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北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 021207267 [发明授权] 一种涂布型负性热敏计算机直接版及其制备方法 B41C1/055 2002.05.30 北京君尚知识产权代理事务所 100081北京市海淀区燕园三区5号 余长江 2004.04.07 北京豹驰方正新材料有限责任公司; 北京大学 曹维孝;  程康英; 赵鸿; 朱顺平; 杨朝辉; 王仁祥 CN1144675C 本发明公开了一种涂布型负性热敏CTP版及其制法。该CTP版包括片基和感热层,片基为通常用于阳图PS版的片基,感热层是:由重量为100的成膜树脂、红外光吸收剂、热产酸剂、交联剂、有机酸在重量为300~600的有机溶剂中溶解形成涂布液,涂布在片基上形成的厚1~2μm的薄膜。成膜物质是羟甲基酚醛树脂或多羟甲基酚醛树脂和对甲酚醛树脂的组合物,重量为70~85;红外光吸收剂是两端带萘基的箐染料,重量为5~15;热产酸剂是二苯基碘翁盐,重量为0.1~1.5;交联剂是六甲氧甲基三聚氰胺,重量为10~20;有机酸选自草酸、苹果酸、柠檬酸、酒石酸,重量为0.5~1.5。该CTP版感热层的灵敏度和交联程度、感热层与片基的结合牢固度得到提高。 CN1144675C 2007/1/31 CN1297853C 北京师范大学 热敏ctp版材用成像组合物、用于该组合物的产酸源及其制备 2003/9/30 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 021207267 [发明授权] 一种涂布型负性热敏计算机直接版及其制备方法 B41C1/055 2002.05.30 北京君尚知识产权代理事务所 100081北京市海淀区燕园三区5号 余长江 2004.04.07 北京豹驰方正新材料有限责任公司; 北京大学 曹维孝;  程康英; 赵鸿; 朱顺平; 杨朝辉; 王仁祥 CN1144675C 本发明公开了一种涂布型负性热敏CTP版及其制法。该CTP版包括片基和感热层,片基为通常用于阳图PS版的片基,感热层是:由重量为100的成膜树脂、红外光吸收剂、热产酸剂、交联剂、有机酸在重量为300~600的有机溶剂中溶解形成涂布液,涂布在片基上形成的厚1~2μm的薄膜。成膜物质是羟甲基酚醛树脂或多羟甲基酚醛树脂和对甲酚醛树脂的组合物,重量为70~85;红外光吸收剂是两端带萘基的箐染料,重量为5~15;热产酸剂是二苯基碘翁盐,重量为0.1~1.5;交联剂是六甲氧甲基三聚氰胺,重量为10~20;有机酸选自草酸、苹果酸、柠檬酸、酒石酸,重量为0.5~1.5。该CTP版感热层的灵敏度和交联程度、感热层与片基的结合牢固度得到提高。 CN1144675C 2012/7/4 CN101439610B 乐凯集团第二胶片厂 阴图型感红外光组合物和阴图型印刷版 2007/11/22 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 001357182 [发明授权] 传感器型微透析生物活体取样装置 G01N1/02; A61M1/14 2000.12.18 中科专利商标代理有限责任公司 100080北京市海淀区中关村北一街2号 胡交宇 2004.03.17 中国科学院化学研究所; 北京大学 澳彼德;  韩慧婉; 李晓峰; 李元宗; 刘国诠 CN1142421C 本发明是一种传感器型微透析生物活体取样装置,包括微透析膜、支撑管、进液管和出液管,微透析膜位于支撑管的下部顶端,进液管和出液管位于支撑管之内,其特征在于,在支撑管的下部外表面有一层由金,铂或钯金属制成的一层导电传感膜,该导电传感膜与支撑管的上部电连通,支撑管的外表面有一绝缘层。它兼有实时检测生物组织细胞外液中气体及生化物质浓度功能的复合式微透析取样装置,特别适于开展脑的活体、动态生化研究。 CN1142421C 2009/11/5 WO2009132476A1 西门子公司 采样装置,培养液成分检测系统及其检测方法 2008/4/30 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 001357182 [发明授权] 传感器型微透析生物活体取样装置 G01N1/02; A61M1/14 2000.12.18 中科专利商标代理有限责任公司 100080北京市海淀区中关村北一街2号 胡交宇 2004.03.17 中国科学院化学研究所; 北京大学 澳彼德;  韩慧婉; 李晓峰; 李元宗; 刘国诠 CN1142421C 本发明是一种传感器型微透析生物活体取样装置,包括微透析膜、支撑管、进液管和出液管,微透析膜位于支撑管的下部顶端,进液管和出液管位于支撑管之内,其特征在于,在支撑管的下部外表面有一层由金,铂或钯金属制成的一层导电传感膜,该导电传感膜与支撑管的上部电连通,支撑管的外表面有一绝缘层。它兼有实时检测生物组织细胞外液中气体及生化物质浓度功能的复合式微透析取样装置,特别适于开展脑的活体、动态生化研究。 CN1142421C 2013/12/10 US8602990B2 Md Biomedical Ab Method and device for microdialysis sampling 2008/12/9 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 001357182 [发明授权] 传感器型微透析生物活体取样装置 G01N1/02; A61M1/14 2000.12.18 中科专利商标代理有限责任公司 100080北京市海淀区中关村北一街2号 胡交宇 2004.03.17 中国科学院化学研究所; 北京大学 澳彼德;  韩慧婉; 李晓峰; 李元宗; 刘国诠 CN1142421C 本发明是一种传感器型微透析生物活体取样装置,包括微透析膜、支撑管、进液管和出液管,微透析膜位于支撑管的下部顶端,进液管和出液管位于支撑管之内,其特征在于,在支撑管的下部外表面有一层由金,铂或钯金属制成的一层导电传感膜,该导电传感膜与支撑管的上部电连通,支撑管的外表面有一绝缘层。它兼有实时检测生物组织细胞外液中气体及生化物质浓度功能的复合式微透析取样装置,特别适于开展脑的活体、动态生化研究。 CN1142421C 2013/12/25 CN102525569B 浙江省肿瘤医院 阵列式微透析探针 2011/12/28 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 001357182 [发明授权] 传感器型微透析生物活体取样装置 G01N1/02; A61M1/14 2000.12.18 中科专利商标代理有限责任公司 100080北京市海淀区中关村北一街2号 胡交宇 2004.03.17 中国科学院化学研究所; 北京大学 澳彼德;  韩慧婉; 李晓峰; 李元宗; 刘国诠 CN1142421C 本发明是一种传感器型微透析生物活体取样装置,包括微透析膜、支撑管、进液管和出液管,微透析膜位于支撑管的下部顶端,进液管和出液管位于支撑管之内,其特征在于,在支撑管的下部外表面有一层由金,铂或钯金属制成的一层导电传感膜,该导电传感膜与支撑管的上部电连通,支撑管的外表面有一绝缘层。它兼有实时检测生物组织细胞外液中气体及生化物质浓度功能的复合式微透析取样装置,特别适于开展脑的活体、动态生化研究。 CN1142421C 2012/12/5 CN102809502A 天津大学 一种提高非极性药物回收率的微透析装置 2012/8/21 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 001357182 [发明授权] 传感器型微透析生物活体取样装置 G01N1/02; A61M1/14 2000.12.18 中科专利商标代理有限责任公司 100080北京市海淀区中关村北一街2号 胡交宇 2004.03.17 中国科学院化学研究所; 北京大学 澳彼德;  韩慧婉; 李晓峰; 李元宗; 刘国诠 CN1142421C 本发明是一种传感器型微透析生物活体取样装置,包括微透析膜、支撑管、进液管和出液管,微透析膜位于支撑管的下部顶端,进液管和出液管位于支撑管之内,其特征在于,在支撑管的下部外表面有一层由金,铂或钯金属制成的一层导电传感膜,该导电传感膜与支撑管的上部电连通,支撑管的外表面有一绝缘层。它兼有实时检测生物组织细胞外液中气体及生化物质浓度功能的复合式微透析取样装置,特别适于开展脑的活体、动态生化研究。 CN1142421C 2013/9/18 CN103308349A 覃思 微透析传感器 2013/6/9 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100028953 [发明授权] 大气挥发性有机物在线分析仪 G01N30/88(2006.01); G01N30/08(2006.01); G01N30/60(2006.01) 2005.01.28 北京纪凯知识产权代理有限公司 100871北京市海淀区北京大学环境学院 徐宁; 关畅 2007.12.05 北京大学 曾立民; 李虹杰; 邵敏 广州市冬季城区街道行人VOCs,PM10和CO暴露水平 赵利容等.环境科学研究,第16卷第5期 2003; CN2479504Y 2002.02.27; US5962774A 1999.10.05; US5435169A 1995.07.25; JP9-203728 1997.08.05 CN100353164C 本发明涉及一种大气挥发性有机物在线分析仪,其特征在于它包括:一操作台;一具有两侧壁和一翻盖的支撑座,两侧壁上至少设置有采样进、出口和两载气进口;一电加热器设置在翻盖上;一直通换向堵头和三个半封闭换向堵头分别设置在所述采样进、出口和两载气进口内,一分别连接所述采样出口和两载气进口的采样泵和高纯氢气发生器;一电机通过传动装置带动一转动毂,至少两根吸附管分别连接在转动毂上设置的固定座上;一加热器设置在一支架上;一富集管穿设在加热器内;一气相色谱柱一端与富集管连接,另一端缠绕在一保温柱箱内;一FID检测器的输入端连接气相色谱柱的出口。本发明可对大气挥发性有机物中C4-C12非甲烷碳氢等化合物进行在线自动连续监测。 CN100353164C 2009/11/18 CN100561217C 上海神开石油化工装备股份有限公司;上海神开石油科技有限公司 一种仅需空气和氢气的油气组份分析方法 2006/6/29 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100028953 [发明授权] 大气挥发性有机物在线分析仪 G01N30/88(2006.01); G01N30/08(2006.01); G01N30/60(2006.01) 2005.01.28 北京纪凯知识产权代理有限公司 100871北京市海淀区北京大学环境学院 徐宁; 关畅 2007.12.05 北京大学 曾立民; 李虹杰; 邵敏 广州市冬季城区街道行人VOCs,PM10和CO暴露水平 赵利容等.环境科学研究,第16卷第5期 2003; CN2479504Y 2002.02.27; US5962774A 1999.10.05; US5435169A 1995.07.25; JP9-203728 1997.08.05 CN100353164C 本发明涉及一种大气挥发性有机物在线分析仪,其特征在于它包括:一操作台;一具有两侧壁和一翻盖的支撑座,两侧壁上至少设置有采样进、出口和两载气进口;一电加热器设置在翻盖上;一直通换向堵头和三个半封闭换向堵头分别设置在所述采样进、出口和两载气进口内,一分别连接所述采样出口和两载气进口的采样泵和高纯氢气发生器;一电机通过传动装置带动一转动毂,至少两根吸附管分别连接在转动毂上设置的固定座上;一加热器设置在一支架上;一富集管穿设在加热器内;一气相色谱柱一端与富集管连接,另一端缠绕在一保温柱箱内;一FID检测器的输入端连接气相色谱柱的出口。本发明可对大气挥发性有机物中C4-C12非甲烷碳氢等化合物进行在线自动连续监测。 CN100353164C 2013/2/13 CN101025423B 东莞市升微机电设备科技有限公司 用于检测挥发性有机物的环境模拟系统 2007/3/23 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100028953 [发明授权] 大气挥发性有机物在线分析仪 G01N30/88(2006.01); G01N30/08(2006.01); G01N30/60(2006.01) 2005.01.28 北京纪凯知识产权代理有限公司 100871北京市海淀区北京大学环境学院 徐宁; 关畅 2007.12.05 北京大学 曾立民; 李虹杰; 邵敏 广州市冬季城区街道行人VOCs,PM10和CO暴露水平 赵利容等.环境科学研究,第16卷第5期 2003; CN2479504Y 2002.02.27; US5962774A 1999.10.05; US5435169A 1995.07.25; JP9-203728 1997.08.05 CN100353164C 本发明涉及一种大气挥发性有机物在线分析仪,其特征在于它包括:一操作台;一具有两侧壁和一翻盖的支撑座,两侧壁上至少设置有采样进、出口和两载气进口;一电加热器设置在翻盖上;一直通换向堵头和三个半封闭换向堵头分别设置在所述采样进、出口和两载气进口内,一分别连接所述采样出口和两载气进口的采样泵和高纯氢气发生器;一电机通过传动装置带动一转动毂,至少两根吸附管分别连接在转动毂上设置的固定座上;一加热器设置在一支架上;一富集管穿设在加热器内;一气相色谱柱一端与富集管连接,另一端缠绕在一保温柱箱内;一FID检测器的输入端连接气相色谱柱的出口。本发明可对大气挥发性有机物中C4-C12非甲烷碳氢等化合物进行在线自动连续监测。 CN100353164C 2013/7/3 CN101509893B 中国科学院安徽光学精密机械研究所 水中挥发性有机物的测量方法及测量装置 2007/12/7 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100028953 [发明授权] 大气挥发性有机物在线分析仪 G01N30/88(2006.01); G01N30/08(2006.01); G01N30/60(2006.01) 2005.01.28 北京纪凯知识产权代理有限公司 100871北京市海淀区北京大学环境学院 徐宁; 关畅 2007.12.05 北京大学 曾立民; 李虹杰; 邵敏 广州市冬季城区街道行人VOCs,PM10和CO暴露水平 赵利容等.环境科学研究,第16卷第5期 2003; CN2479504Y 2002.02.27; US5962774A 1999.10.05; US5435169A 1995.07.25; JP9-203728 1997.08.05 CN100353164C 本发明涉及一种大气挥发性有机物在线分析仪,其特征在于它包括:一操作台;一具有两侧壁和一翻盖的支撑座,两侧壁上至少设置有采样进、出口和两载气进口;一电加热器设置在翻盖上;一直通换向堵头和三个半封闭换向堵头分别设置在所述采样进、出口和两载气进口内,一分别连接所述采样出口和两载气进口的采样泵和高纯氢气发生器;一电机通过传动装置带动一转动毂,至少两根吸附管分别连接在转动毂上设置的固定座上;一加热器设置在一支架上;一富集管穿设在加热器内;一气相色谱柱一端与富集管连接,另一端缠绕在一保温柱箱内;一FID检测器的输入端连接气相色谱柱的出口。本发明可对大气挥发性有机物中C4-C12非甲烷碳氢等化合物进行在线自动连续监测。 CN100353164C 2012/8/8 CN101672833B 北京市劳动保护科学研究所 气态样品富集、脱附装置 2009/8/20 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100028953 [发明授权] 大气挥发性有机物在线分析仪 G01N30/88(2006.01); G01N30/08(2006.01); G01N30/60(2006.01) 2005.01.28 北京纪凯知识产权代理有限公司 100871北京市海淀区北京大学环境学院 徐宁; 关畅 2007.12.05 北京大学 曾立民; 李虹杰; 邵敏 广州市冬季城区街道行人VOCs,PM10和CO暴露水平 赵利容等.环境科学研究,第16卷第5期 2003; CN2479504Y 2002.02.27; US5962774A 1999.10.05; US5435169A 1995.07.25; JP9-203728 1997.08.05 CN100353164C 本发明涉及一种大气挥发性有机物在线分析仪,其特征在于它包括:一操作台;一具有两侧壁和一翻盖的支撑座,两侧壁上至少设置有采样进、出口和两载气进口;一电加热器设置在翻盖上;一直通换向堵头和三个半封闭换向堵头分别设置在所述采样进、出口和两载气进口内,一分别连接所述采样出口和两载气进口的采样泵和高纯氢气发生器;一电机通过传动装置带动一转动毂,至少两根吸附管分别连接在转动毂上设置的固定座上;一加热器设置在一支架上;一富集管穿设在加热器内;一气相色谱柱一端与富集管连接,另一端缠绕在一保温柱箱内;一FID检测器的输入端连接气相色谱柱的出口。本发明可对大气挥发性有机物中C4-C12非甲烷碳氢等化合物进行在线自动连续监测。 CN100353164C 2012/12/26 CN101949835B 北京大学 一种在线气溶胶碳质组分采集分析仪 2010/8/6 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100018557 [发明授权] 一种在页面光栅化时刻附加标记的方法 G06F17/22(2006.01) 2005.01.18 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2007.11.14 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 黄渭平; 康俊杰 CN1243584A 2000.02.02; CN1207818A 1999.02.10; US6289364B1 2001.09.11; US5655062A 1997.08.05 CN100349159C 本发明涉及一种在页面光栅化时刻附加标记的方法,即在光栅成像设备上输出页面描述文件时如何在输出介质上附加标记的方法,属于计算机图形图像处理技术领域。页面描述文件通常为PostScript文件即PS文件和Portable Document Format文件即PDF文件。现有技术中,输出页面描述文件时加标记的方法存在兼容性差、速度慢等缺陷。本发明通过采取在光栅图像处理器内部页面光栅化时刻实现对页面描述文件附加各种标记。采用本发明所述的方法,可对任意PS文件和任意PDF文件附加任意标记,对页面描述文件无需进行预扫描,而且执行描述标记的PS文件不受作业内容的影响,具有很好的灵活性和兼容性,对速度基本没有影响。 CN100349159C 2008/10/8 CN100424629C 北京北大方正电子有限公司;北京大学 一种自动生成拼大版后校样线的方法及系统 2006/9/22 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100018557 [发明授权] 一种在页面光栅化时刻附加标记的方法 G06F17/22(2006.01) 2005.01.18 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2007.11.14 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 黄渭平; 康俊杰 CN1243584A 2000.02.02; CN1207818A 1999.02.10; US6289364B1 2001.09.11; US5655062A 1997.08.05 CN100349159C 本发明涉及一种在页面光栅化时刻附加标记的方法,即在光栅成像设备上输出页面描述文件时如何在输出介质上附加标记的方法,属于计算机图形图像处理技术领域。页面描述文件通常为PostScript文件即PS文件和Portable Document Format文件即PDF文件。现有技术中,输出页面描述文件时加标记的方法存在兼容性差、速度慢等缺陷。本发明通过采取在光栅图像处理器内部页面光栅化时刻实现对页面描述文件附加各种标记。采用本发明所述的方法,可对任意PS文件和任意PDF文件附加任意标记,对页面描述文件无需进行预扫描,而且执行描述标记的PS文件不受作业内容的影响,具有很好的灵活性和兼容性,对速度基本没有影响。 CN100349159C 2013/2/27 EP1933257B1 Agfa Graphics N.V. Method to reduce unprinted substrate waste during digital printing 2006/12/12 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100018557 [发明授权] 一种在页面光栅化时刻附加标记的方法 G06F17/22(2006.01) 2005.01.18 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2007.11.14 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 黄渭平; 康俊杰 CN1243584A 2000.02.02; CN1207818A 1999.02.10; US6289364B1 2001.09.11; US5655062A 1997.08.05 CN100349159C 本发明涉及一种在页面光栅化时刻附加标记的方法,即在光栅成像设备上输出页面描述文件时如何在输出介质上附加标记的方法,属于计算机图形图像处理技术领域。页面描述文件通常为PostScript文件即PS文件和Portable Document Format文件即PDF文件。现有技术中,输出页面描述文件时加标记的方法存在兼容性差、速度慢等缺陷。本发明通过采取在光栅图像处理器内部页面光栅化时刻实现对页面描述文件附加各种标记。采用本发明所述的方法,可对任意PS文件和任意PDF文件附加任意标记,对页面描述文件无需进行预扫描,而且执行描述标记的PS文件不受作业内容的影响,具有很好的灵活性和兼容性,对速度基本没有影响。 CN100349159C 2009/7/29 CN100520703C 北大方正集团有限公司;北京北大方正电子有限公司 一种光栅化处理的方法及装置 2007/9/18 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100018557 [发明授权] 一种在页面光栅化时刻附加标记的方法 G06F17/22(2006.01) 2005.01.18 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2007.11.14 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 黄渭平; 康俊杰 CN1243584A 2000.02.02; CN1207818A 1999.02.10; US6289364B1 2001.09.11; US5655062A 1997.08.05 CN100349159C 本发明涉及一种在页面光栅化时刻附加标记的方法,即在光栅成像设备上输出页面描述文件时如何在输出介质上附加标记的方法,属于计算机图形图像处理技术领域。页面描述文件通常为PostScript文件即PS文件和Portable Document Format文件即PDF文件。现有技术中,输出页面描述文件时加标记的方法存在兼容性差、速度慢等缺陷。本发明通过采取在光栅图像处理器内部页面光栅化时刻实现对页面描述文件附加各种标记。采用本发明所述的方法,可对任意PS文件和任意PDF文件附加任意标记,对页面描述文件无需进行预扫描,而且执行描述标记的PS文件不受作业内容的影响,具有很好的灵活性和兼容性,对速度基本没有影响。 CN100349159C 2011/11/16 CN101599057B 北京北大方正电子有限公司 一种自动调整pdf文件边空的方法及系统 2008/6/3 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100018557 [发明授权] 一种在页面光栅化时刻附加标记的方法 G06F17/22(2006.01) 2005.01.18 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2007.11.14 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 黄渭平; 康俊杰 CN1243584A 2000.02.02; CN1207818A 1999.02.10; US6289364B1 2001.09.11; US5655062A 1997.08.05 CN100349159C 本发明涉及一种在页面光栅化时刻附加标记的方法,即在光栅成像设备上输出页面描述文件时如何在输出介质上附加标记的方法,属于计算机图形图像处理技术领域。页面描述文件通常为PostScript文件即PS文件和Portable Document Format文件即PDF文件。现有技术中,输出页面描述文件时加标记的方法存在兼容性差、速度慢等缺陷。本发明通过采取在光栅图像处理器内部页面光栅化时刻实现对页面描述文件附加各种标记。采用本发明所述的方法,可对任意PS文件和任意PDF文件附加任意标记,对页面描述文件无需进行预扫描,而且执行描述标记的PS文件不受作业内容的影响,具有很好的灵活性和兼容性,对速度基本没有影响。 CN100349159C 2012/6/21 JP2012118824A Ricoh Co Ltd 印刷プログラム、情報処理装置および記録媒体 2010/12/1 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100018557 [发明授权] 一种在页面光栅化时刻附加标记的方法 G06F17/22(2006.01) 2005.01.18 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2007.11.14 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 黄渭平; 康俊杰 CN1243584A 2000.02.02; CN1207818A 1999.02.10; US6289364B1 2001.09.11; US5655062A 1997.08.05 CN100349159C 本发明涉及一种在页面光栅化时刻附加标记的方法,即在光栅成像设备上输出页面描述文件时如何在输出介质上附加标记的方法,属于计算机图形图像处理技术领域。页面描述文件通常为PostScript文件即PS文件和Portable Document Format文件即PDF文件。现有技术中,输出页面描述文件时加标记的方法存在兼容性差、速度慢等缺陷。本发明通过采取在光栅图像处理器内部页面光栅化时刻实现对页面描述文件附加各种标记。采用本发明所述的方法,可对任意PS文件和任意PDF文件附加任意标记,对页面描述文件无需进行预扫描,而且执行描述标记的PS文件不受作业内容的影响,具有很好的灵活性和兼容性,对速度基本没有影响。 CN100349159C 2013/2/13 CN102929848A 上海合合信息科技发展有限公司 Pdf文档的生成方法及其生成系统 2012/10/31 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100113231 [发明授权] 换能器和阵及其制备方法 B06B1/06(2006.01); H01L41/26(2006.01) 2005.02.07 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2008.05.28 北京大学 李光;  栾桂冬; 张金铎; 唐劲松; 王丽坤; 张福学; 岳军 EP1152240A2 2001.11.07; JP2002174679A 2002.06.21; FR2757341A1 1998.06.19; CN85100483A 1988.08.13; CN87204016U 1988.01.201-3 型压电复合材料圆柱形水听器. 李邓化,夏颂!,张良莹,姚熹.功能材料与器件学报,第7卷第2期. 2001; 压电复合材料及其在换能器中的应用. 栾桂冬.应用声学,第7卷第4期. 1987; 压电换能器和换能器阵. 栾桂冬,张金铎 ,王仁乾,全文,北京大学出版社. 1990 CN100389890C 本发明提供一种换能器和阵及其制备方法,用于合成孔径声纳、猎雷声纳、侧扫声纳和测深声纳等技术领域。该换能器和阵包括:晶片、背衬、匹配层、外壳和输出导线,晶片为压电复合材料片,在晶片和背衬之间设有导电定位圈,背衬和导电定位圈上设有孔,导电定位圈孔位于背衬孔的上方,晶片固定在导电定位圈上,在晶片的上电极和导电定位圈上分别引出两根电极引线,电极引线与输出导线相接。晶片采用新型1-3-2型压电复合材料,可根据设计需要,设计不同的工作频率和带宽,使本发明的换能器能够精确定位,信号的幅度和相位的一致性好,便于组阵,且在受热和外力冲击下不易变形,性能稳定,且制作工艺较简单。 CN100389890C 2012/7/25 CN102607097A 上海现戈电气有限公司 暖芯地板及用于该暖芯地板的导电发热板 2011/2/18 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100113231 [发明授权] 换能器和阵及其制备方法 B06B1/06(2006.01); H01L41/26(2006.01) 2005.02.07 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2008.05.28 北京大学 李光;  栾桂冬; 张金铎; 唐劲松; 王丽坤; 张福学; 岳军 EP1152240A2 2001.11.07; JP2002174679A 2002.06.21; FR2757341A1 1998.06.19; CN85100483A 1988.08.13; CN87204016U 1988.01.201-3 型压电复合材料圆柱形水听器. 李邓化,夏颂!,张良莹,姚熹.功能材料与器件学报,第7卷第2期. 2001; 压电复合材料及其在换能器中的应用. 栾桂冬.应用声学,第7卷第4期. 1987; 压电换能器和换能器阵. 栾桂冬,张金铎 ,王仁乾,全文,北京大学出版社. 1990 CN100389890C 本发明提供一种换能器和阵及其制备方法,用于合成孔径声纳、猎雷声纳、侧扫声纳和测深声纳等技术领域。该换能器和阵包括:晶片、背衬、匹配层、外壳和输出导线,晶片为压电复合材料片,在晶片和背衬之间设有导电定位圈,背衬和导电定位圈上设有孔,导电定位圈孔位于背衬孔的上方,晶片固定在导电定位圈上,在晶片的上电极和导电定位圈上分别引出两根电极引线,电极引线与输出导线相接。晶片采用新型1-3-2型压电复合材料,可根据设计需要,设计不同的工作频率和带宽,使本发明的换能器能够精确定位,信号的幅度和相位的一致性好,便于组阵,且在受热和外力冲击下不易变形,性能稳定,且制作工艺较简单。 CN100389890C 2014/11/26 CN102662166B 北京信息科技大学 多模宽带圆弧阵换能器 2012/5/23 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100113231 [发明授权] 换能器和阵及其制备方法 B06B1/06(2006.01); H01L41/26(2006.01) 2005.02.07 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2008.05.28 北京大学 李光;  栾桂冬; 张金铎; 唐劲松; 王丽坤; 张福学; 岳军 EP1152240A2 2001.11.07; JP2002174679A 2002.06.21; FR2757341A1 1998.06.19; CN85100483A 1988.08.13; CN87204016U 1988.01.201-3 型压电复合材料圆柱形水听器. 李邓化,夏颂!,张良莹,姚熹.功能材料与器件学报,第7卷第2期. 2001; 压电复合材料及其在换能器中的应用. 栾桂冬.应用声学,第7卷第4期. 1987; 压电换能器和换能器阵. 栾桂冬,张金铎 ,王仁乾,全文,北京大学出版社. 1990 CN100389890C 本发明提供一种换能器和阵及其制备方法,用于合成孔径声纳、猎雷声纳、侧扫声纳和测深声纳等技术领域。该换能器和阵包括:晶片、背衬、匹配层、外壳和输出导线,晶片为压电复合材料片,在晶片和背衬之间设有导电定位圈,背衬和导电定位圈上设有孔,导电定位圈孔位于背衬孔的上方,晶片固定在导电定位圈上,在晶片的上电极和导电定位圈上分别引出两根电极引线,电极引线与输出导线相接。晶片采用新型1-3-2型压电复合材料,可根据设计需要,设计不同的工作频率和带宽,使本发明的换能器能够精确定位,信号的幅度和相位的一致性好,便于组阵,且在受热和外力冲击下不易变形,性能稳定,且制作工艺较简单。 CN100389890C 2014/1/8 CN102708851B 唐山海通电子有限公司 收发型水声换能器 2012/6/25 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2005100113231 [发明授权] 换能器和阵及其制备方法 B06B1/06(2006.01); H01L41/26(2006.01) 2005.02.07 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2008.05.28 北京大学 李光;  栾桂冬; 张金铎; 唐劲松; 王丽坤; 张福学; 岳军 EP1152240A2 2001.11.07; JP2002174679A 2002.06.21; FR2757341A1 1998.06.19; CN85100483A 1988.08.13; CN87204016U 1988.01.201-3 型压电复合材料圆柱形水听器. 李邓化,夏颂!,张良莹,姚熹.功能材料与器件学报,第7卷第2期. 2001; 压电复合材料及其在换能器中的应用. 栾桂冬.应用声学,第7卷第4期. 1987; 压电换能器和换能器阵. 栾桂冬,张金铎 ,王仁乾,全文,北京大学出版社. 1990 CN100389890C 本发明提供一种换能器和阵及其制备方法,用于合成孔径声纳、猎雷声纳、侧扫声纳和测深声纳等技术领域。该换能器和阵包括:晶片、背衬、匹配层、外壳和输出导线,晶片为压电复合材料片,在晶片和背衬之间设有导电定位圈,背衬和导电定位圈上设有孔,导电定位圈孔位于背衬孔的上方,晶片固定在导电定位圈上,在晶片的上电极和导电定位圈上分别引出两根电极引线,电极引线与输出导线相接。晶片采用新型1-3-2型压电复合材料,可根据设计需要,设计不同的工作频率和带宽,使本发明的换能器能够精确定位,信号的幅度和相位的一致性好,便于组阵,且在受热和外力冲击下不易变形,性能稳定,且制作工艺较简单。 CN100389890C 2013/4/17 CN103041977A 刘细宝 水密封装型超声清洗换能器 2012/12/28 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2009/6/24 CN100505166C 东莞市中镓半导体科技有限公司 在异质基底上制备高质量GaN单晶厚膜的方法 2006/12/19 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2009/10/1 WO2009117847A1 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Method for fabricating high-power light-emitting diode arrays 2008/3/25 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2011/12/28 CN101621097B 泰谷光电科技股份有限公司 光电装置及其制造方法 2008/7/4 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2010/11/17 CN101452988B 北京大学 一种薄膜型led制备方法 2008/12/30 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2012/1/25 CN101555627B 苏州纳晶光电有限公司 一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法 2009/4/30 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2010/8/24 US7781242B1 Walsin Lihwa Corporation Method of forming vertical structure light emitting diode with heat exhaustion structure 2009/12/10 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2014/4/30 CN102412357B 上海蓝光科技有限公司 一种薄膜结构发光二极管 2010/9/26 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2011/5/18 CN102064257A 苏州纳晶光电有限公司 一种蓝宝石图形衬底及其制备方法 2010/9/29 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2013/9/18 CN102130260B 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光装置及其制造方法 2010/9/30 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2013/5/1 CN102005416B 厦门市三安光电科技有限公司 基于应力作用的逐单元分离蓝宝石衬底的方法 2010/10/22 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2013/12/11 TWI419366B 2011/1/17 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2013/6/12 CN102255024B 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用 2011/3/17 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2012/10/24 CN102751397A 比亚迪股份有限公司 一种蓝宝石图形衬底激光剥离的方法 2011/4/22 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2011/10/12 CN102214748A 云峰 一种氮化镓基垂直结构led外延结构及制造方法 2011/6/20 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2004101018333 [发明授权] 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法 H01L33/00(2006.01) 2004.12.27 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 俞达成 2008.11.19 北京大学 于彤军;  秦志新; 胡晓东; 陈志忠; 杨志坚; 童玉珍; 康香宁; 陆羽; 张国义 CN1429402A 2003.07.09; CN1505843A 2004.06.16; US20040119078A1 2004.06.24; CN1264199A 2000.08.23; CN1449060A 2003.10.15; CN1413357A 2003.04.23; CN1501518A 2004.06.02; CN1351383A 2002.05.29; CN1449060 2003.10.15; CN1330416A 2002.01.09 CN100435360C 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术,在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面,在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上,而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸,在n型区表面获得较高载流子浓度,从而形成良好的欧姆接触,对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面,还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力,减少剥离过程中的损伤,减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动,以保证剥离衬底而获得高性能的LED。 CN100435360C 2014/5/21 CN103811609A 中国科学院半导体研究所 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 2014/2/19 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 200510136315X [发明授权] 制备抗反射薄膜的生物模板法 G02B1/11(2006.01); B82B1/00(2006.01); B82B3/00(2006.01) 2005.12.31 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 董琍雯 2008.04.09 北京大学 刘忠范;  谢国勇; 章国明; 张锦 CN85100175A 1986.07.30; WO03/086959A2 2003.10.23; US4322125A 1982.03.30; US6175439B1 2001.01.16; US2002/0135847A1 2002.09.26热压印刻蚀技术. 陈芳等.微纳电子技术,第10期. 2004 CN100380139C 本发明提供了一种以自然界存在的生物纳米结构为模板,通过二级复制制备抗反射薄膜的方法。所用的生物模板包括昆虫复眼和翅膀表面所具有的抗反射光子晶体,首先以生物纳米结构为模板真空蒸镀金属,于金属薄膜上得到与生物模板相对应的负型结构;然后以金属负型结构为模板浇铸有机聚合物,经固化后得到表面具有与生物模板一致的纳米结构的有机聚合物薄膜。本发明的抗反射薄膜制备技术工艺简单、成本低、产率高,并可实现大面积的纳米结构制备,所制备的带有表面纳米结构的有机聚合物薄膜具有很强的抗反射效果,成功模仿了生物表面纳米结构的抗反射功能,在光学上具有广泛的应用。 CN100380139C 2010/10/20 CN101866958A 河海大学常州校区 太阳能电池仿生抗反射膜及其制备方法 2010/5/14 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 200510136315X [发明授权] 制备抗反射薄膜的生物模板法 G02B1/11(2006.01); B82B1/00(2006.01); B82B3/00(2006.01) 2005.12.31 北京君尚知识产权代理事务所 100871北京市海淀区颐和园路5号 董琍雯 2008.04.09 北京大学 刘忠范;  谢国勇; 章国明; 张锦 CN85100175A 1986.07.30; WO03/086959A2 2003.10.23; US4322125A 1982.03.30; US6175439B1 2001.01.16; US2002/0135847A1 2002.09.26热压印刻蚀技术. 陈芳等.微纳电子技术,第10期. 2004 CN100380139C 本发明提供了一种以自然界存在的生物纳米结构为模板,通过二级复制制备抗反射薄膜的方法。所用的生物模板包括昆虫复眼和翅膀表面所具有的抗反射光子晶体,首先以生物纳米结构为模板真空蒸镀金属,于金属薄膜上得到与生物模板相对应的负型结构;然后以金属负型结构为模板浇铸有机聚合物,经固化后得到表面具有与生物模板一致的纳米结构的有机聚合物薄膜。本发明的抗反射薄膜制备技术工艺简单、成本低、产率高,并可实现大面积的纳米结构制备,所制备的带有表面纳米结构的有机聚合物薄膜具有很强的抗反射效果,成功模仿了生物表面纳米结构的抗反射功能,在光学上具有广泛的应用。 CN100380139C 2014/2/12 CN103576451A 无锡英普林纳米科技有限公司 一种复制微纳结构的方法 2013/11/8 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2006101124030 [发明授权] 一种基于克隆块实现自动排版的方法 G06F17/24(2006.01); G06F17/30(2006.01) 2006.08.16 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2008.06.04 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 闫国龙 CN1421669A 2003.06.18; JP2004199545A 2004.07.15 CN100392641C 本发明涉及一种基于克隆块实现自动排版的方法,属于印刷前计算机排版领域。现有技术中,自动排版是根据设定的排版对象块的具体类型、位置、大小、数据内容等参数,创建出对应的排版对象块,在版心内依据对象块的大小进行排版,需要设置的版面对象的属性多而复杂,灵活性和一致性差,对排版核心的依赖程度高。本发明所述的方法采用基于XML结构的模板将版面上已存在的块与需要排版的数据进行关联,通过复制对象块的方式得到与所有数据记录相对应的对象块,在指定的排版区域里实现自动排版。采用本发明所述的方法,只需要得到版面对象的唯一标识Id、起始点、宽、高组成的抽象逻辑块,即可进行自动排版,降低了对排版核心的依赖程度,提高了可重复性。 CN100392641C 2011/11/9 CN101295290B 北京北大方正电子有限公司 一种多行文字行中排版的方法 2008/6/11 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2006101124030 [发明授权] 一种基于克隆块实现自动排版的方法 G06F17/24(2006.01); G06F17/30(2006.01) 2006.08.16 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2008.06.04 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 闫国龙 CN1421669A 2003.06.18; JP2004199545A 2004.07.15 CN100392641C 本发明涉及一种基于克隆块实现自动排版的方法,属于印刷前计算机排版领域。现有技术中,自动排版是根据设定的排版对象块的具体类型、位置、大小、数据内容等参数,创建出对应的排版对象块,在版心内依据对象块的大小进行排版,需要设置的版面对象的属性多而复杂,灵活性和一致性差,对排版核心的依赖程度高。本发明所述的方法采用基于XML结构的模板将版面上已存在的块与需要排版的数据进行关联,通过复制对象块的方式得到与所有数据记录相对应的对象块,在指定的排版区域里实现自动排版。采用本发明所述的方法,只需要得到版面对象的唯一标识Id、起始点、宽、高组成的抽象逻辑块,即可进行自动排版,降低了对排版核心的依赖程度,提高了可重复性。 CN100392641C 2012/8/1 CN101989256B 北京大学 一种文书文件的排版方法及装置 2009/7/31 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2006101124030 [发明授权] 一种基于克隆块实现自动排版的方法 G06F17/24(2006.01); G06F17/30(2006.01) 2006.08.16 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2008.06.04 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 闫国龙 CN1421669A 2003.06.18; JP2004199545A 2004.07.15 CN100392641C 本发明涉及一种基于克隆块实现自动排版的方法,属于印刷前计算机排版领域。现有技术中,自动排版是根据设定的排版对象块的具体类型、位置、大小、数据内容等参数,创建出对应的排版对象块,在版心内依据对象块的大小进行排版,需要设置的版面对象的属性多而复杂,灵活性和一致性差,对排版核心的依赖程度高。本发明所述的方法采用基于XML结构的模板将版面上已存在的块与需要排版的数据进行关联,通过复制对象块的方式得到与所有数据记录相对应的对象块,在指定的排版区域里实现自动排版。采用本发明所述的方法,只需要得到版面对象的唯一标识Id、起始点、宽、高组成的抽象逻辑块,即可进行自动排版,降低了对排版核心的依赖程度,提高了可重复性。 CN100392641C 2012/11/28 CN102110086B 北大方正集团有限公司 一种版面对象随版面自动调整的方法及系统 2009/12/28 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2006101124030 [发明授权] 一种基于克隆块实现自动排版的方法 G06F17/24(2006.01); G06F17/30(2006.01) 2006.08.16 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2008.06.04 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 闫国龙 CN1421669A 2003.06.18; JP2004199545A 2004.07.15 CN100392641C 本发明涉及一种基于克隆块实现自动排版的方法,属于印刷前计算机排版领域。现有技术中,自动排版是根据设定的排版对象块的具体类型、位置、大小、数据内容等参数,创建出对应的排版对象块,在版心内依据对象块的大小进行排版,需要设置的版面对象的属性多而复杂,灵活性和一致性差,对排版核心的依赖程度高。本发明所述的方法采用基于XML结构的模板将版面上已存在的块与需要排版的数据进行关联,通过复制对象块的方式得到与所有数据记录相对应的对象块,在指定的排版区域里实现自动排版。采用本发明所述的方法,只需要得到版面对象的唯一标识Id、起始点、宽、高组成的抽象逻辑块,即可进行自动排版,降低了对排版核心的依赖程度,提高了可重复性。 CN100392641C 2013/2/6 CN101894168B 优视科技有限公司 移动终端网页页面的排版显示方法及系统 2010/6/30 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2006101124030 [发明授权] 一种基于克隆块实现自动排版的方法 G06F17/24(2006.01); G06F17/30(2006.01) 2006.08.16 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 100085北京市海淀区上地五街9号方正大厦 田明; 王达佐 2008.06.04 北京北大方正电子有限公司; 北京大学 闫国龙 CN1421669A 2003.06.18; JP2004199545A 2004.07.15 CN100392641C 本发明涉及一种基于克隆块实现自动排版的方法,属于印刷前计算机排版领域。现有技术中,自动排版是根据设定的排版对象块的具体类型、位置、大小、数据内容等参数,创建出对应的排版对象块,在版心内依据对象块的大小进行排版,需要设置的版面对象的属性多而复杂,灵活性和一致性差,对排版核心的依赖程度高。本发明所述的方法采用基于XML结构的模板将版面上已存在的块与需要排版的数据进行关联,通过复制对象块的方式得到与所有数据记录相对应的对象块,在指定的排版区域里实现自动排版。采用本发明所述的方法,只需要得到版面对象的唯一标识Id、起始点、宽、高组成的抽象逻辑块,即可进行自动排版,降低了对排版核心的依赖程度,提高了可重复性。 CN100392641C 2012/9/20 WO2012122934A1 北京小米科技有限责任公司 一种网页重排版的方法 2011/3/14 FALSE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 200610078993X [发明授权] 一种表格图像几何畸变的数字校正方法 G06K9/20(2006.01); G06T5/00(2006.01) 2006.04.29 北京中博世达专利商标代理有限公司 100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦 张岱 2009.02.25 北大方正集团有限公司;  北京北大方正技术研究院有限公司; 北京大学 刘芝; 康凯; 杜鹏飞 CN1379364A 2002.11.13; WO2005041125A1 2005.05.06; EP0692767B1 2003.10.08 CN100464346C 本发明涉及计算机信息领域的图像处理技术,具体涉及一种表格图像几何畸变的数字校正方法。为解决现有技术中只能有效的对畸变文本行进行校正,当文稿中出现畸形表格非文本区域时,无法进行后续识别的问题而发明。本发明所述的方法通过对表格图像进行分析,在二值化图像上搜索并分析有效表格线段,得到属于表格的采样表格线,分析、拟合采样表格线,并将其映射到目标位置,由采样表格线带动表格内部文字而很好地校正。本发明不但能准确地校正畸形表格,而且对于表格内部文字的矫正也达到很好的效果。 CN100464346C 2010/6/30 JP4491488B2 シャープ株式会社 画像処理装置、画像読取装置、画像データ出力処理装置、および画像処理方法 2008/3/3 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 200610078993X [发明授权] 一种表格图像几何畸变的数字校正方法 G06K9/20(2006.01); G06T5/00(2006.01) 2006.04.29 北京中博世达专利商标代理有限公司 100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦 张岱 2009.02.25 北大方正集团有限公司;  北京北大方正技术研究院有限公司; 北京大学 刘芝; 康凯; 杜鹏飞 CN1379364A 2002.11.13; WO2005041125A1 2005.05.06; EP0692767B1 2003.10.08 CN100464346C 本发明涉及计算机信息领域的图像处理技术,具体涉及一种表格图像几何畸变的数字校正方法。为解决现有技术中只能有效的对畸变文本行进行校正,当文稿中出现畸形表格非文本区域时,无法进行后续识别的问题而发明。本发明所述的方法通过对表格图像进行分析,在二值化图像上搜索并分析有效表格线段,得到属于表格的采样表格线,分析、拟合采样表格线,并将其映射到目标位置,由采样表格线带动表格内部文字而很好地校正。本发明不但能准确地校正畸形表格,而且对于表格内部文字的矫正也达到很好的效果。 CN100464346C 2014/8/13 CN101778200B 王晓年 基于非均匀采样的图像校正系统及方法 2010/2/8 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 200610078993X [发明授权] 一种表格图像几何畸变的数字校正方法 G06K9/20(2006.01); G06T5/00(2006.01) 2006.04.29 北京中博世达专利商标代理有限公司 100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦 张岱 2009.02.25 北大方正集团有限公司;  北京北大方正技术研究院有限公司; 北京大学 刘芝; 康凯; 杜鹏飞 CN1379364A 2002.11.13; WO2005041125A1 2005.05.06; EP0692767B1 2003.10.08 CN100464346C 本发明涉及计算机信息领域的图像处理技术,具体涉及一种表格图像几何畸变的数字校正方法。为解决现有技术中只能有效的对畸变文本行进行校正,当文稿中出现畸形表格非文本区域时,无法进行后续识别的问题而发明。本发明所述的方法通过对表格图像进行分析,在二值化图像上搜索并分析有效表格线段,得到属于表格的采样表格线,分析、拟合采样表格线,并将其映射到目标位置,由采样表格线带动表格内部文字而很好地校正。本发明不但能准确地校正畸形表格,而且对于表格内部文字的矫正也达到很好的效果。 CN100464346C 2013/11/27 CN102592124B 汉王科技股份有限公司 文本图像的几何校正方法、装置和双目立体视觉系统 2011/1/13 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 200810225701X [发明授权] 一种带隙基准参考源电路及设计方法 G05F1/56(2006.01)I; G01R1/28(2006.01)I 2008.11.06 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 100871北京市海淀区颐和园路5号 苏培华 2011.02.16 北京大学 杨闵昊; 廖怀林 CN101419478B 本发明提供了一种带隙基准参考源电路及设计方法,所述电路具体可以包括:PMOS电流源管、误差放大器、PMOS控制管、参考电压产生电路和校准电路;其中,参考电压产生电路包括两个PMOS分压管、两个三极管和一个输出电阻;校准电路包括多个沟道宽度彼此相等的PMOS校准管,由数字开关控制其导通或关断状态。本发明工艺成本低、电路结构简单,并且通过数字开关控制接入校准电路中的PMOS校准管的数目,调节分压管和控制管的等效沟道宽度,能获得低温度系数的参考电压,减小输出参考电压绝对值的波动。 CN101419478B 2011/1/12 CN101944899A 瑞昱半导体股份有限公司 具有低温度系数的集成电路及其校正方法 2009/7/2 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 200810225701X [发明授权] 一种带隙基准参考源电路及设计方法 G05F1/56(2006.01)I; G01R1/28(2006.01)I 2008.11.06 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 100871北京市海淀区颐和园路5号 苏培华 2011.02.16 北京大学 杨闵昊; 廖怀林 CN101419478B 本发明提供了一种带隙基准参考源电路及设计方法,所述电路具体可以包括:PMOS电流源管、误差放大器、PMOS控制管、参考电压产生电路和校准电路;其中,参考电压产生电路包括两个PMOS分压管、两个三极管和一个输出电阻;校准电路包括多个沟道宽度彼此相等的PMOS校准管,由数字开关控制其导通或关断状态。本发明工艺成本低、电路结构简单,并且通过数字开关控制接入校准电路中的PMOS校准管的数目,调节分压管和控制管的等效沟道宽度,能获得低温度系数的参考电压,减小输出参考电压绝对值的波动。 CN101419478B 2014/12/10 CN103399609B 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 纳瓦量级低功耗高稳定性带隙基准电压源 2013/8/15 TRUE
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101458080 [发明授权] 基于碳纳米管阵列和低温共烧陶瓷的散热装置及制备方法 H01L23/473(2006.01)I; H01L23/367(2006.01)I; H01L23/373(2006.01)I; H01L21/50(2006.01)I; H01L21/48(2006.01)I; H05K7/20(2006.01)I 2010.04.13 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 100871北京市海淀区颐和园路5号 贾晓玲 2011.06.22 北京大学 白树林; 张杨飞 CN101826494B 本发明提供了一种基于碳纳米管阵列和低温共烧陶瓷的散热装置及制备方法,属于微电子器件的散热技术。该散热装置包括内嵌微流道的低温共烧陶瓷基板,在该低温共烧陶瓷基板表面制备有碳纳米管阵列,与低温共烧陶瓷基板电路相连的发热器件固定在上述碳纳米管阵列上。本发明充分利用低温共烧陶瓷基板易于加工三维结构的优势,在基板内制作出微流道,利用微流体对流换热将发热器件产生的绝大部分热量导走;同时利用碳纳米管阵列与低温共烧陶瓷和发热器件紧密结合,减小传统的焊接等方式在连接界面产生的微空隙,避免微空隙导致的热阻,使发热器件与低温共烧陶瓷基板间的热阻变得非常小,提高了散热装置的散热能力。 CN101826494B 2012/7/11 CN102569622A 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 半导体发光芯片及其制造方法 2010/12/14 TRUE

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