中国高校发明授权专利引用表

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中国高校发明授权专利引用表
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学校名称学校曾用名学校标识码主管部门省份城市办学层次办学性质申请号网站标题分类号PCT公布数据申请日生物保藏分案原申请专利代理机构同一申请的已公布的文献号地址优先权代理人申请公布日PCT申请数据授权公告日专利权人PCT进入国家阶段日发明人对比文件本国优先权授权公告号简要说明专利ID被引用专利公开日期被引用专利申请公布号被引用专利所有权人被引用专利名称被引用专利优先权日是否Family to Family引用
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2014102561462发明授权 一种低相位噪声LC-VCOH03L7/099(2006.01)I2014.06.10北京路浩知识产权代理有限公司11002CN104052472A100871北京市海淀区颐和园路5号李迪2014.09.172016.09.07北京大学王源;  甘善良; 贾嵩; 张钢刚; 张兴CN 102088289 A,2011.06.08,;  US 2008303603 A1,2008.12.11,;  JP 2009135352 A,2009.06.18, Chen YingMei.A 10GHz multiphase LC VCO with a ring capacitive coupling structure.《Science China(Information Sciences)》.2012,第55卷(第11期),2656-2662.; Shuai Xu.Design of a wideband and low phase noise LC VCO.《Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)》.2010,650-652.; 吴秀山.变压器反馈的超低功耗低相位噪声CMOSLC_VCO设计.《微波学报》.2009,第25卷(第6期),63-66.; 陈普锋.A 3 GHz low-Power and Low-phase-Noise LC VCO with a Self-Biasing Current Source.《半导体学报》.2008,第29卷(第11期),2106-2109.CN104052472B本发明公开了一种低相位噪声LC‑VCO,所述一种低相位噪声LC‑VCO包括PMOS管Mp1、Mp2、Mp3、Mp4;NMOS管Mn1、Mn2;固定电容C1、C2、Cc1、Cc2;可变电容Cvar1、Cvar2;两端电感ind;电阻R1、R2。本发明通过固定电容Cc1、Cc2将震荡电压波形耦合到并联的尾电流源的PMOS管的栅极上,采用尾电流源动态切换技术,减小了交叉耦合负阻MOS管的电流波形占空比,而且减少了尾电流源MOS管陷阱的产生,从而降低LC‑VCO的相位噪声;另外,本发明将交叉耦合负阻PMOS的衬底接到地,从而降低了交叉耦合PMOS的阈值电压,使得负阻提供的电流增大,LC‑VCO的相位噪声降低。CN104052472B2008/12/18JP2008306331AToshiba Corp半導体集積回路装置2007/6/6TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2014102561462发明授权 一种低相位噪声LC-VCOH03L7/099(2006.01)I2014.06.10北京路浩知识产权代理有限公司11002CN104052472A100871北京市海淀区颐和园路5号李迪2014.09.172016.09.07北京大学王源;  甘善良; 贾嵩; 张钢刚; 张兴CN 102088289 A,2011.06.08,;  US 2008303603 A1,2008.12.11,;  JP 2009135352 A,2009.06.18, Chen YingMei.A 10GHz multiphase LC VCO with a ring capacitive coupling structure.《Science China(Information Sciences)》.2012,第55卷(第11期),2656-2662.; Shuai Xu.Design of a wideband and low phase noise LC VCO.《Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)》.2010,650-652.; 吴秀山.变压器反馈的超低功耗低相位噪声CMOSLC_VCO设计.《微波学报》.2009,第25卷(第6期),63-66.; 陈普锋.A 3 GHz low-Power and Low-phase-Noise LC VCO with a Self-Biasing Current Source.《半导体学报》.2008,第29卷(第11期),2106-2109.CN104052472B本发明公开了一种低相位噪声LC‑VCO,所述一种低相位噪声LC‑VCO包括PMOS管Mp1、Mp2、Mp3、Mp4;NMOS管Mn1、Mn2;固定电容C1、C2、Cc1、Cc2;可变电容Cvar1、Cvar2;两端电感ind;电阻R1、R2。本发明通过固定电容Cc1、Cc2将震荡电压波形耦合到并联的尾电流源的PMOS管的栅极上,采用尾电流源动态切换技术,减小了交叉耦合负阻MOS管的电流波形占空比,而且减少了尾电流源MOS管陷阱的产生,从而降低LC‑VCO的相位噪声;另外,本发明将交叉耦合负阻PMOS的衬底接到地,从而降低了交叉耦合PMOS的阈值电压,使得负阻提供的电流增大,LC‑VCO的相位噪声降低。CN104052472B2011/6/8CN102088289A西安交通大学一种基于改进尾电流源结构的低相位噪声lc vco2010/12/8FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2014106162851发明授权 一种隧穿场效应晶体管的制备方法H01L21/336(2006.01)I2014.11.05北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN104362095A100871北京市海淀区颐和园路5号贾晓玲2015.02.182017.12.01北京大学黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元CN104362095B本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。CN104362095B1998/4/14KR0131723B1김주용반도체소자 및 그 제조방법1994/6/8TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2014106162851发明授权 一种隧穿场效应晶体管的制备方法H01L21/336(2006.01)I2014.11.05北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN104362095A100871北京市海淀区颐和园路5号贾晓玲2015.02.182017.12.01北京大学黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元CN104362095B本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。CN104362095B1999/12/24JPH11354627ANissan Motor Co Ltd半導体集積回路及びその製造方法1998/6/5TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2014106162851发明授权 一种隧穿场效应晶体管的制备方法H01L21/336(2006.01)I2014.11.05北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN104362095A100871北京市海淀区颐和园路5号贾晓玲2015.02.182017.12.01北京大学黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元CN104362095B本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。CN104362095B2001/6/12US6246103B1Advanced Micro Devices, Inc.Bipolar junction transistor with tunneling current through the gate of a field effect transistor as base current1999/10/25TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2014106162851发明授权 一种隧穿场效应晶体管的制备方法H01L21/336(2006.01)I2014.11.05北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN104362095A100871北京市海淀区颐和园路5号贾晓玲2015.02.182017.12.01北京大学黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元CN104362095B本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。CN104362095B2003/11/18US6649453B1Micron Technology, Inc.Contactless uniform-tunneling separate p-well (CUSP) non-volatile memory array architecture, fabrication and operation2002/8/29TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2014106162851发明授权 一种隧穿场效应晶体管的制备方法H01L21/336(2006.01)I2014.11.05北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN104362095A100871北京市海淀区颐和园路5号贾晓玲2015.02.182017.12.01北京大学黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元CN104362095B本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。CN104362095B2010/11/2US7825488B2Advanced Analogic Technologies, Inc.Isolation structures for integrated circuits and modular methods of forming the same2006/5/31TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2014106162851发明授权 一种隧穿场效应晶体管的制备方法H01L21/336(2006.01)I2014.11.05北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN104362095A100871北京市海淀区颐和园路5号贾晓玲2015.02.182017.12.01北京大学黄如;  黄芊芊; 廖怀林; 叶乐; 吴春蕾; 朱昊; 王阳元CN104362095B本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中,采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区,且相比标准CMOS IC工艺,增加了一块用于注入N—的掩膜版,通过在沟道较深处注入N—隔离区,实现了隧穿场效应晶体管(TFET)在电路应用中器件的隔离,同时不影响器件性能和器件面积。CN104362095B2016/8/24CN103985745B北京大学抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管及制备方法2014/4/24TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015101696433发明授权 具有压电系数d36的压电陶瓷及其制备方法H01L41/187(2006.01)I; H01L41/333(2013.01)I; H01L41/338(2013.01)I; C04B35/491(2006.01)I2015.04.10北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN104810472A100871北京市海淀区颐和园路5号李稚婷2015.07.292017.06.06北京大学李法新; 苗鸿臣CN 103526292 A,2014.01.22,;  CN 1669984 A,2005.09.21,;  US 2006/0273697 A1,2006.12.07,;  CN 102901557 A,2013.01.30,CN104810472B本发明公开了一种具有压电系数d36的压电陶瓷及其制备方法。对极化好的长方体压电陶瓷进行均匀压缩,压缩应力垂直施加在与极化方向平行的两个相对面上,并在室温下老化2~3天,然后进行zxt±45°方式的切割,得到在其自身坐标系下具有压电系数d36的压电陶瓷,即沿着与极化方向平行的方向施加电场E3,该压电陶瓷会在与极化方向垂直的面内产生剪切应变S6;或者,对与极化方向垂直的面施加剪切应力T6,该压电陶瓷会在与极化方向垂直的电极面产生电位移D3。本发明有望推动d36模式的科学研究和工业应用。CN104810472B2005/9/21CN1669984A武汉理工大学以(001)取向的片状SrBi2005/2/24FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015101696433发明授权 具有压电系数d36的压电陶瓷及其制备方法H01L41/187(2006.01)I; H01L41/333(2013.01)I; H01L41/338(2013.01)I; C04B35/491(2006.01)I2015.04.10北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN104810472A100871北京市海淀区颐和园路5号李稚婷2015.07.292017.06.06北京大学李法新; 苗鸿臣CN 103526292 A,2014.01.22,;  CN 1669984 A,2005.09.21,;  US 2006/0273697 A1,2006.12.07,;  CN 102901557 A,2013.01.30,CN104810472B本发明公开了一种具有压电系数d36的压电陶瓷及其制备方法。对极化好的长方体压电陶瓷进行均匀压缩,压缩应力垂直施加在与极化方向平行的两个相对面上,并在室温下老化2~3天,然后进行zxt±45°方式的切割,得到在其自身坐标系下具有压电系数d36的压电陶瓷,即沿着与极化方向平行的方向施加电场E3,该压电陶瓷会在与极化方向垂直的面内产生剪切应变S6;或者,对与极化方向垂直的面施加剪切应力T6,该压电陶瓷会在与极化方向垂直的电极面产生电位移D3。本发明有望推动d36模式的科学研究和工业应用。CN104810472B2013/1/30CN102901557A重庆工商大学隔离剪切型内置集成电路压电加速度传感器2011/7/30FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2013107468997发明授权 用于车间生产的数据处理方法和装置G06Q10/04(2012.01)I; G06Q50/04(2012.01)I2013.12.30北京康信知识产权代理有限责任公司11240CN103745270A100871北京市海淀区颐和园路5号李志刚; 吴贵明2014.04.232017.02.22北京大学栗斌CN 101493693 A,2009.07.29,;  CN 101823519 A,2010.09.08,;  CN 102622667 A,2012.08.01, Bahram Alidaee 等.Greedy solutions of selection and ordering problems.《European Journal of Operational Research》.2001,第134卷(第1期),203-215.; 尤莉.汽车制造混线排产规则研究及其在MES中的实现.《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技II辑》.2013,(第S2期),21-22、26-27、29-33、41、49.CN103745270B本发明公开了一种用于车间生产的数据处理方法和装置。该用于车间生产的数据处理方法包括:获取车间内多个工作站的次序信息;分别获取多个工作站的产能约束条件;获取满足多个工作站中一个或多个工作站的产能约束条件的待装配产品的序列数据;以及按照多个工作站的次序信息对应的次序输出序列数据。通过本发明,解决了相关技术中用于车间生产的数据处理方法容易陷入局部最优的问题。CN103745270B2010/9/8CN101823519A华中科技大学一种汽车整车生产计划动态自动排产系统2010/5/10FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2013107468997发明授权 用于车间生产的数据处理方法和装置G06Q10/04(2012.01)I; G06Q50/04(2012.01)I2013.12.30北京康信知识产权代理有限责任公司11240CN103745270A100871北京市海淀区颐和园路5号李志刚; 吴贵明2014.04.232017.02.22北京大学栗斌CN 101493693 A,2009.07.29,;  CN 101823519 A,2010.09.08,;  CN 102622667 A,2012.08.01, Bahram Alidaee 等.Greedy solutions of selection and ordering problems.《European Journal of Operational Research》.2001,第134卷(第1期),203-215.; 尤莉.汽车制造混线排产规则研究及其在MES中的实现.《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技II辑》.2013,(第S2期),21-22、26-27、29-33、41、49.CN103745270B本发明公开了一种用于车间生产的数据处理方法和装置。该用于车间生产的数据处理方法包括:获取车间内多个工作站的次序信息;分别获取多个工作站的产能约束条件;获取满足多个工作站中一个或多个工作站的产能约束条件的待装配产品的序列数据;以及按照多个工作站的次序信息对应的次序输出序列数据。通过本发明,解决了相关技术中用于车间生产的数据处理方法容易陷入局部最优的问题。CN103745270B2012/8/1CN102622667A浪潮集团山东通用软件有限公司一种基于多产品多生产线生产模式下的均衡排产方法2012/2/13FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015102439732发明授权 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I2015.05.13北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139CN104817490A100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部孙皓晨; 费碧华2015.08.052017.10.13北京大学尹玉新; 张裕WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第0074-0078段,第6页第0101段,第9-10页第0144-0147段,第18页第0304-0307段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页.CN104817490B本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。CN104817490B1980/5/13US4202832AHoffmann-La Roche Inc.Thiocarbamoylthio fatty acids1977/5/2FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015102439732发明授权 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I2015.05.13北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139CN104817490A100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部孙皓晨; 费碧华2015.08.052017.10.13北京大学尹玉新; 张裕WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第0074-0078段,第6页第0101段,第9-10页第0144-0147段,第18页第0304-0307段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页.CN104817490B本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。CN104817490B2006/2/1CN1727332A北京大学芳甲氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法和应用2004/7/27FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015102439732发明授权 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I2015.05.13北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139CN104817490A100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部孙皓晨; 费碧华2015.08.052017.10.13北京大学尹玉新; 张裕WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第0074-0078段,第6页第0101段,第9-10页第0144-0147段,第18页第0304-0307段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页.CN104817490B本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。CN104817490B2010/10/14WO2010118063A2Agios Pharmaceuticals, Inc.Therapeutic compositions and related methods of use2009/4/6FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015102439732发明授权 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I2015.05.13北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139CN104817490A100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部孙皓晨; 费碧华2015.08.052017.10.13北京大学尹玉新; 张裕WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第0074-0078段,第6页第0101段,第9-10页第0144-0147段,第18页第0304-0307段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页.CN104817490B本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。CN104817490B2011/11/9CN102234271A北京大学芳杂(烷基)氨基二硫代甲酸酯类化合物、其制备方法和应用2010/4/21FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015102439732发明授权 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I2015.05.13北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139CN104817490A100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部孙皓晨; 费碧华2015.08.052017.10.13北京大学尹玉新; 张裕WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第0074-0078段,第6页第0101段,第9-10页第0144-0147段,第18页第0304-0307段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页.CN104817490B本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。CN104817490B2012/7/5WO2012092442A1Agios Pharmaceuticals, Inc.Therapeutic compounds and compositions2010/12/29FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015102439732发明授权 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I2015.05.13北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139CN104817490A100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部孙皓晨; 费碧华2015.08.052017.10.13北京大学尹玉新; 张裕WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第0074-0078段,第6页第0101段,第9-10页第0144-0147段,第18页第0304-0307段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页.CN104817490B本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。CN104817490B2012/9/12CN102657647A北京大学Ic-4在抗血管新生中的应用2012/4/6FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015102439732发明授权 氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用C07D213/40(2006.01)I; C07D405/12(2006.01)I; C07D213/50(2006.01)I; C07D409/12(2006.01)I; C07D401/12(2006.01)I; C07D417/12(2006.01)I; C07D471/04(2006.01)I; A61P35/00(2006.01)I; A61P3/08(2006.01)I2015.05.13北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139CN104817490A100191北京市海淀区学院路38号北京大学医学部孙皓晨; 费碧华2015.08.052017.10.13北京大学尹玉新; 张裕WO 2010118063 A2,2010.10.14,全文.;  WO 2012092442 A1,2012.07.05,全文.;  WO 2014074848 A1,2014.05.15,全文.;  US 4202832 ,1980.05.13,全文.;  WO 2014139325 A1,2014.09.18,全文.;  CN 102657647 A,2012.09.12,全文.;  CN 103508930 A,2014.01.15,全文.;  CN 104370936 A,2015.02.25,全文.;  CN 102234271 A,2011.11.09,权利要求1,说明书第4页第0074-0078段,第6页第0101段,第9-10页第0144-0147段,第18页第0304-0307段.;  CN 1727332 A,2006.02.01,说明书第2-3页,第7页第10-11行. Bin Liu,等.Discovery of novel dithiocarbamic acid ester HGWJ11C with significant anticancer action.《Journal of Chinese Pharmaceutical Sciences》.2014,第23卷(第10期),第681-687页.CN104817490B本发明公开了氨基二硫代甲酸酯类化合物及其制备方法与应用,属于药物化学领域。本发明化合物结构如式Ⅰ所示,研究显示本发明化合物靶向PKM2,是PKM2的激动剂,并发现该类化合物通过阻止PKM2进入细胞核而产生抗肿瘤的作用,具有很好的抗肿瘤作用,而且对肿瘤细胞有很好的选择性。因此本发明化合物可作为抗肿瘤药物,有广阔的应用价值。CN104817490B2015/2/25CN104370936A苏州维泰生物技术有限公司一种新型丙酮酸激酶m2激活剂及其合成方法2014/9/28FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2014102801659发明授权 硫化铜薄膜的电化学制备方法H01G9/20(2006.01)I; H01G9/042(2006.01)I2014.06.20北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360CN104036964A100871北京市海淀区颐和园路5号李稚婷2014.09.102017.12.01北京大学徐东升; 汪非凡; 李琦M. Innocenti等.“Electrochemical Growth of Cu-Zn Sulfides of Various Stoichiometries”.《Journal of The Electrochemical Society》.2013,第161卷(第1期),第D14-D17页.; 王裕希等.“单晶CuS纳米线的电沉积合成及结构表征”.《电子显微学报》.2014,第33卷(第1期),; 刘小雨等.“CuInS2:两步电沉积制备及性能”.《无机化学学报》.2008,第24卷(第12期),; Rodrigo del Rio等.“Anodic Electrosynthesis of a Thin Film of Cu2S on a Gold Electrode. A Voltammetric,Nanoelectrogravimetric, and I/t Transient Study”.《J. Phys. Chem. B》.2002,第106卷第12684-12692页.; Zhuoyin Peng等.“Incorporation of the TiO2 nanowire arrays photoanode and Cu2S nanorod arrays counter electrode on the photovoltaic performance of quantum dot sensitized solar cells”.《Electrochimica Acta》.2014,第135卷; 陈海念等.“硫化镉纳米薄膜的制备及其光电性能”.《合成化学》.2012,第20卷(第5期),CN104036964B本发明公开了硫化铜薄膜的电化学制备方法,将含有铜离子的无机盐以及含有钠的无机盐溶解于二甲亚砜或二甲基甲酰胺中,然后加入硫粉,升温搅拌使硫粉溶解,得到电解液;在该电解液中使用两电极体系,70‑90℃条件下进行电沉积,在导电基底表面得到具有特定结构的硫化铜薄膜。该方法步骤简单,成本低廉,易于放大,电沉积过程可以保证得到的薄膜具有较高的导电性。该硫化铜薄膜可直接作为对电极用于染料/量子点敏化太阳能电池器件,具有高的电催化活性和稳定性,同时该薄膜与基底间的附着力较强,不易脱落。CN104036964B2013/4/17CN102237200B中国科学院物理研究所用于敏化太阳能电池的金属硫化物对电极及其制备方法2011/3/4TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2007/9/26JP3981024B2矢崎総業株式会社コネクタへの自動端子挿入装置2003/1/29TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2011/6/15CN102091851A广东中宝炊具制品有限公司一种三轴联动数控焊接机2011/1/7TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2015/8/5CN103157192B山东师范大学一种医用三维模拟运动平台及其模拟运动方法2013/3/1TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2013/11/13CN203282558U嘉兴学院木工榫槽加工机器人2013/4/9TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2016/3/2CN103876263B浙江大学一种打印流质材料的三维打印机2014/3/21TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2016/1/13CN103932367B西安交通大学一种可控喷粉式食品3d打印设备及打印方法2014/4/9TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2015/5/20CN204348231U广东科学技术职业学院一种三维多功能实训平台2014/12/16TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2017/1/18CN104802415B北京化工大学橡胶粉末微波烧结3d打印成型装置2015/5/11TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2017/6/6CN105033839B北京航空航天大学一种带有研磨压力调整装置的铌酸锂晶片研磨装置及研磨方法2015/5/26TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2000/9/5JP2000238137AMitsubishi Heavy Ind Ltd光造形装置及び光造形方法1999/2/17FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2007/1/30US7168944B2Husky Injection Molding Systems Ltd.Energy efficient extruder drive2002/12/10FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2011/12/7CN202061777U北京市电加工研究所三维精密工作台2011/5/5FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2016102433603发明授权 三维控制装置G05B19/042(2006.01)I; G05D1/10(2006.01)I2016.04.18北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487CN105867233A100871北京市海淀区北京大学工学院力学楼235室刘葛; 郭鸿雁2016.08.172018.12.28北京大学谢广明;  付如彬; 刘安全; 李亮; 王晨; 范瑞峰CN 104931091 A,2015.09.23,;  CN 202061777 U,2011.12.07,;  JP 2000238137 A,2000.09.05,;  US 7168944 B2,2007.01.30, 刘坚,夏罗生.3坐标联动直线插补原理.《数控原理与数控机床》.2009,CN105867233B本发明三维控制装置涉及一种用于控制物体在三维空间内移动的装置。其目的是为了提供一种结构简单、操作方便的三维控制装置。本发明包括:机架、X向丝杠、Y向丝杠、Z向丝杠、X向滑块、Y向滑块、Z向滑块、单片机和驱动器;X向丝杠轴向固定于机架上;X向滑块与所述X向丝杠配合形成X向丝杠副;所述Y向丝杠轴向固定于所述X向滑块上;所述Y向滑块与所述Y向丝杠配合形成Y向丝杠副;所述Z向丝杠轴向固定于所述Y向滑块上;所述Z向滑块与所述Z向丝杠配合形成Z向丝杠副;所述X向丝杠、Y向丝杠和Z向丝杠分别由对应步进电机驱动;所述单片机的输出端与所述驱动器的输入端相连;所述驱动器的输出端与所述步进电机的控制输入端相连。CN105867233B2015/9/23CN104931091A金陵科技学院一种仿生机器鱼用测量平台及其使用方式2015/6/24FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015109335946发明授权 一种数字资源热点生成方法及装置G06F16/35(2019.01)I; G06F17/27(2006.01)I2015.12.15北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250CN105528432A100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层马永芬2016.04.272019.04.26北大方正集团有限公司;  北京方正阿帕比技术有限公司; 北京大学许茜;  叶茂; 任彩红; 徐剑波; 汤帜CN 102662965 A,2012.09.12,;  CN 104615593 A,2015.05.13,;  US 2012215781 A1,2012.08.23, 徐雅斌等.基于MapReduce架构的网络热点话题发现.《华中科技大学学报(自然科学版)》.2012,第40卷全文.; C Hu等.Hot Topic Detection Based on Opinion Analysis for Web Forums in Distributed Environment.《Springer》.2009,全文.CN105528432B本发明提供一种数字资源热点生成方法,首先,从数字资源中提取标题和正文;然后分别获取标题相似度矩阵和正文相似度矩阵;通过分别聚类获得标题候选热点集和正文候选热点集;最后,根据所述标题候选热点集和所述正文候选热点集获取候选热点集。该方案中,使用正文信息和标题信息来进行热点推荐,正文信息和标题信息采用不同的方式处理,相互作为补充和依据,使得获得的热点更加准确,避免了现有技术中对主题词表和新词发现的需求,减弱热点发现对热点个数和经验参数的依赖,实现了面向数字报刊的热点新闻自动发现。CN105528432B2015/6/17CN102231130B国际商业机器公司计算机系统性能分析方法和装置2010/1/11TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015109335946发明授权 一种数字资源热点生成方法及装置G06F16/35(2019.01)I; G06F17/27(2006.01)I2015.12.15北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250CN105528432A100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层马永芬2016.04.272019.04.26北大方正集团有限公司;  北京方正阿帕比技术有限公司; 北京大学许茜;  叶茂; 任彩红; 徐剑波; 汤帜CN 102662965 A,2012.09.12,;  CN 104615593 A,2015.05.13,;  US 2012215781 A1,2012.08.23, 徐雅斌等.基于MapReduce架构的网络热点话题发现.《华中科技大学学报(自然科学版)》.2012,第40卷全文.; C Hu等.Hot Topic Detection Based on Opinion Analysis for Web Forums in Distributed Environment.《Springer》.2009,全文.CN105528432B本发明提供一种数字资源热点生成方法,首先,从数字资源中提取标题和正文;然后分别获取标题相似度矩阵和正文相似度矩阵;通过分别聚类获得标题候选热点集和正文候选热点集;最后,根据所述标题候选热点集和所述正文候选热点集获取候选热点集。该方案中,使用正文信息和标题信息来进行热点推荐,正文信息和标题信息采用不同的方式处理,相互作为补充和依据,使得获得的热点更加准确,避免了现有技术中对主题词表和新词发现的需求,减弱热点发现对热点个数和经验参数的依赖,实现了面向数字报刊的热点新闻自动发现。CN105528432B2012/9/12CN102662965A上海引跑信息科技有限公司一种自动发现互联网热点新闻主题的方法及系统2012/3/7FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2015109335946发明授权 一种数字资源热点生成方法及装置G06F16/35(2019.01)I; G06F17/27(2006.01)I2015.12.15北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250CN105528432A100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层马永芬2016.04.272019.04.26北大方正集团有限公司;  北京方正阿帕比技术有限公司; 北京大学许茜;  叶茂; 任彩红; 徐剑波; 汤帜CN 102662965 A,2012.09.12,;  CN 104615593 A,2015.05.13,;  US 2012215781 A1,2012.08.23, 徐雅斌等.基于MapReduce架构的网络热点话题发现.《华中科技大学学报(自然科学版)》.2012,第40卷全文.; C Hu等.Hot Topic Detection Based on Opinion Analysis for Web Forums in Distributed Environment.《Springer》.2009,全文.CN105528432B本发明提供一种数字资源热点生成方法,首先,从数字资源中提取标题和正文;然后分别获取标题相似度矩阵和正文相似度矩阵;通过分别聚类获得标题候选热点集和正文候选热点集;最后,根据所述标题候选热点集和所述正文候选热点集获取候选热点集。该方案中,使用正文信息和标题信息来进行热点推荐,正文信息和标题信息采用不同的方式处理,相互作为补充和依据,使得获得的热点更加准确,避免了现有技术中对主题词表和新词发现的需求,减弱热点发现对热点个数和经验参数的依赖,实现了面向数字报刊的热点新闻自动发现。CN105528432B2015/5/13CN104615593A北大方正集团有限公司微博热点话题自动检测方法及装置2013/11/1FALSE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2017103582474发明授权 一种便携式人体跌倒风险的评价和预警系统及其方法G08B21/04(2006.01)I; A61B5/11(2006.01)I; A61B5/00(2006.01)I2017.05.19北京万象新悦知识产权代理有限公司11360CN107221128A100871北京市海淀区颐和园路5号王岩2017.09.292019.07.19北京大学庞博;  黄一宁; 张珏; 方竞郭长虹.“步态时间序列的神经网络模拟和混沌检测”.《电子技术与软件工程》.2013,全文.CN107221128B本发明公开了一种便携式人体跌倒风险的评价和预警系统及其方法。本发明首先通过利用加速度传感器测量和采集加速度信号,按照伊藤方程模型估计出漂移项参数和扩散项参数;将估计得到的伊藤方程模型,利用首次穿越方法,得到状态转移概率密度分布;最后,将状态转移概率密度分布的特征作为个体的当前跌倒风险指标,输出匹配的跌倒风险等级。本发明首次将可用于处理非线性随机信号的方法运用到了人体身上,这种方法分析得到的数据更能体现出人体运动的本质规律,预测得到的跌倒风险指数更准确;由于这套系统简约方便,便于为大众日常锻炼提供客观量化的依据;本发明的方法具有良好的鲁棒性以及运算速度,能够快速全面准确的评价出跌倒的风险指标。CN107221128B2017/12/26CN103955699B北京邮电大学一种基于监控视频的实时摔倒事件检测方法2014/3/31TRUE
北京大学4111010001教育部北京市北京市本科公办2017103582474发明授权 一种便携式人体跌倒风险的评价和预警系统及其方法G08B21/04(2006.01)I; A61B5/11(2006.01)I; A61B5/00(2006.01)I2017.05.19北京万象新悦知识产权代理有限公司11360CN107221128A100871北京市海淀区颐和园路5号王岩2017.09.292019.07.19北京大学庞博;  黄一宁; 张珏; 方竞郭长虹.“步态时间序列的神经网络模拟和混沌检测”.《电子技术与软件工程》.2013,全文.CN107221128B本发明公开了一种便携式人体跌倒风险的评价和预警系统及其方法。本发明首先通过利用加速度传感器测量和采集加速度信号,按照伊藤方程模型估计出漂移项参数和扩散项参数;将估计得到的伊藤方程模型,利用首次穿越方法,得到状态转移概率密度分布;最后,将状态转移概率密度分布的特征作为个体的当前跌倒风险指标,输出匹配的跌倒风险等级。本发明首次将可用于处理非线性随机信号的方法运用到了人体身上,这种方法分析得到的数据更能体现出人体运动的本质规律,预测得到的跌倒风险指数更准确;由于这套系统简约方便,便于为大众日常锻炼提供客观量化的依据;本发明的方法具有良好的鲁棒性以及运算速度,能够快速全面准确的评价出跌倒的风险指标。CN107221128B2015/4/1GB201502696D0Medpage Ltd T A Easylink UkHuman sensing toilet occupancy detection alarm2015/2/18TRUE
中国人民大学4111010002教育部北京市北京市本科公办2015102024202发明授权 一种自修复传感芯片及其制备方法G01D5/12(2006.01)I; G01K7/00(2006.01)I2015.04.24北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN104833376A100872北京市海淀区中关村大街59号关畅; 王春霞2015.08.122017.05.10中国人民大学王亚培; 贺泳霖CN104833376B本发明公开了一种自修复传感芯片及其制备方法。它包括内部设有微流道的芯片本体,微流道的两端分别通过开设在芯片本体上的开口与外界相通,形成电极接口;电极接口连接有与之相匹配的电极;微流道内填充有离子液体或纳米粒子掺杂的离子液体。本发明自修复传感芯片应用于传感器领域中。本发明自修复传感器具有受到外界破坏后能够修复恢复到破坏前传感性能的特性;能够通过填充离子液体制备温度传感器,通过填充酸化碳纳米管实现近红外光传感,通过填充掺杂二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米粒子实现交变电磁场传感,具有很好的可拓展性;制备过程所用技术成熟,自修复高分子成本低,且为热塑型材料,可直接压印加工成型,方法简便,适宜大面积生产。CN104833376B2001/10/10JP2001281313AHitachi Metals Ltd磁界センサー、それを用いた磁気式エンコーダー、及び磁気ヘッド2000/1/27TRUE
中国人民大学4111010002教育部北京市北京市本科公办2015102024202发明授权 一种自修复传感芯片及其制备方法G01D5/12(2006.01)I; G01K7/00(2006.01)I2015.04.24北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN104833376A100872北京市海淀区中关村大街59号关畅; 王春霞2015.08.122017.05.10中国人民大学王亚培; 贺泳霖CN104833376B本发明公开了一种自修复传感芯片及其制备方法。它包括内部设有微流道的芯片本体,微流道的两端分别通过开设在芯片本体上的开口与外界相通,形成电极接口;电极接口连接有与之相匹配的电极;微流道内填充有离子液体或纳米粒子掺杂的离子液体。本发明自修复传感芯片应用于传感器领域中。本发明自修复传感器具有受到外界破坏后能够修复恢复到破坏前传感性能的特性;能够通过填充离子液体制备温度传感器,通过填充酸化碳纳米管实现近红外光传感,通过填充掺杂二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米粒子实现交变电磁场传感,具有很好的可拓展性;制备过程所用技术成熟,自修复高分子成本低,且为热塑型材料,可直接压印加工成型,方法简便,适宜大面积生产。CN104833376B2003/3/19GB0303627D0Sensopad Technologies LtdSensing method and apparatus2003/2/17TRUE
中国人民大学4111010002教育部北京市北京市本科公办2015102024202发明授权 一种自修复传感芯片及其制备方法G01D5/12(2006.01)I; G01K7/00(2006.01)I2015.04.24北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN104833376A100872北京市海淀区中关村大街59号关畅; 王春霞2015.08.122017.05.10中国人民大学王亚培; 贺泳霖CN104833376B本发明公开了一种自修复传感芯片及其制备方法。它包括内部设有微流道的芯片本体,微流道的两端分别通过开设在芯片本体上的开口与外界相通,形成电极接口;电极接口连接有与之相匹配的电极;微流道内填充有离子液体或纳米粒子掺杂的离子液体。本发明自修复传感芯片应用于传感器领域中。本发明自修复传感器具有受到外界破坏后能够修复恢复到破坏前传感性能的特性;能够通过填充离子液体制备温度传感器,通过填充酸化碳纳米管实现近红外光传感,通过填充掺杂二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米粒子实现交变电磁场传感,具有很好的可拓展性;制备过程所用技术成熟,自修复高分子成本低,且为热塑型材料,可直接压印加工成型,方法简便,适宜大面积生产。CN104833376B2016/8/10CN103310851B苏州国芯科技有限公司一种用于dtmb解调芯片的自修复sram控制器设计2013/6/13TRUE
中国人民大学4111010002教育部北京市北京市本科公办2015102024202发明授权 一种自修复传感芯片及其制备方法G01D5/12(2006.01)I; G01K7/00(2006.01)I2015.04.24北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN104833376A100872北京市海淀区中关村大街59号关畅; 王春霞2015.08.122017.05.10中国人民大学王亚培; 贺泳霖CN104833376B本发明公开了一种自修复传感芯片及其制备方法。它包括内部设有微流道的芯片本体,微流道的两端分别通过开设在芯片本体上的开口与外界相通,形成电极接口;电极接口连接有与之相匹配的电极;微流道内填充有离子液体或纳米粒子掺杂的离子液体。本发明自修复传感芯片应用于传感器领域中。本发明自修复传感器具有受到外界破坏后能够修复恢复到破坏前传感性能的特性;能够通过填充离子液体制备温度传感器,通过填充酸化碳纳米管实现近红外光传感,通过填充掺杂二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米粒子实现交变电磁场传感,具有很好的可拓展性;制备过程所用技术成熟,自修复高分子成本低,且为热塑型材料,可直接压印加工成型,方法简便,适宜大面积生产。CN104833376B2017/2/15CN104034432B中国人民大学一种近红外传感芯片及其制备方法与应用2014/6/18TRUE
中国人民大学4111010002教育部北京市北京市本科公办2015102024202发明授权 一种自修复传感芯片及其制备方法G01D5/12(2006.01)I; G01K7/00(2006.01)I2015.04.24北京纪凯知识产权代理有限公司11245CN104833376A100872北京市海淀区中关村大街59号关畅; 王春霞2015.08.122017.05.10中国人民大学王亚培; 贺泳霖CN104833376B本发明公开了一种自修复传感芯片及其制备方法。它包括内部设有微流道的芯片本体,微流道的两端分别通过开设在芯片本体上的开口与外界相通,形成电极接口;电极接口连接有与之相匹配的电极;微流道内填充有离子液体或纳米粒子掺杂的离子液体。本发明自修复传感芯片应用于传感器领域中。本发明自修复传感器具有受到外界破坏后能够修复恢复到破坏前传感性能的特性;能够通过填充离子液体制备温度传感器,通过填充酸化碳纳米管实现近红外光传感,通过填充掺杂二氧化硅包裹的四氧化三铁纳米粒子实现交变电磁场传感,具有很好的可拓展性;制备过程所用技术成熟,自修复高分子成本低,且为热塑型材料,可直接压印加工成型,方法简便,适宜大面积生产。CN104833376B2016/8/24CN104215354B中国人民大学一种柔性可拉伸温度传感芯片及其制备方法2014/8/29TRUE
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2014107735032发明授权 电池浆料制备设备B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I2014.12.16深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311CN104437212A215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路哈达2015.03.252016.09.07江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男CN104437212B一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。CN104437212B2011/1/26CN201720015U庞可邦行星多速高效节能混合机2010/6/18TRUE
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2014107735032发明授权 电池浆料制备设备B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I2014.12.16深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311CN104437212A215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路哈达2015.03.252016.09.07江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男CN104437212B一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。CN104437212B2012/12/5CN102000524B安徽索维机电设备制造有限公司行星搅拌机2010/10/16TRUE
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2014107735032发明授权 电池浆料制备设备B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I2014.12.16深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311CN104437212A215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路哈达2015.03.252016.09.07江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男CN104437212B一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。CN104437212B2011/5/18CN201832585U安徽索维机电设备制造有限公司行星搅拌机2010/10/16TRUE
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2014107735032发明授权 电池浆料制备设备B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I2014.12.16深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311CN104437212A215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路哈达2015.03.252016.09.07江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男CN104437212B一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。CN104437212B2011/9/21CN201978693U邵阳市达力电源实业有限公司液压升降式真空搅拌机2010/12/31TRUE
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2014107735032发明授权 电池浆料制备设备B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I2014.12.16深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311CN104437212A215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路哈达2015.03.252016.09.07江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男CN104437212B一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。CN104437212B2011/12/14CN202070307U雷立猛双行星双动力混合分散机2011/4/13TRUE
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2014107735032发明授权 电池浆料制备设备B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I2014.12.16深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311CN104437212A215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路哈达2015.03.252016.09.07江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男CN104437212B一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。CN104437212B2012/7/4CN202289945U无锡轻大食品装备有限公司用于粘稠物料高效混合的剪切分散系统2011/7/25TRUE
清华大学4111010003教育部北京市北京市本科公办2014107735032发明授权 电池浆料制备设备B01F13/10(2006.01)I; B01F13/06(2006.01)I; B01F3/12(2006.01)I; H01M4/04(2006.01)I2014.12.16深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311CN104437212A215699江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路哈达2015.03.252016.09.07江苏华东锂电技术研究院有限公司; 清华大学何向明;  张宏生; 李建军; 王莉; 尚玉明; 钱冠男CN104437212B一种电池浆料制备设备,用于将配置好比例的固体粉料与溶剂混合形成电池浆料,所述溶剂包括第一部分溶剂和第二部分溶剂,其特征在于,包括:真空系统,用于提供真空环境;干粉混合装置,用于将所述固体粉料混合均匀;混捏装置,用于将所述混合均匀的固体粉料与所述第一部分溶剂进行混捏,并形成一具有可塑性的面团状混合物;以及高速分散装置,用于将所述面团状混合物与第二部分溶剂进行高速分散,形成所述电池浆料;所述干粉混合装置、混捏装置及高速分散装置依次连接。CN104437212B2012/9/5CN202423486U万向电动汽车有限公司一种锂离子浆料混合系统2011/12/30TRUE

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