律师事务所11111 CN108758638A 王伟; 陈坦; 王一迪 100084北京市海淀区清华大学工物馆410室 清华大学 本发明公开了一种空气分级调控热解燃烧一体炉,包括一热解炉主体,所述热解炉主体被耐火层围合形成一燃烧加热区,所述热解炉主体上开设有第一进气口,所述第一进气口与燃烧器相连通,其中,所述热解炉主体还包括一斜向穿过所述燃烧加热区的螺杆解热管,所述螺杆解热管顶部设置有搅拌料斗,生物质废物经所述搅拌料斗处理后进入螺杆解热管内,所述螺杆解热管顶部还设置有一合成气导管,所述合成气导管一端与所述螺杆热解管顶部相连通,另一端伸入至所述燃烧加热区内。本发明解决了原有的热解设备在热解过程中容易产生焦油造成设备凝结的问题。 CN108758638A 2018/3/27 2018/11/6 王伟,陈坦,王迪,王一迪 一种空气分级调控热解燃烧一体炉 8 清华大学 CN201810260362.2A CN108758638A 2018/3/27 0 5 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201810613132X [发明公布] 基于复合激光结构光的全空间位姿检测视觉传感器装置 B23K37/00(2006.01)I 黄德海 2018.11.23 2018.06.14 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 CN108857152A 朱志明;  郭吉昌; 孙博文; 符平坡 100084北京市海淀区清华园 清华大学 本发明公开了一种基于复合激光结构光的全空间位姿检测视觉传感器装置,所述传感器装置包括固定座、工业CCD相机、工业镜头、主激光器组件和辅助一字线激光器。固定座适于与焊枪相连,工业CCD相机与固定座相连以拍摄焊枪实施焊接过程的焊接坡口或形成的焊缝,工业镜头设在工业CCD相机的镜头前端以调节工业CCD相机的光学参数,主激光器组件连接在固定座上且用于向焊接坡口或焊缝投射激光线,辅助一字线激光器适于连接在焊枪的主轴上,且用于向焊接坡口或焊缝与焊枪的延伸方向的交点投射激光线,根据本发明实施例的基于复合激光结构光的全空间位姿检测视觉传感器装置能够实现焊枪相对于工件待焊点任意空间三维位姿参数的检测。 CN108857152A 2018/6/14 2018/11/23 朱志明,郭吉昌,孙博文,符平坡 基于复合激光结构光的全空间位姿检测视觉传感器装置 CN108857152B 2020/1/31 11 清华大学 CN201810613132.XA CN108857152A 2018/6/14 0 5
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018108053768 [发明公布] 骨修复纳米纤维膜及其制备方法 A61L27/42(2006.01)I; A61L27/54(2006.01)I; A61L27/56(2006.01)I; A61L27/58(2006.01)I; D01F8/02(2006.01)I; D01F8/14(2006.01)I; D01F8/10(2006.01)I 王赛 2018.12.18 2018.07.20 北京华进京联知识产权代理有限公司11606 CN109010922A 张洪玉; 王毅 100084北京市海淀区清华园1号 清华大学 本发明公开了一种骨修复纳米纤维膜,包括纳米纤维,所述纳米纤维包括聚合物‑明胶复合基体以及负载有促成骨药物的多孔生物活性玻璃;所述多孔生物活性玻璃能够降解产生有利于骨修复的离子;所述促成骨药物能够抑制骨吸收;所述聚合物为可降解的高分子材料;所述多孔生物玻璃均匀分散在所述聚合物‑明胶复合基体中;所述促成骨药物、所述明胶和所述聚合物三者的质量比为(0.5~1.5):(5~7):(13~15);所述多孔生物玻璃的孔径为3~6nm之间。本发明还公开了一种所述骨修复纳米纤维膜的制备方法。 CN109010922A 2018/7/20 2018/12/18 张洪玉,王毅 骨修复纳米纤维膜及其制备方法 13 清华大学 CN201810805376.8A CN109010922A 2018/7/20 0 9 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018108982618 [发明公布] 复合材料及其制备方法以及空气净化器 B01J31/06(2006.01)I; B01D53/86(2006.01)I; B01D53/72(2006.01)I; B01J37/04(2006.01)I; B01J37/34(2006.01)I; B01J35/10(2006.01)I; B82Y30/00(2011.01)I 赵天月 2018.12.18 2018.08.08 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 CN109012745A 林元华;  罗屹东; 南策文; 沈洋 100084北京市海淀区清华园 清华大学 本发明提供了复合材料及其制备方法以及空气净化器。其中,复合材料包括:纤维素载体,所述纤维素载体具有海绵结构;铋铜硫氧,所述铋铜硫氧负载在所述纤维素载体上。发明人发现,该复合材料结构简单、易于实现,性能较稳定,具有较大的比表面积以及优异的环境净化能力,在可见光区域对甲醛的降解率较高,从而可以显著降低室内甲醛的含量,极大程度上保护人体健康,且该复合材料便于回收,有利于循环再利用,节约成本,市场前景较为广阔。 CN109012745A 2018/8/8 2018/12/18 林元华,罗屹东,南策文,沈洋 复合材料及其制备方法以及空气净化器 10 清华大学 CN201810898261.8A CN109012745A 2018/8/8 0 0 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018110541191 [发明公布] 基于特高频穿心电流传感器的开关柜局部放电在线监测系统及方法 G01R31/12(2006.01)I 梁斌 2018.11.02 2018.09.10 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 CN108732478A 丁登伟; 刘卫东; 冯瑞 610000四川省成都市天府大道南段2039号天府创客街区 清华四川能源互联网研究院; 清华大学 本发明实施例涉及电气设备监测技术领域,具体而言,涉及一种基于特高频穿心电流传感器的开关柜局部放电在线监测系统及方法,用于对开关柜的绝缘状态进行监测,该系统包括:特高频穿心电流传感器、放大处理器、智能电子设备和监测主站,特高频穿心电流传感器安装于一带电显示器信号线,特高频穿心电流传感器与放大处理器电连接,特高频穿心电流传感器用于从带电显示器信号线采集开关柜在局部放电时产生的脉冲电流信号,将脉冲电流信号传输至放大处理器。放大处理器、智能电子设备和监测主站之间通信连接,用于对脉冲电流信号进行放大、转换、采样处理和故障诊断。采用该系统及方法能够准确、可靠地对开关柜进行局部放电在线监测。 CN108732478A 2018/9/10 2018/11/2 丁登伟,刘卫东,冯瑞 基于特高频穿心电流传感器的开关柜局部放电在线监测系统及方法 10 清华四川能源互联网研究院, 清华大学 CN201811054119.1A CN108732478A 2018/9/10 0 0 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018106063002 [发明公布] 水中14C放化分离的系统和方法 G01T1/167(2006.01)I; G01T7/04(2006.01)I 赵天月 2018.11.23 2018.06.13 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 CN108873049A 梁漫春;  袁宏永; 杨洁; 何敬涛; 徐立梅; 郑剑蒙; 杨月; 刘芳 100084北京市海淀区清华园 清华大学; 北京辰安科技股份有限公司 本发明公开了水中14C放化分离的系统和方法。其中,系统包括:原水泵、过滤装置、储水罐、循环水泵、脱气膜装置、循环气泵、二氧化碳吸收瓶、酸化剂储罐、二氧化碳吸收剂储罐和氮气瓶。该系统可采用脱气膜装置高效地对水中14C转化得到的14CO2进行收集,从而显著提高水中14C放化分离效率。 CN108873049A 2018/6/13 2018/11/23 梁漫春,袁宏永,杨洁,何敬涛,徐立梅,郑剑蒙,杨月,刘芳 水中14c放化分离的系统和方法 10 清华大学, 北京辰安科技股份有限公司 CN201810606300.2A CN108873049A 2018/6/13 0 7 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018110049281 [发明公布] 一种基于感温变色油墨材料的多模态触觉感知装置 B25J19/02(2006.01)I; G01D21/02(2006.01)I 廖元秋 2018.12.18 2018.08.30 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 CN109015763A 孙富春;  薛红香; 方斌; 张春; 刘华平; 夏子炜 100084北京市海淀区清华园1号 清华大学 本发明提供的一种基于感温变色油墨材料的多模态触觉感知装置,属于机器人传感器技术领域。包括外壳,该外壳内部设有图像采集摄像头、透明弹性体、发光器以及多个支撑结构组件,且该透明弹性体上部凸出于外壳顶部;透明弹性体包括由透明材料聚二甲基硅氧烷制成的透明弹性体本体,该透明弹性体本体凸出于外壳顶部的上表面涂有两层加入硅胶的感温变色油墨材料分别形成第一感温变色层和第二感温变色层,用于实现温度、纹理及接触力信息的获取。本发明首次将感温变色油墨材料应用于机器人手,在同一感知装置中集成温度、三维接触力及纹理等多模态信息的测量,具有结构简单紧凑、可重复使用、适用范围广等优点。 CN109015763A 2018/8/30 2018/12/18 孙富春,薛红香,方斌,张春,刘华平,夏子炜 一种基于感温变色油墨材料的多模态触觉感知装置 7 清华大学 CN201811004928.1A CN109015763A 2018/8/30 0 0 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018104640734 [发明公布] 一种基于液态金属的多功能复合流体 H01B1/02(2006.01)I; H01B13/00(2006.01)I; H01M4/62(2006.01)I; H01F1/44(2006.01)I; C09K5/10(2006.01)I; B01D47/00(2006.01)I; B01D53/02(2006.01)I; C09D5/24(2006.01)I 段俊涛 2018.11.06 2018.05.15 西安智大知识产权代理事务所61215 CN108766613A 陈国镇; 刘静 100084北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室 清华大学 一种基于液态金属的多功能复合流体,由液态金属、溶剂、溶质和纳米添加物组成,以液态金属的质量为基准,溶剂的质量与液态金属质量比为0.5~1.5,溶质溶解在溶剂后所得溶液的摩尔浓度为0.1~5mol/L,纳米添加物为一种或多种,其质量占复合流体总质量的1~20%;复合导电流体不但可以迁移离子,而且可以直接传导电子,极大提高了导电效率;同时还具有双电层效应,有望发挥超级电容的高倍率特性;基于液态金属的多功能复合流体还具有良好的导热性;不但可以简单的用作导电剂,更可以根据不同纳米添加物实现更加广泛的独特功能,可广泛的应用于各领域,诸如电控变形材料、柔性电子、柔性机器、电防护材料、自然仿生等。 CN108766613A 2018/5/15 2018/11/6 陈国镇,刘静 一种基于液态金属的多功能复合流体 7 清华大学 CN201810464073.4A CN108766613A 2018/5/15 0 5 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018107720567 [发明公布] 一种具有电场监测的输电线路在线监测系统 G01D21/02(2006.01)I; G08C17/02(2006.01)I; H04B3/46(2015.01)I 王冲; 吴鑫 2018.11.23 2018.07.13 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)11594 CN108871449A 张超;  余占清; 牟亚; 黄耀升; 王晓蕊; 汤铭华; 利国华; 曾嵘; 耿屹楠; 庄池杰; 胡军; 何金良 广东省江门市蓬江区建设二路152号 广东电网有限责任公司江门供电局; 清华大学 本发明公开了一种具有电场监测的输电线路在线监测系统,包括数据监测装置、数据采集装置、无线通讯装置、终端处理器,所述数据监测装置与数据采集装置相连接,所述数据采集装置通过所述无线通讯装置与所述终端处理器相连接,所述数据采集装置能够将数据监测装置监测的模拟量信号转化为数字量信号,并传输至所述终端处理器;所述终端处理器能够在实时接收的电场强度数字量信号出现突变量时进行事故预警,和/或若输电线路出现故障时,所述终端处理器能够依据暂态数字量信号对输电线路进行事故分析。通过该系统在线监测、分析输电线路的电场强度以及输电杆塔周围的环境因素等,可以避免事故的恶化,以及为输电线路的状态检修工作提供必要的参考。 CN108871449A 2018/7/13 2018/11/23 张超,余占清,牟亚,黄耀升,王晓蕊,汤铭华,利国华,曾嵘,耿屹楠,庄池杰,胡军,何金良 一种具有电场监测的输电线路在线监测系统 5 广东电网有限责任公司江门供电局, 清华大学 CN201810772056.7A CN108871449A 2018/7/13 0 0 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018111845974 [发明公布] 一种制备合金铁和微晶玻璃的方法 C03C10/06(2006.01)I; C03B32/02(2006.01)I; C22B7/00(2006.01)I; C21B15/00(2006.01)I 刘奇 2018.12.18 2018.10.11 北京高沃律师事务所11569 CN109020231A 耿超;  刘建国; 吴世超; 贾宇锋 100000北京市海淀区双清路清华大学环境节能楼914 清华大学 本发明提供一种制备合金铁和微晶玻璃的方法,属于固体废物资源化领域。本发明高效利用垃圾焚烧飞灰中的碳、钙、重金属组分和赤泥中的铁、铝、硅和钛主要组分的协同增效效应,最终可得到合金铁和微晶玻璃,以废治废,使垃圾焚烧飞灰和赤泥这两种我国亟待处理的重要危险废物和大宗工业固废得到资源化综合利用,提高了资源综合利用率,有利于建设资源节约型社会,能够实现更高的经济价值,同时经过高温还原熔融、热处理获得的合金铁产品,比铁精矿价格更高,并且由于其中含有微量的Ni,Cu等元素,其比直接还原铁产品的价值更高;得到的微晶玻璃因含有少量钛氧化物和重金属,其综合性能更佳优异。 CN109020231A 2018/10/11 2018/12/18 耿超,刘建国,吴世超,贾宇锋 一种制备合金铁和微晶玻璃的方法 9 清华大学 CN201811184597.4A CN109020231A 2018/10/11 0 4 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018108356756 [发明公布] 降低继发性换相失败风险的FCL优化配置方法及系统 H02J3/36(2006.01)I 王戈 2018.11.23 2018.07.26 北京高沃律师事务所11569 CN108879754A 沈沉;  郑宽; 陈颖; 黄少伟; 于智同; 张璐; 包海龙 100000北京市海淀区清华园1号 清华大学; 国网上海市电力公司 本发明公开了一种降低继发性换相失败风险的故障限流器优化配置方法及系统。该方法包括:选取多个相邻直流支路之间电压交互作用因子,以电压交互作用因子最小为目标,确定目标函数;以每次安装一个故障限流器以及最多安装设定数量的故障限流器为约束条件,确定故障限流器的安装位置以及限流电抗值;在故障限流器的安装位置和限流电抗值确定后,计算多馈入高压直流输电系统相邻直流支路之间电压交互作用因子,跳转至选取多个相邻直流支路之间电压交互作用因子,以电压交互作用因子最小为目标,确定目标函数步骤,直至故障限流器达到设定安装数量,停止迭代。本发明提供的方法及系统能够满足不同换相失败风险约束条件的FCL的优化配置方案。 CN108879754A 2018/7/26 2018/11/23 沈沉,郑宽,陈颖,黄少伟,于智同,张璐,包海龙 降低继发性换相失败风险的fcl优化配置方法及系统 6 清华大学, 国网上海市电力公司 CN201810835675.6A CN108879754A 2018/7/26 0 8 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018108202781 [发明公布] 一种自体成型弹性杆空间曲面编织结构体系及其施工方法 E04B1/32(2006.01)I; F21V23/00(2015.01)I; F21V33/00(2006.01)I; F21Y115/10(2016.01)N 晁璐松 2018.12.18 2018.07.24 北京中建联合知识产权代理事务所(普通合伙)11004 CN109024893A 黄蔚欣;  吴承霖; 黄建坤; 陈致佳 100084北京市海淀区双清路30号清华园 清华大学 一种自体成型弹性杆空间曲面编织结构体系及其施工方法,结构体系包括空间曲面的骨架结构,骨架结构包括一组弹性杆件,弹性杆件通过杆体之间弯曲相互编织穿插、杆体之间各个连接点的连接形成自体成型网格状的骨架结构,连接点为铰接连接或刚接连接,弹性杆件作为该骨架结构的受力构件以及空间曲面轮廓的形成构件。弹性杆件包括主体骨架,主体骨架包括单杆、双杆套合或多杆聚合三种形式,弹性杆件还包括发光装置,结构体系还包括围护结构。本发明使用弹性材料,整体结构重量较小,材料运输方便,结构的建造和移动都非常简便。受力合理杆件连接简洁明确,传力清晰,形成自体成型弹性杆空间曲面编织结构体系,具有造型简洁美观的特点。 CN109024893A 2018/7/24 2018/12/18 黄蔚欣,吴承霖,黄建坤,陈致佳 一种自体成型弹性杆空间曲面编织结构体系及其施工方法 10 清华大学 CN201810820278.1A CN109024893A 2018/7/24 1 6 CN - , WO -
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018106688600 [发明公布] 一种具备缓存容错能力的低密度奇偶校验码译码方法 H03M13/11(2006.01)I 廖元秋 2018.11.23 2018.06.26 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 CN108880564A 殷柳国; 葛广君; 王平 100084北京市海淀区清华园1号 清华大学 本发明提出一种具备缓存容错能力的低密度奇偶校验码译码方法,属于通信编码领域。该方法首先将信道软信息作为译码输入并设定信道软信息的每个数值的量化位宽;将信道软信息作为当前软信息分组并对分组后的每组当前软信息进行自适应内嵌编码并输出新的每组当前软信息;对每组当前软信息并进行内嵌译码,输出每组译码得到的软信息;对所有译码软信息进行变量节点运算得到新的当前软信息:若达到迭代次数上限,则对当前软信息进行判决并作为译码输出。本发明能够在不占用额外存储资源,并且几乎不损失译码性能的条件下使LDPC译码方法具备缓存容错能力,提高LDPC译码方法的鲁棒性。 CN108880564A 2018/6/26 2018/11/23 殷柳国,葛广君,王平 一种具备缓存容错能力的低密度奇偶校验码译码方法 1 清华大学 CN201810668860.0A CN108880564A 2018/6/26 0 0 CN - Search and Examination
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2018106810176 [发明公布] 一种去除平面工件连接部件的图像处理方法和装置 G06T7/00(2017.01)I; G06T5/30(2006.01)I 肖佳 2018.11.23 2018.06.27 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)11489 CN108876784A 王伟华; 肖曦 100084北京市海淀区清华园1号 清华大学 一种去除平面工件连接部件的图像处理方法、装置系统及计算机可读存储介质,所述方法利用形态学基本的腐蚀、膨胀运算来去除悬挂工件的连接部件,首先,对输入图像进行预处理:填充图像孔洞区域;其次,进行图像形态学处理:预处理后的图像需经过多次腐蚀、膨胀处理;然后,进行图像连接部件区域判断:通过各个连通区域与特征图像求交集的方式来判断该连通区域是否为连接部件区域;最后,去除悬挂工件的连接部件得到有效图像:预处理后的图像与连接部件区域作差,再去除填充的孔洞区域,即可得到工件去除连接部件后的图像。本发明通过上述方法,不仅可以有效去除图像中的连接部件信息,还能够很好的保留工件图像的边缘轮廓。 CN108876784A 2018/6/27 2018/11/23 王伟华,肖曦 一种去除平面工件连接部件的图像处理方法和装置 10 清华大学 CN201810681017.6A CN108876784A 2018/6/27 0 0 CN - Search and Examination

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School name Old name of the school School identification code Competent authorities Province City School level Nature of the school Application number Patent name Classification number Priority Agent PCT released data Application announcement date PCT application data Application date Biological Preservation Original application for divisional case Patent agency Application for Publication Number PCT National Phase Entry Day Inventor Address Home country priority Applicant Brief description Patent ID Publication date of cited patents Cited patent application publication number Owner of the cited patent Name of cited patent Priority date of cited patent Whether Family to Family reference
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102219443 [发明公布] 一种清洗喷头的装置及方法 B41J2/165(2006.01)I 黄志华 2012.01.11 2010.06.30 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 CN102310647A 邢笑笑; 陈峰; 刘志红 100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 北大方正集团有限公司;  北京大学; 北京方正数字印刷技术有限公司 本发明公开了一种清洗喷头的装置及方法,该装置包括:清洗槽和负压装置,所述清洗槽装有用于浸没喷头的喷嘴的清洗液,其中,喷头的墨口与所述负压装置连通,其中,在所述负压装置的负压作用下,清洗液从喷头的喷嘴吸入,从墨口流出至所述负压装置。通过采用本发明实施例中的装置,利用负压使清洗液在喷头内部反向流动,可以防止固化的墨水和其他杂质堵塞喷头,实现更加彻底的清洁喷头的目的。 CN102310647A 2005/1/5 CN1559800A 健 梁 数码喷印机全自动喷头清洗装置及使用方法 2004/3/9 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102219443 [发明公布] 一种清洗喷头的装置及方法 B41J2/165(2006.01)I 黄志华 2012.01.11 2010.06.30 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 CN102310647A 邢笑笑; 陈峰; 刘志红 100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 北大方正集团有限公司;  北京大学; 北京方正数字印刷技术有限公司 本发明公开了一种清洗喷头的装置及方法,该装置包括:清洗槽和负压装置,所述清洗槽装有用于浸没喷头的喷嘴的清洗液,其中,喷头的墨口与所述负压装置连通,其中,在所述负压装置的负压作用下,清洗液从喷头的喷嘴吸入,从墨口流出至所述负压装置。通过采用本发明实施例中的装置,利用负压使清洗液在喷头内部反向流动,可以防止固化的墨水和其他杂质堵塞喷头,实现更加彻底的清洁喷头的目的。 CN102310647A 2006/1/19 JP2006015637A Fuji Photo Film Co Ltd インクジェット記録装置 2004/7/2 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102219443 [发明公布] 一种清洗喷头的装置及方法 B41J2/165(2006.01)I 黄志华 2012.01.11 2010.06.30 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 CN102310647A 邢笑笑; 陈峰; 刘志红 100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 北大方正集团有限公司;  北京大学; 北京方正数字印刷技术有限公司 本发明公开了一种清洗喷头的装置及方法,该装置包括:清洗槽和负压装置,所述清洗槽装有用于浸没喷头的喷嘴的清洗液,其中,喷头的墨口与所述负压装置连通,其中,在所述负压装置的负压作用下,清洗液从喷头的喷嘴吸入,从墨口流出至所述负压装置。通过采用本发明实施例中的装置,利用负压使清洗液在喷头内部反向流动,可以防止固化的墨水和其他杂质堵塞喷头,实现更加彻底的清洁喷头的目的。 CN102310647A 2008/9/4 JP2008201021A Musashi Eng Co Ltd インクジェットヘッドのクリーニング方法および機構並びに装置 2007/2/21 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102219443 [发明公布] 一种清洗喷头的装置及方法 B41J2/165(2006.01)I 黄志华 2012.01.11 2010.06.30 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 CN102310647A 邢笑笑; 陈峰; 刘志红 100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 北大方正集团有限公司;  北京大学; 北京方正数字印刷技术有限公司 本发明公开了一种清洗喷头的装置及方法,该装置包括:清洗槽和负压装置,所述清洗槽装有用于浸没喷头的喷嘴的清洗液,其中,喷头的墨口与所述负压装置连通,其中,在所述负压装置的负压作用下,清洗液从喷头的喷嘴吸入,从墨口流出至所述负压装置。通过采用本发明实施例中的装置,利用负压使清洗液在喷头内部反向流动,可以防止固化的墨水和其他杂质堵塞喷头,实现更加彻底的清洁喷头的目的。 CN102310647A 2007/10/10 CN101049761A 复旦大学 一种压电式喷墨打印机的打印头清洗方法及装置 2007/5/10 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010616564X [发明公布] 图像修复的方法与系统 G06T5/00(2006.01)I 吴贵明 2012.07.11 2010.12.30 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 CN102567955A 刘文; 郎咸朋; 李平立 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 方正国际软件(北京)有限公司 本发明提供了一种图像修复的方法与系统,用以解决现有技术中图像修复效果较差的问题。该方法包括:确定图像待修复区域的轮廓;分别对图像所述待修复区域的所有轮廓点设定邻域的未知像素点进行修复,将修复得到的图像作为更新后图像;重复进行上述两个步骤,对图像待修复区域从边缘向内的依次进行分层修复,直至待修复区域全部填充完毕。 CN102567955A 2010/1/27 CN101635047A 湖南大学 基于小波变换的纹理合成图像修复方法 2009/3/25 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010616564X [发明公布] 图像修复的方法与系统 G06T5/00(2006.01)I 吴贵明 2012.07.11 2010.12.30 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 CN102567955A 刘文; 郎咸朋; 李平立 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 方正国际软件(北京)有限公司 本发明提供了一种图像修复的方法与系统,用以解决现有技术中图像修复效果较差的问题。该方法包括:确定图像待修复区域的轮廓;分别对图像所述待修复区域的所有轮廓点设定邻域的未知像素点进行修复,将修复得到的图像作为更新后图像;重复进行上述两个步骤,对图像待修复区域从边缘向内的依次进行分层修复,直至待修复区域全部填充完毕。 CN102567955A 2010/7/14 CN101777178A 南京大学 一种图像修复方法 2010/1/28 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2012102328609 [发明公布] 一种分叉烷基链及其制备和在有机共轭分子中的应用 C07C31/02(2006.01)I; C07C29/00(2006.01)I; C07C19/07(2006.01)I; C07C17/16(2006.01)I; C07C211/03(2006.01)I; C07C209/42(2006.01)I; C07C247/04(2006.01)I; C07D209/34(2006.01)I; C08G61/12(2006.01)I; H01L51/30(2006.01)I; H01L51/46(2006.01)I; H01L51/54(2006.01)I 黄志华 2012.11.14 2012.07.05 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 CN102775273A 裴坚; 雷霆; 窦锦虎 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 京东方科技集团股份有限公司 本发明公开了一种分叉烷基链及其制备和在有机共轭分子中的应用。将该分叉烷基链作为增溶基团应用于有机共轭分子(特别是有机共轭聚合)的制备,所形成的烷基侧链与主干的亚甲基间隔数目m>1,能够有效减少烷基链对主干π-π堆积的影响,从而在保证有机共轭分子溶解度的同时极大地提高了其载流子的迁移率,适于用作有机场效应晶体管、有机太阳能电池和有机发光二极管等光电器件中的有机半导体材料。 CN102775273A 2015/10/14 JP5793134B2 株式会社Adeka ペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含有してなる有機半導体材料、及び有機半導体素子 2010/2/25 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2012102328609 [发明公布] 一种分叉烷基链及其制备和在有机共轭分子中的应用 C07C31/02(2006.01)I; C07C29/00(2006.01)I; C07C19/07(2006.01)I; C07C17/16(2006.01)I; C07C211/03(2006.01)I; C07C209/42(2006.01)I; C07C247/04(2006.01)I; C07D209/34(2006.01)I; C08G61/12(2006.01)I; H01L51/30(2006.01)I; H01L51/46(2006.01)I; H01L51/54(2006.01)I 黄志华 2012.11.14 2012.07.05 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 CN102775273A 裴坚; 雷霆; 窦锦虎 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 京东方科技集团股份有限公司 本发明公开了一种分叉烷基链及其制备和在有机共轭分子中的应用。将该分叉烷基链作为增溶基团应用于有机共轭分子(特别是有机共轭聚合)的制备,所形成的烷基侧链与主干的亚甲基间隔数目m>1,能够有效减少烷基链对主干π-π堆积的影响,从而在保证有机共轭分子溶解度的同时极大地提高了其载流子的迁移率,适于用作有机场效应晶体管、有机太阳能电池和有机发光二极管等光电器件中的有机半导体材料。 CN102775273A 2010/1/20 CN101631553A 宝利普拉斯生物转染公司 转染具有基因沉默活性的寡核苷酸的组合物及其生物和治疗应用 2006/4/6 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2012102327610 [发明公布] 一种新型外腔半导体激光器 H01S5/14(2006.01)I; H01S5/10(2006.01)I 陈美章 2014.01.22 2012.07.05 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN103532011A 陈徐宗;  齐向晖; 张胤; 杨仕峰; 林斌 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 北京优立光太科技有限公司 本发明公开了一种新型外腔半导体激光器,属于光电子技术领域。本发明的激光器包括激光管热沉调节架A、光栅反射镜组件B、激光器底座C;激光管热沉调节架A上安装一激光管(1),光栅反射镜组件B包括一反射式光栅(9)和一反射镜(14),激光器底座C上设有一圆弧形的精密导轨(11);光栅反射镜组件B置于精密导轨(11)中;其中,反射式光栅(9)用于接收激光管(1)输出的光并将其反射至反射镜(14)的反射面,精密导轨(11)的转动轴线为反射式光栅(9)反射面延长线与激光管(1)出射端口面延长线的交线。与现有技术相比,本发明解决了机械稳定,同时大大提高了连续可调谐范围。 CN103532011A 2003/10/2 US20030184890A1 Shosuke Miyaki Wavelength tuning mechanism 2002/3/28 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2012102327610 [发明公布] 一种新型外腔半导体激光器 H01S5/14(2006.01)I; H01S5/10(2006.01)I 陈美章 2014.01.22 2012.07.05 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN103532011A 陈徐宗;  齐向晖; 张胤; 杨仕峰; 林斌 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 北京优立光太科技有限公司 本发明公开了一种新型外腔半导体激光器,属于光电子技术领域。本发明的激光器包括激光管热沉调节架A、光栅反射镜组件B、激光器底座C;激光管热沉调节架A上安装一激光管(1),光栅反射镜组件B包括一反射式光栅(9)和一反射镜(14),激光器底座C上设有一圆弧形的精密导轨(11);光栅反射镜组件B置于精密导轨(11)中;其中,反射式光栅(9)用于接收激光管(1)输出的光并将其反射至反射镜(14)的反射面,精密导轨(11)的转动轴线为反射式光栅(9)反射面延长线与激光管(1)出射端口面延长线的交线。与现有技术相比,本发明解决了机械稳定,同时大大提高了连续可调谐范围。 CN103532011A 2004/4/1 US20040062281A1 Trutna William Richard Tuning mechanism for a tunable external-cavity laser 2002/10/1 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2012102327610 [发明公布] 一种新型外腔半导体激光器 H01S5/14(2006.01)I; H01S5/10(2006.01)I 陈美章 2014.01.22 2012.07.05 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN103532011A 陈徐宗;  齐向晖; 张胤; 杨仕峰; 林斌 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 北京优立光太科技有限公司 本发明公开了一种新型外腔半导体激光器,属于光电子技术领域。本发明的激光器包括激光管热沉调节架A、光栅反射镜组件B、激光器底座C;激光管热沉调节架A上安装一激光管(1),光栅反射镜组件B包括一反射式光栅(9)和一反射镜(14),激光器底座C上设有一圆弧形的精密导轨(11);光栅反射镜组件B置于精密导轨(11)中;其中,反射式光栅(9)用于接收激光管(1)输出的光并将其反射至反射镜(14)的反射面,精密导轨(11)的转动轴线为反射式光栅(9)反射面延长线与激光管(1)出射端口面延长线的交线。与现有技术相比,本发明解决了机械稳定,同时大大提高了连续可调谐范围。 CN103532011A 2009/12/16 CN101604818A 山东远普光学股份有限公司 连续无跳模可调谐光栅外腔半导体激光器 2009/6/30 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016110365044 [发明公布] 超声射频元数据的自动识别方法及系统 A61B8/00(2006.01)I; G06K9/62(2006.01)I; G06N3/08(2006.01)I 苏婷婷 2017.05.31 2016.11.09 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 CN106725592A 王月香;  罗渝昆; 蒋文莉; 文晶; 张嘉宾; 龙云飞; 陈惠人; 奚水; 张珏; 方竞 215123江苏省苏州市工业园区新发路27号A栋5楼、C栋4楼 飞依诺科技(苏州)有限公司;  中国人民解放军总医院; 北京大学 本发明提供的超声射频元数据的自动识别方法及系统,所述方法包括以下步骤:采集超声回波信号,将其合成并为超声射频元数据信号;直接对超声射频元数据信号进行Hilbert解包络,以生成解调信号;选取感兴趣区域,提取其内所述解调信号中的特征信号,并进行特征描述;将所述特征信号作为输入向量输入到至少两种不同的分类机中,得到各自的AUC结果;通过AUC结果选择其中一种分类机,并将其识别结果最为最终的识别结果。本发明提取的特征涵盖强度、纹理、分形,能更全面地表征图像的特点;进一步的,本发明采用多种分类器并取最优分类器,克服分类器本身的局限性。 CN106725592A 2005/12/8 WO2005116685A1 Advanced Medical Diagnostics Holding S.A. Method and device for tissue characterization 2004/5/27 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016110365044 [发明公布] 超声射频元数据的自动识别方法及系统 A61B8/00(2006.01)I; G06K9/62(2006.01)I; G06N3/08(2006.01)I 苏婷婷 2017.05.31 2016.11.09 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 CN106725592A 王月香;  罗渝昆; 蒋文莉; 文晶; 张嘉宾; 龙云飞; 陈惠人; 奚水; 张珏; 方竞 215123江苏省苏州市工业园区新发路27号A栋5楼、C栋4楼 飞依诺科技(苏州)有限公司;  中国人民解放军总医院; 北京大学 本发明提供的超声射频元数据的自动识别方法及系统,所述方法包括以下步骤:采集超声回波信号,将其合成并为超声射频元数据信号;直接对超声射频元数据信号进行Hilbert解包络,以生成解调信号;选取感兴趣区域,提取其内所述解调信号中的特征信号,并进行特征描述;将所述特征信号作为输入向量输入到至少两种不同的分类机中,得到各自的AUC结果;通过AUC结果选择其中一种分类机,并将其识别结果最为最终的识别结果。本发明提取的特征涵盖强度、纹理、分形,能更全面地表征图像的特点;进一步的,本发明采用多种分类器并取最优分类器,克服分类器本身的局限性。 CN106725592A 2008/1/23 CN101109732A 哈尔滨工业大学 基于模糊平面特征的超声无损检测回波信号分类方法 2007/8/8 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016110365044 [发明公布] 超声射频元数据的自动识别方法及系统 A61B8/00(2006.01)I; G06K9/62(2006.01)I; G06N3/08(2006.01)I 苏婷婷 2017.05.31 2016.11.09 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 CN106725592A 王月香;  罗渝昆; 蒋文莉; 文晶; 张嘉宾; 龙云飞; 陈惠人; 奚水; 张珏; 方竞 215123江苏省苏州市工业园区新发路27号A栋5楼、C栋4楼 飞依诺科技(苏州)有限公司;  中国人民解放军总医院; 北京大学 本发明提供的超声射频元数据的自动识别方法及系统,所述方法包括以下步骤:采集超声回波信号,将其合成并为超声射频元数据信号;直接对超声射频元数据信号进行Hilbert解包络,以生成解调信号;选取感兴趣区域,提取其内所述解调信号中的特征信号,并进行特征描述;将所述特征信号作为输入向量输入到至少两种不同的分类机中,得到各自的AUC结果;通过AUC结果选择其中一种分类机,并将其识别结果最为最终的识别结果。本发明提取的特征涵盖强度、纹理、分形,能更全面地表征图像的特点;进一步的,本发明采用多种分类器并取最优分类器,克服分类器本身的局限性。 CN106725592A 2015/11/11 CN105030279A 华南理工大学 一种基于超声射频时间序列的组织定征方法 2015/6/24 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015105871963 [发明公布] 一种抗生育药、药物制剂及应用 A61K31/365(2006.01)I; A61P15/18(2006.01)I 张苗; 严政 2017.03.22 2015.09.15 北京润平知识产权代理有限公司11283 CN106511334A 钱越英;  谢淑武; 魏雪涛; 陈平; 李国停; 楼辉; 张锁慧; 朱焰; 杨国忠; 蒋建军; 佟振合; 薛社谱 100190北京市海淀区中关村东路29号 中国科学院理化技术研究所;  上海市计划生育科学研究所; 北京大学 本发明涉及医药领域,公开了一种抗生育药,其中,所述抗生育药含有鬼臼毒素类化合物,所述抗生育药应用于哺乳动物的杀精避孕。还公开了一种药物制剂,该药物制剂含有活性成分,其中,所述活性成分为本发明提供的抗生育药。本发明还提供了鬼臼毒素类化合物在制备抗生育药中的应用,其中,所述抗生育药应用于哺乳动物的生殖道内的杀精避孕。本发明提供的所述鬼臼毒素类化合物可以直接作为雌性哺乳动物的生殖道内的杀精避孕,特别是人类女性的生殖道内的杀精避孕药物,安全性高,并且对人体器官的毒性小。因此,本发明提供的所述抗生育药对于提高生殖健康水平具有非常重要的现实意义和应用推广价值。 CN106511334A 1978/9/6 GB1523722A Davis G L R Pharmaceutical compositions 1975/8/6 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2017107252647 [发明公布] 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件 H01L51/00(2006.01)I; H01L51/40(2006.01)I; H01L51/05(2006.01)I 许静; 刘伟 2019.03.05 2017.08.22 北京银龙知识产权代理有限公司11243 CN109427974A 孟虎;  梁学磊; 夏继业; 黄奇 100015北京市朝阳区酒仙桥路10号 京东方科技集团股份有限公司; 北京大学 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化,其中,形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层,所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动,对有源层具有空穴掺杂的效果,从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题,提升产品的性能。 CN109427974A 2008/11/12 KR20080099084A 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 2007/5/8 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2017107252647 [发明公布] 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件 H01L51/00(2006.01)I; H01L51/40(2006.01)I; H01L51/05(2006.01)I 许静; 刘伟 2019.03.05 2017.08.22 北京银龙知识产权代理有限公司11243 CN109427974A 孟虎;  梁学磊; 夏继业; 黄奇 100015北京市朝阳区酒仙桥路10号 京东方科技集团股份有限公司; 北京大学 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化,其中,形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层,所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动,对有源层具有空穴掺杂的效果,从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题,提升产品的性能。 CN109427974A 2016/5/4 CN105552114A 华南理工大学 一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 2015/12/14 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2017107252647 [发明公布] 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件 H01L51/00(2006.01)I; H01L51/40(2006.01)I; H01L51/05(2006.01)I 许静; 刘伟 2019.03.05 2017.08.22 北京银龙知识产权代理有限公司11243 CN109427974A 孟虎;  梁学磊; 夏继业; 黄奇 100015北京市朝阳区酒仙桥路10号 京东方科技集团股份有限公司; 北京大学 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化,其中,形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层,所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动,对有源层具有空穴掺杂的效果,从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题,提升产品的性能。 CN109427974A 2016/6/15 CN105679676A 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 2016/3/1 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2017107252647 [发明公布] 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件 H01L51/00(2006.01)I; H01L51/40(2006.01)I; H01L51/05(2006.01)I 许静; 刘伟 2019.03.05 2017.08.22 北京银龙知识产权代理有限公司11243 CN109427974A 孟虎;  梁学磊; 夏继业; 黄奇 100015北京市朝阳区酒仙桥路10号 京东方科技集团股份有限公司; 北京大学 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化,其中,形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层,所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动,对有源层具有空穴掺杂的效果,从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题,提升产品的性能。 CN109427974A 2008/8/21 US20080197414A1 Randy Hoffman Method of forming a thin film component 2004/10/29 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2017107252647 [发明公布] 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件 H01L51/00(2006.01)I; H01L51/40(2006.01)I; H01L51/05(2006.01)I 许静; 刘伟 2019.03.05 2017.08.22 北京银龙知识产权代理有限公司11243 CN109427974A 孟虎;  梁学磊; 夏继业; 黄奇 100015北京市朝阳区酒仙桥路10号 京东方科技集团股份有限公司; 北京大学 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化,其中,形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层,所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动,对有源层具有空穴掺杂的效果,从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题,提升产品的性能。 CN109427974A 2016/7/27 CN105810746A 清华大学 N型薄膜晶体管 2014/12/31 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2017107252647 [发明公布] 一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件 H01L51/00(2006.01)I; H01L51/40(2006.01)I; H01L51/05(2006.01)I 许静; 刘伟 2019.03.05 2017.08.22 北京银龙知识产权代理有限公司11243 CN109427974A 孟虎;  梁学磊; 夏继业; 黄奇 100015北京市朝阳区酒仙桥路10号 京东方科技集团股份有限公司; 北京大学 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化,其中,形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层,所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动,对有源层具有空穴掺杂的效果,从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题,提升产品的性能。 CN109427974A 2016/7/27 CN105810747A 清华大学 N型薄膜晶体管 2014/12/31 FALSE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014102425769 [发明公布] 基于温度调控的铌酸锂热释电材料在吸附大气颗粒物中的应用 B03C3/28(2006.01)I; B03C3/78(2006.01)I 关畅 2015.12.30 2014.06.03 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN105195325A 关丽;  高迪; 高雪; 张美宁 100872北京市海淀区中关村大街59号 中国人民大学 本发明提供了基于温度调控的铌酸锂热释电材料作为空气过滤材料在吸附大气颗粒物中的应用以及一种采用铌酸锂作为空气过滤材料的吸附大气颗粒物的方法,铌酸锂在加热的温差刺激下释放电荷,实现对大气颗粒物的吸附。所述加热后的铌酸锂的温度为30-150℃,优选80-150℃,最优选100℃。所述方法还包括:在颗粒物吸附饱和后,用水清洗所述铌酸锂热释电材料去除吸附的颗粒物,重新加热,以实现对颗粒物的可重复释电吸附。铌酸锂在加热时能够产生足够的静电吸附力,有效地吸附空气中的粉尘,PM10,PM2.5以及亚微米颗粒,且在温度作用下的介电损耗小,因此能够对其进行反复充电,且能稳定储存电荷,从而延长了使用寿命。 CN105195325A 1993/8/25 CN1075514A 明尼苏达州采矿制造公司 插有棉麻织品的静电织维过滤布 1992/2/20 FALSE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014102425769 [发明公布] 基于温度调控的铌酸锂热释电材料在吸附大气颗粒物中的应用 B03C3/28(2006.01)I; B03C3/78(2006.01)I 关畅 2015.12.30 2014.06.03 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN105195325A 关丽;  高迪; 高雪; 张美宁 100872北京市海淀区中关村大街59号 中国人民大学 本发明提供了基于温度调控的铌酸锂热释电材料作为空气过滤材料在吸附大气颗粒物中的应用以及一种采用铌酸锂作为空气过滤材料的吸附大气颗粒物的方法,铌酸锂在加热的温差刺激下释放电荷,实现对大气颗粒物的吸附。所述加热后的铌酸锂的温度为30-150℃,优选80-150℃,最优选100℃。所述方法还包括:在颗粒物吸附饱和后,用水清洗所述铌酸锂热释电材料去除吸附的颗粒物,重新加热,以实现对颗粒物的可重复释电吸附。铌酸锂在加热时能够产生足够的静电吸附力,有效地吸附空气中的粉尘,PM10,PM2.5以及亚微米颗粒,且在温度作用下的介电损耗小,因此能够对其进行反复充电,且能稳定储存电荷,从而延长了使用寿命。 CN105195325A 1994/2/17 WO1994003276A1 E.V.E. Holdings Limited Electrostatic filter 1992/7/30 FALSE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014102425769 [发明公布] 基于温度调控的铌酸锂热释电材料在吸附大气颗粒物中的应用 B03C3/28(2006.01)I; B03C3/78(2006.01)I 关畅 2015.12.30 2014.06.03 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN105195325A 关丽;  高迪; 高雪; 张美宁 100872北京市海淀区中关村大街59号 中国人民大学 本发明提供了基于温度调控的铌酸锂热释电材料作为空气过滤材料在吸附大气颗粒物中的应用以及一种采用铌酸锂作为空气过滤材料的吸附大气颗粒物的方法,铌酸锂在加热的温差刺激下释放电荷,实现对大气颗粒物的吸附。所述加热后的铌酸锂的温度为30-150℃,优选80-150℃,最优选100℃。所述方法还包括:在颗粒物吸附饱和后,用水清洗所述铌酸锂热释电材料去除吸附的颗粒物,重新加热,以实现对颗粒物的可重复释电吸附。铌酸锂在加热时能够产生足够的静电吸附力,有效地吸附空气中的粉尘,PM10,PM2.5以及亚微米颗粒,且在温度作用下的介电损耗小,因此能够对其进行反复充电,且能稳定储存电荷,从而延长了使用寿命。 CN105195325A 1999/2/24 CN1209178A 金伯利-克拉克环球有限公司 高效呼吸罩织物 1995/12/22 FALSE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014102425769 [发明公布] 基于温度调控的铌酸锂热释电材料在吸附大气颗粒物中的应用 B03C3/28(2006.01)I; B03C3/78(2006.01)I 关畅 2015.12.30 2014.06.03 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN105195325A 关丽;  高迪; 高雪; 张美宁 100872北京市海淀区中关村大街59号 中国人民大学 本发明提供了基于温度调控的铌酸锂热释电材料作为空气过滤材料在吸附大气颗粒物中的应用以及一种采用铌酸锂作为空气过滤材料的吸附大气颗粒物的方法,铌酸锂在加热的温差刺激下释放电荷,实现对大气颗粒物的吸附。所述加热后的铌酸锂的温度为30-150℃,优选80-150℃,最优选100℃。所述方法还包括:在颗粒物吸附饱和后,用水清洗所述铌酸锂热释电材料去除吸附的颗粒物,重新加热,以实现对颗粒物的可重复释电吸附。铌酸锂在加热时能够产生足够的静电吸附力,有效地吸附空气中的粉尘,PM10,PM2.5以及亚微米颗粒,且在温度作用下的介电损耗小,因此能够对其进行反复充电,且能稳定储存电荷,从而延长了使用寿命。 CN105195325A 2002/7/30 JP2002210383A Toyo Commun Equip Co Ltd 静電フィルタ 2001/1/22 FALSE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016100167263 [发明公布] 一种内存云计算平台上的数据仓库安全OLAP方法 G06F17/30(2006.01)I; G06F21/62(2013.01)I 徐宁; 孙楠 2016.06.22 2016.01.12 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN105701200A 张延松; 张宇; 王珊 100872北京市海淀区中关村大街59号中国人民大学明德商学楼110室 中国人民大学 本发明涉及一种内存云计算平台上的数据仓库安全OLAP方法,在OLAP计算模型上消除事实表语义信息,事实表只存储数值型数据而不存储数据描述信息;在OLAP计算模型上采用基于编码的计算方法,在企业内部私有数据平台上进行维表查询和编码,在事实表存储云平台上实现基于无语义编码上的多维计算,编码的OLAP查询结果返回企业内部私有数据平台后进行语义解析,返回真实的查询结果;云平台事实表存储通过增加安全维度对度量属性进行编码,改变原始度量属性存储方式,防止对事实表度量属性的非法访问。本发明能够支持企业数据仓库数据在云平台上的存储和计算,提高OLAP计算的性价比并保证企业数据安全,能够应用于企业内存OLAP云计算或其他OLAP计算应用中。 CN105701200A 2009/10/21 CN101561854A 江苏大学 一种序列模式挖掘隐私数据保护方法 2009/5/22 FALSE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016100167263 [发明公布] 一种内存云计算平台上的数据仓库安全OLAP方法 G06F17/30(2006.01)I; G06F21/62(2013.01)I 徐宁; 孙楠 2016.06.22 2016.01.12 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN105701200A 张延松; 张宇; 王珊 100872北京市海淀区中关村大街59号中国人民大学明德商学楼110室 中国人民大学 本发明涉及一种内存云计算平台上的数据仓库安全OLAP方法,在OLAP计算模型上消除事实表语义信息,事实表只存储数值型数据而不存储数据描述信息;在OLAP计算模型上采用基于编码的计算方法,在企业内部私有数据平台上进行维表查询和编码,在事实表存储云平台上实现基于无语义编码上的多维计算,编码的OLAP查询结果返回企业内部私有数据平台后进行语义解析,返回真实的查询结果;云平台事实表存储通过增加安全维度对度量属性进行编码,改变原始度量属性存储方式,防止对事实表度量属性的非法访问。本发明能够支持企业数据仓库数据在云平台上的存储和计算,提高OLAP计算的性价比并保证企业数据安全,能够应用于企业内存OLAP云计算或其他OLAP计算应用中。 CN105701200A 2014/3/12 CN103631911A 中国人民大学 基于数组存储和向量处理的olap查询处理方法 2013/11/27 FALSE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016100167263 [发明公布] 一种内存云计算平台上的数据仓库安全OLAP方法 G06F17/30(2006.01)I; G06F21/62(2013.01)I 徐宁; 孙楠 2016.06.22 2016.01.12 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN105701200A 张延松; 张宇; 王珊 100872北京市海淀区中关村大街59号中国人民大学明德商学楼110室 中国人民大学 本发明涉及一种内存云计算平台上的数据仓库安全OLAP方法,在OLAP计算模型上消除事实表语义信息,事实表只存储数值型数据而不存储数据描述信息;在OLAP计算模型上采用基于编码的计算方法,在企业内部私有数据平台上进行维表查询和编码,在事实表存储云平台上实现基于无语义编码上的多维计算,编码的OLAP查询结果返回企业内部私有数据平台后进行语义解析,返回真实的查询结果;云平台事实表存储通过增加安全维度对度量属性进行编码,改变原始度量属性存储方式,防止对事实表度量属性的非法访问。本发明能够支持企业数据仓库数据在云平台上的存储和计算,提高OLAP计算的性价比并保证企业数据安全,能够应用于企业内存OLAP云计算或其他OLAP计算应用中。 CN105701200A 2015/4/15 CN104517069A 联想(北京)有限公司 一种信息处理方法及电子设备 2015/1/12 FALSE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016100167263 [发明公布] 一种内存云计算平台上的数据仓库安全OLAP方法 G06F17/30(2006.01)I; G06F21/62(2013.01)I 徐宁; 孙楠 2016.06.22 2016.01.12 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN105701200A 张延松; 张宇; 王珊 100872北京市海淀区中关村大街59号中国人民大学明德商学楼110室 中国人民大学 本发明涉及一种内存云计算平台上的数据仓库安全OLAP方法,在OLAP计算模型上消除事实表语义信息,事实表只存储数值型数据而不存储数据描述信息;在OLAP计算模型上采用基于编码的计算方法,在企业内部私有数据平台上进行维表查询和编码,在事实表存储云平台上实现基于无语义编码上的多维计算,编码的OLAP查询结果返回企业内部私有数据平台后进行语义解析,返回真实的查询结果;云平台事实表存储通过增加安全维度对度量属性进行编码,改变原始度量属性存储方式,防止对事实表度量属性的非法访问。本发明能够支持企业数据仓库数据在云平台上的存储和计算,提高OLAP计算的性价比并保证企业数据安全,能够应用于企业内存OLAP云计算或其他OLAP计算应用中。 CN105701200A 2015/5/27 CN104657494A 四川智羽软件有限公司 一种网站数据库访问方法 2015/3/6 FALSE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016108730410 [发明公布] 一种大面积超薄单晶及其快速生长方法 B22F3/22(2006.01)I; B22F3/14(2006.01)I; C30B11/00(2006.01)I; C30B29/16(2006.01)I 关畅 2017.01.04 2016.09.30 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN106270523A 曹永革; 麻朝阳 100872北京市海淀区中关村大街59号 中国人民大学 本发明公开了一种大面积超薄单晶及其快速生长方法。该方法包括:以荧光粉和氧化物基质为原料,或者以荧光粉、氧化物基质和稀土氧化物为原料,制备得到流模片后,再进行晶体生长,得到所述单晶。该方法具有如下优势:发光离子分布均匀浓度可控,大面积超薄片,超短生长周期,生长温度低,成本低产量高。 CN106270523A 2005/1/5 CN1560332A 中国科学院上海光学精密机械研究所 掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法 2004/2/23 TRUE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016108730410 [发明公布] 一种大面积超薄单晶及其快速生长方法 B22F3/22(2006.01)I; B22F3/14(2006.01)I; C30B11/00(2006.01)I; C30B29/16(2006.01)I 关畅 2017.01.04 2016.09.30 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN106270523A 曹永革; 麻朝阳 100872北京市海淀区中关村大街59号 中国人民大学 本发明公开了一种大面积超薄单晶及其快速生长方法。该方法包括:以荧光粉和氧化物基质为原料,或者以荧光粉