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索引ID(授权公告号)专利ID被引用专利公开日期被引用专利优先权日被引用专利申请公布号被引用专利名称被引用专利所有权人是否FTF引用申请号网站标题分类号优先权代理人PCT公布数据简要说明PCT申请数据公告号申请日分案原申请授权公告日专利代理机构专利权人PCT进入国家阶段日发明人地址公告日本国优先权授权公告号申请人申请公布日生物保藏申请公布号版权所有主办单位审定公告日同一申请的已公布的文献号审定号对比文件设计人
CN104445515BCN104445515B1989-06-261983-02-01JPH0131420B2Nichibi Kktrue
CN104445515BCN104445515B1988-12-271985-05-06CA1247329AFluid treatment process and apparatusCraig J. Browntrue
CN104445515BCN104445515B1990-06-131989-10-10CN2058183U改进的离子交换柱华东建筑设计院true
CN104445515BCN104445515B2012-07-252011-12-14CN202346856U一种离子交换法制备分析试验室用纯水的装置河南科技大学true2011205221430实用新型 一种离子交换法制备分析试验室用纯水的装置C02F9/04(2006.01)I;同样的发明创造已同日申请发明专利罗民健一种离子交换法制备分析试验室用纯水的装置。在复柱系统之后串联一多级复柱交换柱,构成复柱—多级复柱离子交换纯水装置;将阳离子交换树脂和阴离子交换树脂按一定比例交替的装填在一根长度较小的交换柱中,两种树脂之间用筛板隔开,形成多级复柱单元,若干个多级复柱单元串接形成多级复柱。与复柱法相比,因串联了一多级复柱,在该柱中可实现多次交换平衡,使出水纯度增加;与混合柱相比,因阳、阴两种离子交换树脂用筛板隔开,避免了两种树脂直接混合,使得再生容易。2011.12.142012.07.25洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120河南科技大学孙鲜明;  韩建国; 成玉梅; 朱书法; 李欣471000河南省洛阳市涧西区西苑路48号CN202346856U
CN104445515BCN104445515B2013-06-262012-12-15CN203021375U一种离子交换制备纯水装置惠州市永卓科技有限公司true2012206927031实用新型 一种离子交换制备纯水装置C02F9/04(2006.01)I; C02F1/42(2006.01)N; C02F103/04(2006.01)N本实用新型涉提供了一种离子交换制备纯水装置,由过滤装置、离子交换柱系统、中转箱及复合交换柱系统所组成,其特征在于:所述的过滤装置、离子交换柱系统、中转箱及复合交换柱系统通过管道依次连接,离子交换柱系统由一根阳离子交换柱、一根阴离子交换柱及一根中性交换柱组成,阳离子交换柱与阴离子交换柱并列后再与中性交换柱串联,复合交换柱系统包括三组交换单元,三组交换单元通过管道串联连接,每个交换单元由一个阳离子交换罐及一根阴离子交换罐组成,阳离子交换罐及阴离子交换罐串联连接。本实用新型结构简单,在传统的离子交换柱系统后串联三组交换单元,实现多次交换平衡,使出水纯度增加,同时再生容易,提高了生产的效率。2012.12.152013.06.26惠州市永卓科技有限公司方高516006广东省惠州市惠城区惠环办事处西坑永光工业区3号综合楼CN203021375U
CN104512957BCN104512957B2006-12-272003-10-30CN1886345A通过氧化和膜过滤净化含水排放物的设备和方法Otv股份有限公司false
CN104512957BCN104512957B2013-04-172013-01-05CN103043829A一种稠油炼化污水预处理的方法及装置中国石油大学(北京)false201310002588X发明公布 一种稠油炼化污水预处理的方法及装置C02F9/04(2006.01)I丁香兰; 韩蕾本发明提供了一种稠油炼化污水预处理的方法及装置,所述的方法是采用“均质沉降-破乳除油除硫-混凝沉降除硫-一级臭氧氧化-二级臭氧催化氧化”的技术路线对稠油炼化过程中产生的高含油重度污染污水进行预处理,其中所述“均质沉降-破乳除油除硫-混凝沉降除硫”工序主要是通过物化手段最大限度地回收稠油资源,去除泥渣、SS等非溶解态污染物,之后水样进一步经过一级臭氧氧化-二级臭氧催化氧化处理,降低水质的急性生物毒性,并提高生物降解性能。经本发明预处理后的污水满足一般炼油污水场生化处理工艺的进水要求;并且,本发明在预处理稠油炼化污水时,还可实现回收油类资源、消除恶臭气体污染等多种功能。-2013.01.05-北京三友知识产权代理有限公司11127-陈春茂;  阎光绪; 王庆宏; 陈红硕; 郝海飞; 郭绍辉102249北京市昌平区府学路18号--中国石油大学(北京)2013.04.17CN103043829A
CN104479757BCN104479757B1989-01-041988-03-10CN2030199U常压固定床煤气发生炉太原重型机器厂true
CN104479757BCN104479757B2014-12-102013-04-25CN103194273B双段式煤气发生装置佛山市奥肯机械有限公司true2013101479377发明授权 双段式煤气发生装置C10J3/60(2006.01)I; C10J3/82(2006.01)I; C10J3/66(2006.01)I; C10J3/20(2006.01)I; C10J3/36(2006.01)I; C10J3/72(2006.01)I本发明公开了一种双段式煤气发生装置;以往的煤气发生炉鼓风分布不均匀,煤炭的利用率较低,产气量较少;本发明由于采用6层复合式结构的炉栅,使炉栅最大直径可达到3.22米,整体炉内径可达到4-20米,扩大了整体炉内可用容积,提高单炉的煤气产出量,并且本发明在炉栅的出风口设置有两个倾角分别为27度和22度的长条形上布风口即上、下布风口,两个长条形上、下布风口相互间隔交错排列,形成上大倾角布风及下小倾角布风相结合的形式,从而使气化剂在发生炉内交错布风,分布更加均匀,气化更加完全,热效率大大提高,节省能源,整体发生炉布风均匀、煤气产量高、煤气质量稳定,占地面积少,能更好地节能降耗;本发明适应于各种双段式煤气发生装置。-2013.04.252014.12.10佛山市奥肯机械有限公司赵秋生528000广东省佛山市南海区狮山镇小塘新塘工业区-CN103194273B-
CN104479757BCN104479757B2016-08-242014-12-11CN104479747B一种煤制合成气的工艺及设备赛鼎工程有限公司true2014107678824发明授权 一种煤制合成气的工艺及设备C10J3/20(2006.01)I; C10J3/30(2006.01)I; C10J3/42(2006.01)I; C10J3/84(2006.01)I; C10J3/86(2006.01)I魏树巍一种煤制合成气的工艺是碎煤经过气化后通过气化室中部引出粗煤气装置(3)时抽出体积比5?60%的粗煤气,经洗涤冷却器Ⅰ(5)的粗煤气进入废热锅炉Ⅰ(8)回收余热;剩余体积比40?95%的粗煤气通过双通道静态布煤器(2)上的煤气通道III引出,经洗涤冷却器Ⅱ(6)降温粗煤气经气液分离器(11)分离出冷凝液后的粗煤气(18)送到下游工序,洗涤后的冷凝液送去煤气水分离装置(15)回收;本发明具有节能,运行成本低、煤尘带出量少,含焦油煤气水少的优点。-2014.12.112016.08.24山西五维专利事务所(有限公司)14105赛鼎工程有限公司张庆庚;  王景超; 杨伟; 左永飞030032山西省太原市高新区晋阳街赛鼎大厦-CN104479747B-
CN104773750BCN104773750B2014-12-242014-10-08CN104229854A生产氯化钙溶液的方法攀枝花钢企欣宇化工有限公司true2014105245537发明公布 生产氯化钙溶液的方法C01F11/24(2006.01)I罗贵飞; 梁鑫本发明公开了一种用电石渣生产氯化钙溶液的方法,属于电石渣的综合利用和氯化钙溶液生产技术领域。该方法是将石灰石倒入反应池中,加入过量盐酸浸泡反应,盐酸为工业盐酸或废盐酸,氯化氢质量浓度25~31%;石灰石与盐酸反应时产生的酸雾被引入吸收塔与电石渣溶液反应,反应吸收得到的氯化钙溶液再送入反应池;然后向反应池中加入电石渣溶液调节pH值至7~9,板框压滤机过滤、澄清得到质量浓度为25~32%产品氯化钙溶液。本发明合理利用了废弃资源电石渣,制得氯化钙浓度高,成本低,适于大面积推广应用。-2014.10.08-成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124-刘澜涛;  宋德锦; 舒勇; 唐润兵617064四川省攀枝花市仁和区金江钒钛产业园区攀枝花钢企欣宇化工有限公司--攀枝花钢企欣宇化工有限公司2014.12.24CN104229854A------
CN104393070BCN104393070B2008-09-252007-03-19DE102007013553A1Solarzellenvorrichtung, Solarzellenmodul und VerbindungsanordnungQ-Cells Agtrue
CN104393070BCN104393070B2012-12-122012-08-16CN102820343A具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法常州天合光能有限公司false2012102914963发明公布 具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法H01L31/0224(2006.01)I; H01L31/0352(2006.01)I; H01L31/18(2006.01)I王凌霄本发明涉及太阳能电池技术领域,特别是一种具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池在主栅下具有无发射极区,主栅覆盖的区域大于无发射极区,硅基体受光面的无发射极区外的其他区域为具有发射极的发射极区,主栅和硅基体之间具有隔绝主栅和硅基体的介质膜。其制备方法为:在热扩散或者离子注入掺杂工艺中,通过扩散掩模或离子注入挡板保护主栅下的无发射极区,在无发射极区外的其他区域形成均匀发射极或选择性发射极,然后在硅基体的受光面镀介质膜,在介质膜上制作栅线。本发明的有益效果是:将主栅下的区域设为无发射极,可以进一步降低电池的反向饱和电流,同时利用介质膜钝化,提高电池开路电压和短路电流。-2012.08.16-常州市维益专利事务所32211-沈辉; 陈达明213031江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号--常州天合光能有限公司; 中山大学2012.12.12CN102820343A------
CN104393070BCN104393070B2014-10-292014-06-20CN104124287A一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构及单晶硅太阳电池中山大学false2014102780756发明公布 一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构及单晶硅太阳电池H01L31/0224(2006.01)I; H01L31/068(2012.01)I李海波本发明公开了一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构,包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场,p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触,还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极,p型发射极细栅电极位于p型发射极上,n型背面场细栅电极位于n型背面场上,p型发射极细栅电极与p型发射极主栅电极相连接,n型背面场细栅电极与n型背面场主栅电极相连接,每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成,多条平行均匀分布的细栅的末端通过一细栅相连,还公开了具有上述背表面栅线电极结构的背结背接触太阳电池,该电池可减少银浆使用量和背面复合,提高光电转换效率。-2014.06.20-广州知友专利商标代理有限公司44104-沈辉;  姜辰明; 李力; 王殿磊510275广东省广州市海珠区新港西路135号--中山大学2014.10.29CN104124287A------
CN104611054BCN104611054B1993-02-021991-03-13US5183556AProduction of diesel fuel by hydrogenation of a diesel feedAbb Lummus Crest Inc.false
CN104611054BCN104611054B2004-12-082003-05-31CN1552812A一种柴油深度脱硫、脱芳烃工艺中国石油化工股份有限公司false
CN104611054BCN104611054B2008-12-312007-06-26CN101333460A生产润滑油基础油的组合工艺方法中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院false
CN104585166BCN104585166B2007-08-152006-11-01CN101015299A水分散性粒剂农药组合物及制备产品的方法张少武false
CN104585166BCN104585166B2010-08-262009-02-20WO2010095151A2A novel water dispersible granular compositionDeepak Pranjivandas Shahfalse
CN104585166BCN104585166B2014-04-092010-12-07CN103704219A一种含有粉唑醇的杀菌组合物陕西韦尔奇作物保护有限公司false2013106804384发明公布 一种含有粉唑醇的杀菌组合物A01N43/653(2006.01)I; A01P3/00(2006.01)I本发明公开了一种含有粉唑醇的杀菌组合物,含有A和B的杀菌组合物,A选自粉唑醇,B选自以下任意一种杀菌剂:三唑酮、苯醚甲环唑、四氟醚唑或氟环唑,且A、B两种活性组分的重量份数比为2~78:2~78。它可预防作物白粉病、锈病、叶斑病、叶枯病、斑点落叶病、黑星病、炭疽病等多种病害,并具有明显的增效作用,且对作物的安全性好;并且还具有耐雨水冲刷,药效持久等优点。-2010.12.07201010576568X 2010.12.07--张伟; 曹巧利; 高超715500陕西省渭南市陕西蒲城农化基地工业园区--陕西韦尔奇作物保护有限公司2014.04.09CN103704219A------
CN104585166BCN104585166B2012-04-182011-10-20CN102415374A抗倒酯水分散粒剂及其制备方法迈克斯(如东)化工有限公司false2011103209566发明公布 抗倒酯水分散粒剂及其制备方法A01N25/12(2006.01)I; A01N25/04(2006.01)I; A01N37/42(2006.01)I; A01P21/00(2006.01)I葛雷本发明公开了一种抗倒酯水分散粒剂,由抗倒酯原药10~30%、润湿剂1~10%、分散剂1~15%、崩解剂1~10%、吸附剂30~60%及1~50%的惰性载体组成。本发明采用圆盘造粒的方式进行生产,集捏合、造粒于一步,缩减工序;所得产品为球状颗粒,外形美观,流动性好,崩解快速,造粒过程不发热,适合低熔点原药的生产。-2011.10.20-南通市永通专利事务所32100-马发亮;  蔡国平; 阳鹏; 朱斌226407江苏省南通市如东县沿海经济开发区高科技产业园--迈克斯(如东)化工有限公司2012.04.18CN102415374A------
CN103280502BCN103280502B2009-01-222004-07-22US20090023239A1Light emitting device processesLuminus Devices, Inc.true
CN103280502BCN103280502B2006-06-012005-09-22TWI256157BMethod for manufacturing light-emitting diodeEpitech Technology Corptrue
CN103280502BCN103280502B2013-11-112008-06-24TWI415295B半導體元件的製造方法及其結構Advanced Optoelectronic Techtrue
CN103280502BCN103280502B2013-07-112008-10-16TWI401729B阻斷半導體差排缺陷之方法Advanced Optoelectronic Techtrue
CN103280502BCN103280502B2012-12-012009-01-21TWI378556BUniv Nat Chunghsingtrue
CN103280502BCN103280502B2010-12-292009-07-15CN101604717B一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法山东华光光电子有限公司true2009100168247发明授权 一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法H01L33/00(2006.01)I本发明提供了一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法,该芯片包括衬底、N型GaN、量子阱有源层、P型GaN、电流扩展层、金属反射镜和导电基板,在导电基板上制作有P电极,在衬底上设有直至N型GaN层的窗口,该窗口内各面蒸镀有一层金属,在这一金属层上引出有N电极。其制作方法包括:按常规方法在蓝宝石或者6H-SiC透明衬底上自下而上依次外延生长N型GaN、量子阱有源层、P型GaN和电流扩展层;在电流扩展层上制作金属反射镜;在金属反射镜上焊接导电基板;加工直至N型GaN层的窗口;在窗口内各面上蒸镀金属层,在金属层上引出N电极。本发明减少了工艺过程中不稳定因素影响,GaN基LED芯片有效发光面积利用率高,芯片电流扩展好,管芯散热好。-2009.07.152010.12.29山东华光光电子有限公司沈燕;  徐现刚; 李树强; 夏伟; 任忠祥250101山东省济南市高新区天辰大街1835号-CN101604717B-CN 101017876 A,2007.08.15,; CN 1851946 A,2006.10.25,第10页第4-第11页第1段.; CN 1881634 A,2006.12.20,; US 2006049335 A1,2006.03.09,; JP 2007123731 A,2007.05.17,; CN 1858918 A,2006.11.08,; CN 101075651 A,2007.11.21,

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