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Citation table of invention patents authorized by Chinese universities
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School name Old name of the school School identification code Competent authorities Province City School level Nature of the school Application number Patent name Classification number PCT released data Application date Biological Preservation Original application for divisional case Patent agency Published document number of the same application Address Priority Agent Application announcement date PCT application data Authorization Announcement Date Patentee PCT National Phase Entry Day Inventor Compare files Home country priority Authorization Announcement Number Brief description Patent ID Publication date of cited patents Cited patent application publication number Owner of the cited patent Name of cited patent Priority date of cited patent Whether Family to Family reference
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014102561462 [发明授权] 一种低相位噪声LC-VCO H03L7/099(2006.01)I 2014.06.10 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN104052472A 100871北京市海淀区颐和园路5号 李迪 2014.09.17 2016.09.07 北京大学 王源;  甘善良; 贾嵩; 张钢刚; 张兴 CN 102088289 A,2011.06.08,;  US 2008303603 A1,2008.12.11,;  JP 2009135352 A,2009.06.18, Chen YingMei.A 10GHz multiphase LC VCO with a ring capacitive coupling structure.《Science China(Information Sciences)》.2012,第55卷(第11期),2656-2662.; Shuai Xu.Design of a wideband and low phase noise LC VCO.《Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)》.2010,650-652.; 吴秀山.变压器反馈的超低功耗低相位噪声CMOSLC_VCO设计.《微波学报》.2009,第25卷(第6期),63-66.; 陈普锋.A 3 GHz low-Power and Low-phase-Noise LC VCO with a Self-Biasing Current Source.《半导体学报》.2008,第29卷(第11期),2106-2109. CN104052472B 本发明公开了一种低相位噪声LC‑VCO,所述一种低相位噪声LC‑VCO包括PMOS管Mp1、Mp2、Mp3、Mp4;NMOS管Mn1、Mn2;固定电容C1、C2、Cc1、Cc2;可变电容Cvar1、Cvar2;两端电感ind;电阻R1、R2。本发明通过固定电容Cc1、Cc2将震荡电压波形耦合到并联的尾电流源的PMOS管的栅极上,采用尾电流源动态切换技术,减小了交叉耦合负阻MOS管的电流波形占空比,而且减少了尾电流源MOS管陷阱的产生,从而降低LC‑VCO的相位噪声;另外,本发明将交叉耦合负阻PMOS的衬底接到地,从而降低了交叉耦合PMOS的阈值电压,使得负阻提供的电流增大,LC‑VCO的相位噪声降低。 CN104052472B 2008/12/18 JP2008306331A Toshiba Corp 半導体集積回路装置 2007/6/6 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014102561462 [发明授权] 一种低相位噪声LC-VCO H03L7/099(2006.01)I 2014.06.10 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN104052472A 100871北京市海淀区颐和园路5号 李迪 2014.09.17 2016.09.07 北京大学 王源;  甘善良; 贾嵩; 张钢刚; 张兴 CN 102088289 A,2011.06.08,;  US 2008303603 A1,2008.12.11,;  JP 2009135352 A,2009.06.18, Chen YingMei.A 10GHz multiphase LC VCO with a ring capacitive coupling structure.《Science China(Information Sciences)》.2012,第55卷(第11期),2656-2662.; Shuai Xu.Design of a wideband and low phase noise LC VCO.《Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)》.2010,650-652.; 吴秀山.变压器反馈的超低功耗低相位噪声CMOSLC_VCO设计.《微波学报》.2009,第25卷(第6期),63-66.; 陈普锋.A 3 GHz low-Power and Low-phase-Noise LC VCO with a Self-Biasing Current Source.《半导体学报》.2008,第29卷(第11期),2106-2109. CN104052472B 本发明公开了一种低相位噪声LC‑VCO,所述一种低相位噪声LC‑VCO包括PMOS管Mp1、Mp2、Mp3、Mp4;NMOS管Mn1、Mn2;固定电容C1、C2、Cc1、Cc2;可变电容Cvar1、Cvar2;两端电感ind;电阻R1、R2。本发明通过固定电容Cc1、Cc2将震荡电压波形耦合到并联的尾电流源的PMOS管的栅极上,采用尾电流源动态切换技术,减小了交叉耦合负阻MOS管的电流波形占空比,而且减少了尾电流源MOS管陷阱的产生,从而降低LC‑VCO的相位噪声;另外,本发明将交叉耦合负阻PMOS的衬底接到地,从而降低了交叉耦合PMOS的阈值电压,使得负阻提供的电流增大,LC‑VCO的相位噪声降低。 CN104052472B 2011/6/8 CN102088289A 西安交通大学 一种基于改进尾电流源结构的低相位噪声lc vco 2010/12/8 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014106162851 [发明授权] 一种隧穿场效应晶体管的制备方法 H01L21/336(2006.01)I 2014.11.05 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN104362095A 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2015.02.18 2017.12.01 北京大学 黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元 CN104362095B 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。 CN104362095B 1998/4/14 KR0131723B1 김주용 반도체소자 및 그 제조방법 1994/6/8 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014106162851 [发明授权] 一种隧穿场效应晶体管的制备方法 H01L21/336(2006.01)I 2014.11.05 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN104362095A 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2015.02.18 2017.12.01 北京大学 黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元 CN104362095B 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。 CN104362095B 1999/12/24 JPH11354627A Nissan Motor Co Ltd 半導体集積回路及びその製造方法 1998/6/5 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014106162851 [发明授权] 一种隧穿场效应晶体管的制备方法 H01L21/336(2006.01)I 2014.11.05 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN104362095A 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2015.02.18 2017.12.01 北京大学 黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元 CN104362095B 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。 CN104362095B 2001/6/12 US6246103B1 Advanced Micro Devices, Inc. Bipolar junction transistor with tunneling current through the gate of a field effect transistor as base current 1999/10/25 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014106162851 [发明授权] 一种隧穿场效应晶体管的制备方法 H01L21/336(2006.01)I 2014.11.05 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN104362095A 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2015.02.18 2017.12.01 北京大学 黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元 CN104362095B 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。 CN104362095B 2003/11/18 US6649453B1 Micron Technology, Inc. Contactless uniform-tunneling separate p-well (CUSP) non-volatile memory array architecture, fabrication and operation 2002/8/29 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014106162851 [发明授权] 一种隧穿场效应晶体管的制备方法 H01L21/336(2006.01)I 2014.11.05 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN104362095A 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2015.02.18 2017.12.01 北京大学 黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元 CN104362095B 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。 CN104362095B 2010/11/2 US7825488B2 Advanced Analogic Technologies, Inc. Isolation structures for integrated circuits and modular methods of forming the same 2006/5/31 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014106162851 [发明授权] 一种隧穿场效应晶体管的制备方法 H01L21/336(2006.01)I 2014.11.05 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN104362095A 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2015.02.18 2017.12.01 北京大学 黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元 CN104362095B 本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。 CN104362095B 2016/8/24 CN103985745B 北京大学 抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管及制备方法 2014/4/24 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015101696433 [发明授权] 具有压电系数d36的压电陶瓷及其制备方法 H01L41/187(2006.01)I; H01L41/333(2013.01)I; H01L41/338(2013.01)I; C04B35/491(2006.01)I 2015.04.10 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN104810472A 100871北京市海淀区颐和园路5号 李稚婷 2015.07.29 2017.06.06 北京大学 李法新; 苗鸿臣 CN 103526292 A,2014.01.22,;  CN 1669984 A,2005.09.21,;  US 2006/0273697 A1,2006.12.07,;  CN 102901557 A,2013.01.30, CN104810472B 本发明公开了一种具有压电系数d36的压电陶瓷及其制备方法。对极化好的长方体压电陶瓷进行均匀压缩,压缩应力垂直施加在与极化方向平行的两个相对面上,并在室温下老化2~3天,然后进行zxt±45°方式的切割,得到在其自身坐标系下具有压电系数d36的压电陶瓷,即沿着与极化方向平行的方向施加电场E3,该压电陶瓷会在与极化方向垂直的面内产生剪切应变S6;或者,对与极化方向垂直的面施加剪切应力T6,该压电陶瓷会在与极化方向垂直的电极面产生电位移D3。本发明有望推动d36模式的科学研究和工业应用。 CN104810472B 2005/9/21 CN1669984A 武汉理工大学 以(001)取向的片状SrBi 2005/2/24 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015101696433 [发明授权] 具有压电系数d36的压电陶瓷及其制备方法 H01L41/187(2006.01)I; H01L41/333(2013.01)I; H01L41/338(2013.01)I; C04B35/491(2006.01)I 2015.04.10 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN104810472A 100871北京市海淀区颐和园路5号 李稚婷 2015.07.29 2017.06.06 北京大学 李法新; 苗鸿臣 CN 103526292 A,2014.01.22,;  CN 1669984 A,2005.09.21,;  US 2006/0273697 A1,2006.12.07,;  CN 102901557 A,2013.01.30, CN104810472B 本发明公开了一种具有压电系数d36的压电陶瓷及其制备方法。对极化好的长方体压电陶瓷进行均匀压缩,压缩应力垂直施加在与极化方向平行的两个相对面上,并在室温下老化2~3天,然后进行zxt±45°方式的切割,得到在其自身坐标系下具有压电系数d36的压电陶瓷,即沿着与极化方向平行的方向施加电场E3,该压电陶瓷会在与极化方向垂直的面内产生剪切应变S6;或者,对与极化方向垂直的面施加剪切应力T6,该压电陶瓷会在与极化方向垂直的电极面产生电位移D3。本发明有望推动d36模式的科学研究和工业应用。 CN104810472B 2013/1/30 CN102901557A 重庆工商大学 隔离剪切型内置集成电路压电加速度传感器 2011/7/30 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2013107468997 [发明授权] 用于车间生产的数据处理方法和装置 G06Q10/04(2012.01)I; G06Q50/04(2012.01)I 2013.12.30 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 CN103745270A 100871北京市海淀区颐和园路5号 李志刚; 吴贵明 2014.04.23 2017.02.22 北京大学 栗斌 CN 101493693 A,2009.07.29,;  CN 101823519 A,2010.09.08,;  CN 102622667 A,2012.08.01, Bahram Alidaee 等.Greedy solutions of selection and ordering problems.《European Journal of Operational Research》.2001,第134卷(第1期),203-215.; 尤莉.汽车制造混线排产规则研究及其在MES中的实现.《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技II辑》.2013,(第S2期),21-22、26-27、29-33、41、49. CN103745270B 本发明公开了一种用于车间生产的数据处理方法和装置。该用于车间生产的数据处理方法包括:获取车间内多个工作站的次序信息;分别获取多个工作站的产能约束条件;获取满足多个工作站中一个或多个工作站的产能约束条件的待装配产品的序列数据;以及按照多个工作站的次序信息对应的次序输出序列数据。通过本发明,解决了相关技术中用于车间生产的数据处理方法容易陷入局部最优的问题。 CN103745270B 2010/9/8 CN101823519A 华中科技大学 一种汽车整车生产计划动态自动排产系统 2010/5/10 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2013107468997 [发明授权] 用于车间生产的数据处理方法和装置 G06Q10/04(2012.01)I; G06Q50/04(2012.01)I 2013.12.30 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 CN103745270A 100871北京市海淀区颐和园路5号 李志刚; 吴贵明 2014.04.23 2017.02.22 北京大学 栗斌 CN 101493693 A,2009.07.29,;  CN 101823519 A,2010.09.08,;  CN 102622667 A,2012.08.01, Bahram Alidaee 等.Greedy solutions of selection and ordering problems.《European Journal of Operational Research》.2001,第134卷(第1期),203-215.; 尤莉.汽车制造混线排产规则研究及其在MES中的实现.《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技II辑》.2013,(第S2期),21-22、26-27、29-33、41、49. CN103745270B 本发明公开了一种用于车间生产的数据处理方法和装置。该用于车间生产的数据处理方法包括:获取车间内多个工作站的次序信息;分别获取多个工作站的产能约束条件;获取满足多个工作站中一个或多个工作站的产能约束条件的待装配产品的序列数据;以及按照多个工作站的次序信息对应的次序输出序列数据。通过本发明,解决了相关技术中用于车间生产的数据处理方法容易陷入局部最优的问题。 CN103745270B 2012/8/1 CN102622667A 浪潮集团山东通用软件有限公司 一种基于多产品多生产线生产模式下的均衡排产方法 2012/2/13 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102439732 [发明授权] 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用 C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I 2015.05.13 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 CN104817490A 100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部 孙皓晨; 费碧华 2015.08.05 2017.10.13 北京大学 尹玉新; 张裕 WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第[0074]-[0078]段,第6页第[0101]段,第9-10页第[0144]-[0147]段,第18页第[0304]-[0307]段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页. CN104817490B 本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。 CN104817490B 1980/5/13 US4202832A Hoffmann-La Roche Inc. Thiocarbamoylthio fatty acids 1977/5/2 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102439732 [发明授权] 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用 C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I 2015.05.13 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 CN104817490A 100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部 孙皓晨; 费碧华 2015.08.05 2017.10.13 北京大学 尹玉新; 张裕 WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第[0074]-[0078]段,第6页第[0101]段,第9-10页第[0144]-[0147]段,第18页第[0304]-[0307]段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页. CN104817490B 本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。 CN104817490B 2006/2/1 CN1727332A 北京大学 芳甲氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法和应用 2004/7/27 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102439732 [发明授权] 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用 C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I 2015.05.13 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 CN104817490A 100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部 孙皓晨; 费碧华 2015.08.05 2017.10.13 北京大学 尹玉新; 张裕 WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第[0074]-[0078]段,第6页第[0101]段,第9-10页第[0144]-[0147]段,第18页第[0304]-[0307]段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页. CN104817490B 本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。 CN104817490B 2010/10/14 WO2010118063A2 Agios Pharmaceuticals, Inc. Therapeutic compositions and related methods of use 2009/4/6 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102439732 [发明授权] 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用 C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I 2015.05.13 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 CN104817490A 100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部 孙皓晨; 费碧华 2015.08.05 2017.10.13 北京大学 尹玉新; 张裕 WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第[0074]-[0078]段,第6页第[0101]段,第9-10页第[0144]-[0147]段,第18页第[0304]-[0307]段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页. CN104817490B 本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。 CN104817490B 2011/11/9 CN102234271A 北京大学 芳杂(烷基)氨基二硫代甲酸酯类化合物、其制备方法和应用 2010/4/21 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102439732 [发明授权] 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用 C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I 2015.05.13 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 CN104817490A 100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部 孙皓晨; 费碧华 2015.08.05 2017.10.13 北京大学 尹玉新; 张裕 WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第[0074]-[0078]段,第6页第[0101]段,第9-10页第[0144]-[0147]段,第18页第[0304]-[0307]段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页. CN104817490B 本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。 CN104817490B 2012/7/5 WO2012092442A1 Agios Pharmaceuticals, Inc. Therapeutic compounds and compositions 2010/12/29 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102439732 [发明授权] 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用 C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I 2015.05.13 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 CN104817490A 100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部 孙皓晨; 费碧华 2015.08.05 2017.10.13 北京大学 尹玉新; 张裕 WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第[0074]-[0078]段,第6页第[0101]段,第9-10页第[0144]-[0147]段,第18页第[0304]-[0307]段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页. CN104817490B 本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。 CN104817490B 2012/9/12 CN102657647A 北京大学 Ic-4在抗血管新生中的应用 2012/4/6 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102439732 [发明授权] 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用 C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I 2015.05.13 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 CN104817490A 100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部 孙皓晨; 费碧华 2015.08.05 2017.10.13 北京大学 尹玉新; 张裕 WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第[0074]-[0078]段,第6页第[0101]段,第9-10页第[0144]-[0147]段,第18页第[0304]-[0307]段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页. CN104817490B 本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。 CN104817490B 2015/2/25 CN104370936A 苏州维泰生物技术有限公司 一种新型丙酮酸激酶m2激活剂及其合成方法 2014/9/28 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014102801659 [发明授权] 硫化铜薄膜的电化学制备方法 H01G9/20(2006.01)I; H01G9/042(2006.01)I 2014.06.20 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN104036964A 100871北京市海淀区颐和园路5号 李稚婷 2014.09.10 2017.12.01 北京大学 徐东升; 汪非凡; 李琦 M. Innocenti等.“Electrochemical Growth of Cu-Zn Sulfides of Various Stoichiometries”.《Journal of The Electrochemical Society》.2013,第161卷(第1期),第D14-D17页.; 王裕希等.“单晶CuS纳米线的电沉积合成及结构表征”.《电子显微学报》.2014,第33卷(第1期),; 刘小雨等.“CuInS2:两步电沉积制备及性能”.《无机化学学报》.2008,第24卷(第12期),; Rodrigo del Rio等.“Anodic Electrosynthesis of a Thin Film of Cu2S on a Gold Electrode. A Voltammetric,Nanoelectrogravimetric, and I/t Transient Study”.《J. Phys. Chem. B》.2002,第106卷第12684-12692页.; Zhuoyin Peng等.“Incorporation of the TiO2 nanowire arrays photoanode and Cu2S nanorod arrays counter electrode on the photovoltaic performance of quantum dot sensitized solar cells”.《Electrochimica Acta》.2014,第135卷; 陈海念等.“硫化镉纳米薄膜的制备及其光电性能”.《合成化学》.2012,第20卷(第5期), CN104036964B 本发明公开了硫化铜薄膜的电化学制备方法,将含有铜离子的无机盐以及含有钠的无机盐溶解于二甲亚砜或二甲基甲酰胺中,然后加入硫粉,升温搅拌使硫粉溶解,得到电解液;在该电解液中使用两电极体系,70‑90℃条件下进行电沉积,在导电基底表面得到具有特定结构的硫化铜薄膜。该方法步骤简单,成本低廉,易于放大,电沉积过程可以保证得到的薄膜具有较高的导电性。该硫化铜薄膜可直接作为对电极用于染料/量子点敏化太阳能电池器件,具有高的电催化活性和稳定性,同时该薄膜与基底间的附着力较强,不易脱落。 CN104036964B 2013/4/17 CN102237200B 中国科学院物理研究所 用于敏化太阳能电池的金属硫化物对电极及其制备方法 2011/3/4 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2007/9/26 JP3981024B2 矢崎総業株式会社 コネクタへの自動端子挿入装置 2003/1/29 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2011/6/15 CN102091851A 广东中宝炊具制品有限公司 一种三轴联动数控焊接机 2011/1/7 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2015/8/5 CN103157192B 山东师范大学 一种医用三维模拟运动平台及其模拟运动方法 2013/3/1 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2013/11/13 CN203282558U 嘉兴学院 木工榫槽加工机器人 2013/4/9 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2016/3/2 CN103876263B 浙江大学 一种打印流质材料的三维打印机 2014/3/21 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2016/1/13 CN103932367B 西安交通大学 一种可控喷粉式食品3d打印设备及打印方法 2014/4/9 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2015/5/20 CN204348231U 广东科学技术职业学院 一种三维多功能实训平台 2014/12/16 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2017/1/18 CN104802415B 北京化工大学 橡胶粉末微波烧结3d打印成型装置 2015/5/11 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2017/6/6 CN105033839B 北京航空航天大学 一种带有研磨压力调整装置的铌酸锂晶片研磨装置及研磨方法 2015/5/26 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2000/9/5 JP2000238137A Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光造形装置及び光造形方法 1999/2/17 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2007/1/30 US7168944B2 Husky Injection Molding Systems Ltd. Energy efficient extruder drive 2002/12/10 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2011/12/7 CN202061777U 北京市电加工研究所 三维精密工作台 2011/5/5 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2016102433603 [发明授权] 三维控制装置 G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I 2016.04.18 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 CN105867233A 100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室 刘葛; 郭鸿雁 2016.08.17 2018.12.28 北京大学 谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰 CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009, CN105867233B 本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。 CN105867233B 2015/9/23 CN104931091A 金陵科技学院 一种仿生机器鱼用测量平台及其使用方式 2015/6/24 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015109335946 [发明授权] 一种数字资源热点生成方法及装置 G06F16/35(2019.01)I; G06F17/27(2006.01)I 2015.12.15 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 CN105528432A 100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 马永芬 2016.04.27 2019.04.26 北大方正集团有限公司;  北京方正阿帕比技术有限公司; 北京大学 许茜;  叶茂; 任彩红; 徐剑波; 汤帜 CN 102662965 A,2012.09.12,;  CN 104615593 A,2015.05.13,;  US 2012215781 A1,2012.08.23, 徐雅斌等.基于MapReduce架构的网络热点话题发现.《华中科技大学学报(自然科学版)》.2012,第40卷全文.; C Hu等.Hot Topic Detection Based on Opinion Analysis for Web Forums in Distributed Environment.《Springer》.2009,全文. CN105528432B 本发明提供一种数字资源热点生成方法,首先,从数字资源中提取标题和正文;然后分别获取标题相似度矩阵和正文相似度矩阵;通过分别聚类获得标题候选热点集和正文候选热点集;最后,根据所述标题候选热点集和所述正文候选热点集获取候选热点集。该方案中,使用正文信息和标题信息来进行热点推荐,正文信息和标题信息采用不同的方式处理,相互作为补充和依据,使得获得的热点更加准确,避免了现有技术中对主题词表和新词发现的需求,减弱热点发现对热点个数和经验参数的依赖,实现了面向数字报刊的热点新闻自动发现。 CN105528432B 2015/6/17 CN102231130B 国际商业机器公司 计算机系统性能分析方法和装置 2010/1/11 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015109335946 [发明授权] 一种数字资源热点生成方法及装置 G06F16/35(2019.01)I; G06F17/27(2006.01)I 2015.12.15 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 CN105528432A 100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 马永芬 2016.04.27 2019.04.26 北大方正集团有限公司;  北京方正阿帕比技术有限公司; 北京大学 许茜;  叶茂; 任彩红; 徐剑波; 汤帜 CN 102662965 A,2012.09.12,;  CN 104615593 A,2015.05.13,;  US 2012215781 A1,2012.08.23, 徐雅斌等.基于MapReduce架构的网络热点话题发现.《华中科技大学学报(自然科学版)》.2012,第40卷全文.; C Hu等.Hot Topic Detection Based on Opinion Analysis for Web Forums in Distributed Environment.《Springer》.2009,全文. CN105528432B 本发明提供一种数字资源热点生成方法,首先,从数字资源中提取标题和正文;然后分别获取标题相似度矩阵和正文相似度矩阵;通过分别聚类获得标题候选热点集和正文候选热点集;最后,根据所述标题候选热点集和所述正文候选热点集获取候选热点集。该方案中,使用正文信息和标题信息来进行热点推荐,正文信息和标题信息采用不同的方式处理,相互作为补充和依据,使得获得的热点更加准确,避免了现有技术中对主题词表和新词发现的需求,减弱热点发现对热点个数和经验参数的依赖,实现了面向数字报刊的热点新闻自动发现。 CN105528432B 2012/9/12 CN102662965A 上海引跑信息科技有限公司 一种自动发现互联网热点新闻主题的方法及系统 2012/3/7 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015109335946 [发明授权] 一种数字资源热点生成方法及装置 G06F16/35(2019.01)I; G06F17/27(2006.01)I 2015.12.15 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 CN105528432A 100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 马永芬 2016.04.27 2019.04.26 北大方正集团有限公司;  北京方正阿帕比技术有限公司; 北京大学 许茜;  叶茂; 任彩红; 徐剑波; 汤帜 CN 102662965 A,2012.09.12,;  CN 104615593 A,2015.05.13,;  US 2012215781 A1,2012.08.23, 徐雅斌等.基于MapReduce架构的网络热点话题发现.《华中科技大学学报(自然科学版)》.2012,第40卷全文.; C Hu等.Hot Topic Detection Based on Opinion Analysis for Web Forums in Distributed Environment.《Springer》.2009,全文. CN105528432B 本发明提供一种数字资源热点生成方法,首先,从数字资源中提取标题和正文;然后分别获取标题相似度矩阵和正文相似度矩阵;通过分别聚类获得标题候选热点集和正文候选热点集;最后,根据所述标题候选热点集和所述正文候选热点集获取候选热点集。该方案中,使用正文信息和标题信息来进行热点推荐,正文信息和标题信息采用不同的方式处理,相互作为补充和依据,使得获得的热点更加准确,避免了现有技术中对主题词表和新词发现的需求,减弱热点发现对热点个数和经验参数的依赖,实现了面向数字报刊的热点新闻自动发现。 CN105528432B 2015/5/13 CN104615593A 北大方正集团有限公司 微博热点话题自动检测方法及装置 2013/11/1 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2017103582474 [发明授权] 一种便携式人体跌倒风险的评价和预警系统及其方法 G08B21/04(2006.01)I; A61B5/11(2006.01)I; A61B5/00(2006.01)I 2017.05.19 北京万象新悦知识产权代理有限公司11360 CN107221128A 100871北京市海淀区颐和园路5号 王岩 2017.09.29 2019.07.19 北京大学 庞博;  黄一宁; 张珏; 方竞 郭长虹.“步态时间序列的神经网络模拟和混沌检测”.《电子技术与软件工程》.2013,全文. CN107221128B 本发明公开了一种便携式人体跌倒风险的评价和预警系统及其方法。本发明首先通过利用加速度传感器测量和采集加速度信号,按照伊藤方程模型估计出漂移项参数和扩散项参数;将估计得到的伊藤方程模型,利用首次穿越方法,得到状态转移概率密度分布;最后,将状态转移概率密度分布的特征作为个体的当前跌倒风险指标,输出匹配的跌倒风险等级。本发明首次将可用于处理非线性随机信号的方法运用到了人体身上,这种方法分析得到的数据更能体现出人体运动的本质规律,预测得到的跌倒风险指数更准确;由于这套系统简约方便,便于为大众日常锻炼提供客观量化的依据;本发明的方法具有良好的鲁棒性以及运算速度,能够快速全面准确的评价出跌倒的风险指标。 CN107221128B 2017/12/26 CN103955699B 北京邮电大学 一种基于监控视频的实时摔倒事件检测方法 2014/3/31 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2017103582474 [发明授权] 一种便携式人体跌倒风险的评价和预警系统及其方法 G08B21/04(2006.01)I; A61B5/11(2006.01)I; A61B5/00(2006.01)I 2017.05.19 北京万象新悦知识产权代理有限公司11360 CN107221128A 100871北京市海淀区颐和园路5号 王岩 2017.09.29 2019.07.19 北京大学 庞博;  黄一宁; 张珏; 方竞 郭长虹.“步态时间序列的神经网络模拟和混沌检测”.《电子技术与软件工程》.2013,全文. CN107221128B 本发明公开了一种便携式人体跌倒风险的评价和预警系统及其方法。本发明首先通过利用加速度传感器测量和采集加速度信号,按照伊藤方程模型估计出漂移项参数和扩散项参数;将估计得到的伊藤方程模型,利用首次穿越方法,得到状态转移概率密度分布;最后,将状态转移概率密度分布的特征作为个体的当前跌倒风险指标,输出匹配的跌倒风险等级。本发明首次将可用于处理非线性随机信号的方法运用到了人体身上,这种方法分析得到的数据更能体现出人体运动的本质规律,预测得到的跌倒风险指数更准确;由于这套系统简约方便,便于为大众日常锻炼提供客观量化的依据;本发明的方法具有良好的鲁棒性以及运算速度,能够快速全面准确的评价出跌倒的风险指标。 CN107221128B 2015/4/1 GB201502696D0 Medpage Ltd T A Easylink Uk Human sensing toilet occupancy detection alarm 2015/2/18 TRUE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102024202 [发明授权] 一种自修复传感芯片及其制备方法 G01D5/12(2006.01)I; G01K7/00(2006.01)I 2015.04.24 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN104833376A 100872北京市海淀区中关村大街59号 关畅; 王春霞 2015.08.12 2017.05.10 中国人民大学 王亚培; 贺泳霖 CN104833376B 本发明公开了一种自修复传感芯片及其制备方法。它包括内部设有微流道的芯片本体,微流道的两端分别通过开设在芯片本体上的开口与外界相通,形成电极接口;电极接口连接有与之相匹配的电极;微流道内填充有离子液体或纳米粒子掺杂的离子液体。本发明自修复传感芯片应用于传感器领域中。本发明自修复传感器具有受到外界破坏后能够修复恢复到破坏前传感性能的特性;能够通过填充离子液体制备温度传感器,通过填充酸化碳纳米管实现近红外光传感,通过填充掺杂二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米粒子实现交变电磁场传感,具有很好的可拓展性;制备过程所用技术成熟,自修复高分子成本低,且为热塑型材料,可直接压印加工成型,方法简便,适宜大面积生产。 CN104833376B 2001/10/10 JP2001281313A Hitachi Metals Ltd 磁界センサー、それを用いた磁気式エンコーダー、及び磁気ヘッド 2000/1/27 TRUE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102024202 [发明授权] 一种自修复传感芯片及其制备方法 G01D5/12(2006.01)I; G01K7/00(2006.01)I 2015.04.24 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN104833376A 100872北京市海淀区中关村大街59号 关畅; 王春霞 2015.08.12 2017.05.10 中国人民大学 王亚培; 贺泳霖 CN104833376B 本发明公开了一种自修复传感芯片及其制备方法。它包括内部设有微流道的芯片本体,微流道的两端分别通过开设在芯片本体上的开口与外界相通,形成电极接口;电极接口连接有与之相匹配的电极;微流道内填充有离子液体或纳米粒子掺杂的离子液体。本发明自修复传感芯片应用于传感器领域中。本发明自修复传感器具有受到外界破坏后能够修复恢复到破坏前传感性能的特性;能够通过填充离子液体制备温度传感器,通过填充酸化碳纳米管实现近红外光传感,通过填充掺杂二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米粒子实现交变电磁场传感,具有很好的可拓展性;制备过程所用技术成熟,自修复高分子成本低,且为热塑型材料,可直接压印加工成型,方法简便,适宜大面积生产。 CN104833376B 2003/3/19 GB0303627D0 Sensopad Technologies Ltd Sensing method and apparatus 2003/2/17 TRUE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102024202 [发明授权] 一种自修复传感芯片及其制备方法 G01D5/12(2006.01)I; G01K7/00(2006.01)I 2015.04.24 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN104833376A 100872北京市海淀区中关村大街59号 关畅; 王春霞 2015.08.12 2017.05.10 中国人民大学 王亚培; 贺泳霖 CN104833376B 本发明公开了一种自修复传感芯片及其制备方法。它包括内部设有微流道的芯片本体,微流道的两端分别通过开设在芯片本体上的开口与外界相通,形成电极接口;电极接口连接有与之相匹配的电极;微流道内填充有离子液体或纳米粒子掺杂的离子液体。本发明自修复传感芯片应用于传感器领域中。本发明自修复传感器具有受到外界破坏后能够修复恢复到破坏前传感性能的特性;能够通过填充离子液体制备温度传感器,通过填充酸化碳纳米管实现近红外光传感,通过填充掺杂二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米粒子实现交变电磁场传感,具有很好的可拓展性;制备过程所用技术成熟,自修复高分子成本低,且为热塑型材料,可直接压印加工成型,方法简便,适宜大面积生产。 CN104833376B 2016/8/10 CN103310851B 苏州国芯科技有限公司 一种用于dtmb解调芯片的自修复sram控制器设计 2013/6/13 TRUE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102024202 [发明授权] 一种自修复传感芯片及其制备方法 G01D5/12(2006.01)I; G01K7/00(2006.01)I 2015.04.24 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN104833376A 100872北京市海淀区中关村大街59号 关畅; 王春霞 2015.08.12 2017.05.10 中国人民大学 王亚培; 贺泳霖 CN104833376B 本发明公开了一种自修复传感芯片及其制备方法。它包括内部设有微流道的芯片本体,微流道的两端分别通过开设在芯片本体上的开口与外界相通,形成电极接口;电极接口连接有与之相匹配的电极;微流道内填充有离子液体或纳米粒子掺杂的离子液体。本发明自修复传感芯片应用于传感器领域中。本发明自修复传感器具有受到外界破坏后能够修复恢复到破坏前传感性能的特性;能够通过填充离子液体制备温度传感器,通过填充酸化碳纳米管实现近红外光传感,通过填充掺杂二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米粒子实现交变电磁场传感,具有很好的可拓展性;制备过程所用技术成熟,自修复高分子成本低,且为热塑型材料,可直接压印加工成型,方法简便,适宜大面积生产。 CN104833376B 2017/2/15 CN104034432B 中国人民大学 一种近红外传感芯片及其制备方法与应用 2014/6/18 TRUE
中国人民大学 4111010002 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2015102024202 [发明授权] 一种自修复传感芯片及其制备方法 G01D5/12(2006.01)I; G01K7/00(2006.01)I 2015.04.24 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN104833376A 100872北京市海淀区中关村大街59号 关畅; 王春霞 2015.08.12 2017.05.10 中国人民大学 王亚培; 贺泳霖 CN104833376B 本发明公开了一种自修复传感芯片及其制备方法。它包括内部设有微流道的芯片本体,微流道的两端分别通过开设在芯片本体上的开口与外界相通,形成电极接口;电极接口连接有与之相匹配的电极;微流道内填充有离子液体或纳米粒子掺杂的离子液体。本发明自修复传感芯片应用于传感器领域中。本发明自修复传感器具有受到外界破坏后能够修复恢复到破坏前传感性能的特性;能够通过填充离子液体制备温度传感器,通过填充酸化碳纳米管实现近红外光传感,通过填充掺杂二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米粒子实现交变电磁场传感,具有很好的可拓展性;制备过程所用技术成熟,自修复高分子成本低,且为热塑型材料,可直接压印加工成型,方法简便,适宜大面积生产。 CN104833376B 2016/8/24 CN104215354B 中国人民大学 一种柔性可拉伸温度传感芯片及其制备方法 2014/8/29 TRUE
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014107735032 [发明授权] 电池浆料制备设备 B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I 2014.12.16 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 CN104437212A 215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路 哈达 2015.03.25 2016.09.07 江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学 何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男 CN104437212B 一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。 CN104437212B 2011/1/26 CN201720015U 庞可邦 行星多速高效节能混合机 2010/6/18 TRUE
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014107735032 [发明授权] 电池浆料制备设备 B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I 2014.12.16 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 CN104437212A 215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路 哈达 2015.03.25 2016.09.07 江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学 何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男 CN104437212B 一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。 CN104437212B 2012/12/5 CN102000524B 安徽索维机电设备制造有限公司 行星搅拌机 2010/10/16 TRUE
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014107735032 [发明授权] 电池浆料制备设备 B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I 2014.12.16 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 CN104437212A 215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路 哈达 2015.03.25 2016.09.07 江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学 何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男 CN104437212B 一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。 CN104437212B 2011/5/18 CN201832585U 安徽索维机电设备制造有限公司 行星搅拌机 2010/10/16 TRUE
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014107735032 [发明授权] 电池浆料制备设备 B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I 2014.12.16 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 CN104437212A 215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路 哈达 2015.03.25 2016.09.07 江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学 何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男 CN104437212B 一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。 CN104437212B 2011/9/21 CN201978693U 邵阳市达力电源实业有限公司 液压升降式真空搅拌机 2010/12/31 TRUE
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014107735032 [发明授权] 电池浆料制备设备 B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I 2014.12.16 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 CN104437212A 215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路 哈达 2015.03.25 2016.09.07 江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学 何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男 CN104437212B 一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。 CN104437212B 2011/12/14 CN202070307U 雷立猛 双行星双动力混合分散机 2011/4/13 TRUE
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014107735032 [发明授权] 电池浆料制备设备 B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I 2014.12.16 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 CN104437212A 215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路 哈达 2015.03.25 2016.09.07 江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学 何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男 CN104437212B 一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。 CN104437212B 2012/7/4 CN202289945U 无锡轻大食品装备有限公司 用于粘稠物料高效混合的剪切分散系统 2011/7/25 TRUE
清华大学 4111010003 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2014107735032 [发明授权] 电池浆料制备设备 B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I 2014.12.16 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 CN104437212A 215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路 哈达 2015.03.25 2016.09.07 江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学 何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男 CN104437212B 一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。 CN104437212B 2012/9/5 CN202423486U 万向电动汽车有限公司 一种锂离子浆料混合系统 2011/12/30 TRUE

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