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China University Invention Patent Application Basic Information Table
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School Former Name
School School identification code
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School name Former name of school School identification code Supervisory department Province City School level School nature Application number Patent name Classification number Priority Agent PCT publication data Application publication date PCT application data Application date Biological deposit Divisional original application Patent agency Application publication number PCT national phase entry date Inventor Address National priority Applicant Brief description Patent ID Patent priority date Patent publication date Patent inventor Patent name Patent authorization publication number Patent authorization date Number of patent claims Patent applicant Patent application publication number Patent application number Patent application date Number of patent citations Number of other patents cited Legal status
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101631008 [发明公布] 一种减小阻变存储器阻值离散性的方法 H01L45/00(2006.01)I; G11C11/56(2006.01)I 王莹 2010.09.29 2010.04.29 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN101847688A 康晋锋;  高滨; 陈冰; 陈沅沙; 刘力锋; 刘晓彦; 韩汝琦 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法,该方法包括:S1、在Forming过程中施加一个电流脉冲,使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态;S2、在SET过程中施加一个电流脉冲,使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低阻态;S3、在RESET过程中施加一个反向电压脉冲,使阻变存储器的阻变材料从低阻态转为高阻态。本发明提出的电流电压控制方法可以显著的减小器件阻值的离散性,并同时可以提高低阻态的阻值,从而减小器件的工作电流,降低功耗。 CN101847688A 2010/4/29 2010/9/29 刘力锋,刘晓彦,康晋锋,陈冰,陈沅沙,韩汝琦,高滨 一种减小阻变存储器阻值离散性的方法 CN101847688B 2012/7/4 7 北京大学 CN 201010163100 CN101847688A 2010/4/29 3 6 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102781055 [发明公布] 电解锌漂洗废水的电沉积-膜分离组合处理装置 C02F9/06(2006.01)I; C02F1/463(2006.01)N; C02F1/44(2006.01)N 曹正凤 2010.12.22 2010.09.10 北京金阙华进专利事务所(普通合伙)11224 CN101921032A 张林楠;  刘晗; 李艳静; 苏赛赛; 汪成运; 王艺林; 李振山 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明公开电解锌漂洗废水的电沉积-膜分离组合处理装置,该装置包括进液管、调节池、电沉积装置、三维固定床装置、保安过滤器、三个循环泵、膜组件、清水出口和浓缩液回流孔,各部件之间的连接详见说明书。本发明的优点是:组合电沉积与膜分离技术,具有投资少、处理量大、能耗低、效益高、易工业化、易实现资源综合利用;实现出水达标排放和循环使用的同时,有效回收废水中重金属资源;自动化程度高,人工操作简便,基本可以实现重金属完全回收和零排放,水资源完全回用,实现废水深度净化的组合装置。 CN101921032A 2010/9/10 2010/12/22 刘晗,张林楠,李振山,李艳静,汪成运,王艺林,苏赛赛 电解锌漂洗废水的电沉积 CN101921032B 2012/11/14 2 北京大学 CN 201010278105 CN101921032A 2010/9/10 21 3 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101318494 [发明公布] 一种内存泄漏探测方法 G06F11/34(2006.01)I; G06F11/36(2006.01)I 冯艺东 2010.08.25 2010.03.23 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101814049A 汪小林;  罗英伟; 刘毅; 李晓明 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种内存泄漏探测方法,属于虚拟化技术领域。本发明的方法为:1)虚拟机管理器截获内存资源的申请函数和释放函数的地址,从而获取分配的动态内存信息;2)根据动态内存的起始地址和长度,计算该动态内存所跨越的所有内存监控单元;3)在影子页表中删除对所述内存监控单元的虚拟地址到机器地址的映射关系;4)虚拟机陷入时,虚拟机管理器监测2)中的内存监控单元是否被访问;5)监控策略模块将设定时间内未被应用程序访问的内存监控单元所在的动态内存项视为存在内存泄漏嫌疑的动态内存项。与现有技术相比,本发明能够发现潜在的内存泄露,且不需要修改被探测程序的源代码,也不需要重新编译,为被测试代码提供了透明性。 CN101814049A 2010/3/23 2010/8/25 刘毅,李晓明,汪小林,罗英伟 一种内存泄漏探测方法 10 北京大学 CN 201010131849 CN101814049A 2010/3/23 11 2 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010177852X [发明公布] 一种无线光通信中的接收系统及其信号接收方法 H04B10/12(2006.01)I; H04B10/06(2006.01)I; G02B6/32(2006.01)I; G02B6/24(2006.01)I 邵可声 2010.10.27 2010.05.14 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101873169A 杨筱舟; 方傲; 胡薇薇 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明涉及一种无线光通信中的接收系统及其信号接收方法,属于光通信领域。本系统包括一组聚焦透镜、一组光纤或波导阵列、一组光信号延迟器、一组光相位调制器、一光耦合器、一光滤波器、一光电探测器、一分析计算控制模块和一解码抽样判决模块。本方法为:1)采用一组聚焦透镜将空间光信号聚焦馈入一光纤阵列中;2)对光纤阵列的每一路分别进行相位延迟、相位调制后耦合输出为一路光信号;3)对光信号进行滤波后转换为电信号分别输出到一解码采样判决模块中和一分析计算控制模块中;4)通信时隙内,解码采样判决模块从接收电信号中恢复出原始信息;参考时隙内,分析计算控制模块对每一路接收光信号进行反馈调节。本发明易于实现、且精度高。 CN101873169A 2010/5/14 2010/10/27 方傲,杨筱舟,胡薇薇 一种无线光通信中的接收系统及其信号接收方法 CN101873169B 2013/1/23 10 北京大学 CN 201010177852 CN101873169A 2010/5/14 10 3 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102100241 [发明公布] 一种集成化多反应室流水作业式外延生长方法及系统 C23C16/54(2006.01)I; H01L33/00(2010.01)I 李稚婷 2010.11.24 2010.06.18 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101892467A 张国义; 左然 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 左然 本发明公开了一种集成化多反应室流水作业式外延生长方法及系统,用于LED或类似化合物半导体多层异质结的制备。该方法和系统采用多个串联的MOCVD反应室,每个反应室工作在相应不同外延层而独立设定的温度和压力下,输入相应的反应气体和/或掺杂气体,利用传送机构使待生长的晶片按生长顺序依次进入不同的反应室生长相应的外延层,从而使生长过程的温度、压力控制和气体输入控制大为简化,避免了不同外延层间的交叉污染,使生长质量和产量大大提高,成本大大降低。 CN101892467A 2010/6/18 2010/11/24 左然,张国义 一种集成化多反应室流水作业式外延生长方法及系统 CN101892467B 2012/1/18 8 北京大学;左然 CN 201010210024 CN101892467A 2010/6/18 4 3 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102262782 [发明公布] 一种细胞分选磁珠及合成方法以及其在细胞分选中的应用 C12N5/078(2010.01)I 张肖琪 2010.11.24 2010.07.14 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101892196A 张新祥;  崔毅然; 高晓明; 洪超 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明提供一种新型细胞分选磁珠,该磁珠为表面上以共价键偶联proteinA,并通过protein A与IgG的Fc段的特异性相互作用,定向偶联IgG型小鼠CD3抗体的50-70nm金包裹Fe3O4磁性纳米颗粒(Fe3O4@Au纳米颗粒)。本发明涉及该磁珠的合成和修饰方法,以及使用该磁珠进行细胞分选的方法。本发明磁珠用于除去小鼠脾细胞中的CD3 T细胞,使CD3 T细胞在脾细胞中的含量由36.5%降为0.7%,分选效率极高。本磁珠还同时具有蛋白偶联量高和超顺磁性的优点,而且制备方法简单,环境友好,成本较低,具有较好的应用前景。 CN101892196A 2010/7/14 2010/11/24 崔毅然,张新祥,洪超,高晓明 一种细胞分选磁珠及合成方法以及其在细胞分选中的应用 CN101892196B 2012/10/10 9 北京大学 CN 201010226278 CN101892196A 2010/7/14 8 2 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101084468 [发明公布] 一株Diaphorobacter菌株及其应用 C12N1/20(2006.01)I; C02F3/34(2006.01)I; A62D3/02(2007.01)I; C12R1/01(2006.01)N; C02F101/38(2006.01)N; C02F101/34(2006.01)N; C02F103/34(2006.01)N; A62D101/28(2007.01)N; A62D101/26(2007.01)N 关畅; 任凤华 2010.11.24 2010.02.05 CGMCC No.3511 2009.12.15 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN101892174A 吴晓磊;  孙纪全; 汤岳琴; 刘伟强; 赵晶晶; 郭鹏 100080北京市海淀区中关村北二条3号北京大学技物楼 北京大学 本发明公开了一株Diaphorobacter菌株及其应用。本发明提供的菌株为菌株(Diaphorobacter sp.)SG-51 CGMCC No.3511。本发明提供的菌剂,活性成分为菌株(Diaphorobacter sp.)SG-51 CGMCC No.3511。本发明提供的菌株有较广的降解谱,对多种有毒化合物的降解率达到90%以上。本发明的菌剂为新型的芳香族有机污染物降解菌剂,具有生产使用成本低、使用方便、较广的降解谱、去除效果好的优点。本发明提供的菌株和菌剂适用于现代焦化、汽化过程所产生的废水、以及其它石油化工生产过程中产生的含有苯酚、甲酚、对氯苯酚和吡啶的有机废水的处理,可以保证相应有机物残留含量符合废水排放标准。本发明成功解决了废水处理中的苯酚及其衍生物、苯或其它杂环化合物去除效果不高的问题,降低了生产和使用过程中的工作量,降低了生产和使用成本,对于保护生态环境,保护人民的身体健康具有重要的意义。 CN101892174A 2010/2/5 2010/11/24 刘伟强,吴晓磊,孙纪全,汤岳琴,赵晶晶,郭鹏 一株Diaphorobacter菌株及其应用 CN101892174B 2011/11/23 8 北京大学 CN2010101084468A CN101892174A 2010/2/5 4 3 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102157678 [发明公布] 一种数字图像中的水印嵌入和提取方法 G06T1/00(2006.01)I 冯艺东 2010.10.20 2010.06.22 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101866478A 李晓龙;  王超; 亓文法; 杨斌 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种数字图像中的水印嵌入和提取方法,属于信息隐藏和图像隐写技术领域。本发明的水印嵌入方法为:首先对原始数字图像进行降噪,得到降噪后的图像;然后将待嵌入的二进制水印与原始数字图像的像素值进行匹配,最后根据对应的降噪图像的像素值改变原始图像的像素值,实现水印嵌入。本发明的水印提取方法为:根据获取的水印图像的像素值,顺次提取最低有效位,获得水印信息。与现有技术相比,本发明可以使每点像素值改变后水印图像的噪声更小,从而可以更好的抵抗隐写分析。 CN101866478A 2010/6/22 2010/10/20 亓文法,李晓龙,杨斌,王超 一种数字图像中的水印嵌入和提取方法 CN101866478B 2012/3/7 7 北京大学 CN 201010215767 CN101866478A 2010/6/22 4 5 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102191772 [发明公布] 一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管 H01L21/336(2006.01)I; H01L21/762(2006.01)I; H01L29/78(2006.01)I 贾晓玲 2010.10.20 2010.07.07 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101866859A 黄如;  云全新; 安霞; 张兴 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及CMOS超大集成电路,是一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管。本发明在场效应晶体管的源/漏区与衬底之间,插入形变介质层,利用直接与衬底接触的形变介质层,诱使沟道发生应变,用于提升沟道载流子迁移率和器件性能。具体效果为,利用具有张应变的形变介质层可以诱使沟道发生张应变,可用于提升沟道电子迁移率;利用具有压应变的形变介质层可以诱使沟道发生压应变,可用于提升沟道空穴迁移率。本发明既可以保证沟道应力引入的有效性,同时又从根本上改善了场效应晶体管的器件结构,提升了器件短沟效应抑制能力。 CN101866859A 2010/7/7 2010/10/20 云全新,安霞,张兴,黄如 一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管 CN101866859B 2012/7/4 10 北京大学 CN 201010219177 CN101866859A 2010/7/7 11 6 CN - IP Right Grant, WO - Application Filing Active, US - Application Filing Active
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102757253 [发明公布] 一种估算集成电路辐照效应的方法 G06F17/50(2006.01)I 张肖琪 2010.12.22 2010.09.08 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101923596A 薛守斌;  王思浩; 谭斐; 安霞; 黄如; 张兴 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法,属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤:A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管;B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式:Qtrap∝δT2STID,其中Qtrap是STI中俘获的电荷,TSTI寄生晶体管有效的栅氧厚度,D是辐照剂量,δ为拟合系数,得到寄生晶体管的漏电流,从而估算出整个集成电路的辐照效应。本发明可通过电路仿真,预测辐照损伤对集成电路的影响,同时也可以预测电路的敏感节点,进而为电路的抗辐照加固技术给予指导,并且可以降低实验成本。 CN101923596A 2010/9/8 2010/12/22 安霞,张兴,王思浩,薛守斌,谭斐,黄如 一种估算集成电路辐照效应的方法 3 北京大学 CN 201010275725 CN101923596A 2010/9/8 4 1 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102321136 [发明公布] 预测残差块的重排序、逆重排序方法及系统 H04N7/26(2006.01)I; H04N7/32(2006.01)I 毛燕生 2010.11.24 2010.07.15 北京市商泰律师事务所11255 CN101895757A 高文;  赵欣; 张莉; 马思伟 100871北京市海淀区中关村颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种预测残差块的重排序、逆重排序方法及系统。该方法包括:根据统计得到的预测残差块的幅度分布,设置预测残差块的排序方法,并且所有可能的预测残差块的排序方法为两种或两种以上;根据残差块的排序方法,在对残差块进行变换之前,对残差块内的残差值进行重排序。本发明通过在空域对残差块内的残差采样值进行重排序,使得不同模式的残差统计特性近似相同,从而可以仅使用少量的变换函数实现与模式相关变换近似的性能,同时降低了编解码器的存储复杂度。 CN101895757A 2010/7/15 2010/11/24 张莉,赵欣,马思伟,高文 预测残差块的重排序、逆重排序方法及系统 6 北京大学 CN 201010232113 CN101895757A 2010/7/15 1 4 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101719790 [发明公布] 一种软件漏洞挖掘方法 G06F11/36(2006.01)I 冯艺东 2010.09.29 2010.05.07 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101847121A 王铁磊;  韦韬; 邹维; 张超; 戴帅夫; 丁羽; 李义春 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种软件漏洞挖掘方法,属于软件工程和信息安全领域。本方法为:1)将多个正常数据输入目标程序,收集该目标程序的运行时信息;2)生成畸形数据,并将其输入该目标程序,收集该目标程序的运行时信息;3)根据1)、2)收集的运行时信息,识别该目标程序中校验和的检测代码;4)修改校验和的检测代码,使得目标程序处理畸形数据时的执行行为与处理正常数据时一致;5)生成若干畸形数据并输入修改后的目标程序,将使其崩溃的畸形数据作为样本数据;6)修改每个样本数据中校验和的域值并将其输入原目标程序,如果原目标程序崩溃或发生异常则报告一个潜在的安全漏洞。与现有技术相比,本发明可以大大提高漏洞挖掘的效率。 CN101847121A 2010/5/7 2010/9/29 丁羽,张超,戴帅夫,李义春,王铁磊,邹维,韦韬 一种软件漏洞挖掘方法 CN101847121B 2012/1/18 10 北京大学 CN 201010171979 CN101847121A 2010/5/7 4 4 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102233934 [发明公布] 基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法 H01L45/00(2006.01)I 贾晓玲 2010.11.24 2010.07.12 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101894910A 张丽杰; 黄如; 潘越 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiOxNy)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法,属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极,阻变材料层,底电极和衬底,其中,阻变材料层为硅的氮氧化物(SiOxNy),所述SiOxNy的x、y满足条件:2x+3y<4,x≥0,y≥0,所述底电极为Cu、W、Pt等金属或者其它导电材料,所述顶电极为Ti、TiN、Al、AlCu等与硅的氮氧化物发生化学反应的金属或导电材料。本发明通过控制硅氮氧化物的成分,使其硅含量相对较多,引入更多的缺陷,空位,比如氮空位、氧空位等,从而得到稳定的双极器件。 CN101894910A 2010/7/12 2010/11/24 张丽杰,潘越,黄如 基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法 CN101894910B 2012/2/22 10 北京大学 CN 201010223393 CN101894910A 2010/7/12 3 2 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010249573X [发明公布] 时分双工通信方法中上下行时隙的动态调整方法 H04B7/185(2006.01)I; H04W72/04(2009.01)I; H04W72/12(2009.01)I 邵可声 2010.12.22 2010.08.10 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101924587A 徐晓燕;  吴建军; 任术波; 栾西; 程宇新 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种时分双工通信方法中上下行时隙的动态调整方法,属于卫星通信技术领域。上行时隙调整为下行时隙的方法包括:第i帧,卫星向终端发送调整消息,告知将由上行调整为下行;第i+1帧,终端收到调整消息,将待调整时隙由上行调整为空白;第i+2帧,卫星将待调整时隙由上行调整为下行;第i+3帧,终端将待调整时隙由空白调整为下行下行。下行时隙调整为上行时隙的方法包括:第i帧,卫星将待调整时隙由下行调整为空白,并向终端发送调整消息;第i+1帧,终端收到所述调整消息,将待调整时隙由下行调整为上行;第i+2帧,卫星将待调整时隙由空白调整为上行。本发明可用于卫星移动通信。 CN101924587A 2010/8/10 2010/12/22 任术波,吴建军,徐晓燕,栾西,程宇新 时分双工通信方法中上下行时隙的动态调整方法 6 北京大学 CN201010249573XA CN101924587A 2010/8/10 2 4 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010140590X [发明公布] 星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法 C07C69/63(2006.01)I; C07C67/14(2006.01)I; C08F120/56(2006.01)I; C08F4/00(2006.01)I; C09K11/06(2006.01)I; C07K1/26(2006.01)I; C12N15/10(2006.01)I 关畅 2010.09.29 2010.04.02 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN101844983A 马玉国;  牛志强; 高凡; 裴坚; 梁德海; 张新祥 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学化学学院 北京大学 本发明公开了星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法。该荧光聚合物的结构通式如式VII所示。制备该荧光聚合物所用引发剂如式I所示。利用本发明提供的荧光聚合物进行DNA或蛋白质分离,分离速度快,分离效果好,毛细管不需修饰,一次灌胶可重复使用且有较好的重复性;而且,本发明能够将可比较的不同拓扑结构引入到分离介质中,可以系统的对比线形聚合物对生物大分子分离结果的影响;此外,由于该荧光聚合物具有荧光核,因而可将该荧光核引入到分离介质中,实现同时观察到分离介质和生物大分子的目的,从而获得生物大分子在分离过程中更直观的图像,为分离机理的揭示提供更加有力的方法。 CN101844983A 2010/4/2 2010/9/29 马玉国,牛志强,高凡,裴坚,梁德海,张新祥 星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法 CN101844983B 2014/7/16 16 北京大学 CN201010140590A CN101844983A 2010/4/2 0 4 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101996187 [发明公布] 可变光衰减器件及其制备方法 G02B26/08(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I 王莹 2010.11.10 2010.06.08 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN101881881A 吴文刚;  陈庆华; 杜博超; 张海霞; 郝一龙 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及一种可变光衰减器件及其制备方法,该器件包括:硅基座以及与所述硅基座键合的玻璃基座,所述硅基座设置有垂直光反射面、以及以所述光反射面为一侧面的加热空腔,所述加热空腔与所述玻璃基座的部分上表面围成密封腔体,在所述密封腔体内的玻璃基座的上表面上设置有加热部件。本发明的可变光衰减器件可满足振动环境中对器件的可靠性要求、成本低、且性能高。 CN101881881A 2010/6/8 2010/11/10 吴文刚,张海霞,杜博超,郝一龙,陈庆华 可变光衰减器件及其制备方法 CN101881881B 2012/7/18 7 北京大学 CN 201010199618 CN101881881A 2010/6/8 0 4 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101619171 [发明公布] 一种去除多环芳烃和/或降解多环芳烃的菌株及其应用 C12N1/20(2006.01)I; A62D3/02(2007.01)I; C12R1/01(2006.01)N; A62D101/20(2007.01)N 关畅; 任凤华 2010.12.01 2010.04.27 CGMCC No.3581 2010.01.18 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN101899406A 卢晓霞;  吴淑可; 马杰; 李秀利; 陈超琪; 吴蔚; 廖晓勇 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学生命科学学院植物系 北京大学 本发明公开了一种去除多环芳烃和/或降解多环芳烃菌株及其应用。本发明提供了微杆菌(Microbacterium sp.)LU1,其保藏号为CGMCC No.3581,本发明提供了一种菌剂,其活性成分为微杆菌(Microbacterium sp.)LU1 CGMCC No.3581。本发明提供的菌株去除多环芳烃的实验结果显示,微杆菌对低环的多环芳烃如萘(NAP)、苊烯(ANY)、苊(ANE)、芴(FLE)、菲(PHE)及蒽(ANT)和高环的多环芳烃苯并[k]荧蒽的去除明显;微杆菌还可以矿化低分子量多环芳烃,如菲,微杆菌对菲的矿化速率约为0.3/天。 CN101899406A 2010/4/27 2010/12/1 卢晓霞,吴淑可,吴蔚,廖晓勇,李秀利,陈超琪,马杰 一种去除多环芳烃和/或降解多环芳烃的菌株及其应用 CN101899406B 2012/2/22 10 北京大学 CN 201010161917 CN101899406A 2010/4/27 3 2 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101558248 [发明公布] 一种负色散脉冲展宽光纤放大装置 G02F1/39(2006.01)I 王莹; 张庆敏 2010.09.22 2010.04.21 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN101840125A 李鹏;  王希; 周春; 蔡岳; 张志刚; 樊仲维; 麻云凤; 牛岗 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学; 北京国科世纪激光技术有限公司 本发明公开了一种负色散脉冲展宽光纤放大装置,其包括:锁模激光器,产生种子光脉冲;负色散单元,置于锁模激光器种子光脉冲出射方,对种子光脉冲进行展宽,使其带有负啁啾;一级放大单元,接收负色散单元输出的带有负啁啾的种子光脉冲,并进行一级放大,对种子光脉冲中的负啁啾进一步进行正色散补偿,缩短种子光脉冲;二级放大单元,接收一级放大单元输出的种子光脉冲,并进行二级放大,对种子光脉冲中的负啁啾进一步进行正色散补偿,缩短种子光脉冲;输出单元,与二级放大单元相连,对放大后的种子光脉冲进行输出。本发明通过负色散展宽,使光纤放大器输出端的脉冲最短,简化了系统,降低了损耗,提高了放大器后的脉冲能量,有效降低了成本。 CN101840125A 2010/4/21 2010/9/22 周春,张志刚,李鹏,樊仲维,牛岗,王希,蔡岳,麻云凤 一种负色散脉冲展宽光纤放大装置 CN101840125B 2012/2/1 10 北京大学;北京国科世纪激光技术有限公司 CN 201010155824 CN101840125A 2010/4/21 13 5 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101996312 [发明公布] 抗震装置及其制备方法 B81B3/00(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I 王莹 2010.11.10 2010.06.08 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN101880022A 陈庆华;  吴文刚; 杜博超; 张海霞; 郝一龙 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明涉及一种抗震装置及其制备方法,该装置包括:基体,上表面设置有抗震平台、以及若干一端与抗震平台固定连接且保持与基体上表面不接触地延伸的抗震悬臂梁;器件载体,上表面用于承载待保护器件,下表面设置有凹槽,器件载体与抗震悬臂梁相连,且凹槽与抗震平台不接触。本发明的抗震装置及其制备方法适用于微电子电路芯片及MEMS可动器件在振动环境下的保护等应用,具有极强的应用性;使用物理方式实现抗振功能,无需高精度控制电路,从而降低了系统成本;本发明的制备方法可以采用常规MEMS工艺设备,实现大批量制造,且工艺过程简单,与多种类型的MEMS器件工艺兼容,可用于实现功能更广泛、更强大的微电子系统。 CN101880022A 2010/6/8 2010/11/10 吴文刚,张海霞,杜博超,郝一龙,陈庆华 抗震装置及其制备方法 CN101880022B 2012/12/5 5 北京大学 CN 201010199631 CN101880022A 2010/6/8 0 4 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102251504 [发明公布] 含有氟磷灰石和二氧化钛的聚醚醚酮复合材料及制备方法 A61L27/46(2006.01)I 苏爱华 2010.11.10 2010.07.13 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101879332A 魏世成; 魏杰 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种氟磷灰石和二氧化钛增强聚醚醚酮复合材料及其制备方法,属于生物复合材料技术领域。本发明复合材料是一种用氟磷灰石和二氧化钛增强聚醚醚酮复合材料形成的骨修复材料,是以熔融方式共混氟磷灰石,二氧化钛和聚醚醚酮,其中氟磷灰石占复合材料总重量的10~30%,二氧化钛占复合材料总重量的10~30%,其余为聚醚醚酮成分。本发明采用氟磷灰石和二氧化钛与聚醚醚酮形成复合材料,实现了强度和韧性好、弹性模量与人骨一致且具有生物活性的骨替代材料,可克服现有金属和陶瓷骨替代材料存在的力学性能与人骨不匹配的缺点。 CN101879332A 2010/7/13 2010/11/10 魏世成,魏杰 含有氟磷灰石和二氧化钛的聚醚醚酮复合材料及制备方法 10 北京大学 CN2010102251504A CN101879332A 2010/7/13 9 5 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102449214 [发明公布] 基于散点透视图像计算三维空间布局的方法与系统 G06T17/00(2006.01)I; G06T7/00(2006.01)I 毛燕生 2010.12.29 2010.08.04 北京市商泰律师事务所11255 CN101930626A 王亦洲;  马伟; 徐迎庆; 马歆; 李琼; 胡锤; 高文 100871北京市海淀区中关村颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种基于散点透视图像计算三维空间布局的方法与系统。该方法包括:抽取数字图像的构图线索;通过插值,扩散所述构图线索,建立图像空间上的连续线索;依据连续线索,建立所述数字图像和所述数字图像所描述的三维空间支撑面之间的几何映射关系;给定所述数字图像上的任意一点,依据该点所在目标物对应的图像上的支撑点位置和所述几何映射关系,计算得到该点在三维空间中的点。本发明从画家的绘画原理出发,给出散点透视几何解,建立了散点透视图画和其所描绘的三维空间之间的关系;能够在画所描述的三维空间中有效定位画中目标物,定位效果与感知效果一致。 CN101930626A 2010/8/4 2010/12/29 徐迎庆,李琼,王亦洲,胡锤,马伟,马歆,高文 基于散点透视图像计算三维空间布局的方法与系统 CN101930626B 2012/7/4 14 北京大学 CN 201010244921 CN101930626A 2010/8/4 1 3 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102386395 [发明公布] 一种采用无窗气体靶的小型中子源 G21G4/02(2006.01)I 苏爱华 2010.12.15 2010.07.28 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101916607A 朱昆;  黄胜; 陆元荣; 邹宇斌; 郭之虞; 彭士香 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种采用无窗气体靶的小型中子源,属于核技术及应用领域。本发明采用ECR离子源产生氘离子,直接通过高压引出电极引出,轰击用等离子体密封的无窗气体靶,由于无窗氘气体靶是采用等离子体密封的,因此它允许承受很高的流强的束流,同时由于氘离子穿过等离子体窗时的能损很小,因此中子产额较高。与中子管相比,本发明提出的中子源允许的束流强度高,中子产额高。与加速器中子源相比,加速器中子源体积大,系统复杂,造价高,本发明提出的中子源体积小,系统简单,造价低。与离子源直接进行氘氚反应产生中子的中子源相比,该离子源系统简单,造价低,没有氚的放射性处理以及循环问题。本发明具有非常广阔的应用前景。 CN101916607A 2010/7/28 2010/12/15 彭士香,朱昆,邹宇斌,郭之虞,陆元荣,黄胜 一种采用无窗气体靶的小型中子源 CN101916607B 2012/6/13 4 北京大学 CN 201010238639 CN101916607A 2010/7/28 16 7 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101176722 [发明公布] 一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件 B81C1/00(2006.01)I; B82B3/00(2006.01)I; B81B7/00(2006.01)I; G01N21/65(2006.01)I 关畅 2010.08.04 2010.03.03 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN101792112A 毛海央;  吴文刚; 张煜龙; 黄如; 郝一龙; 王阳元 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件。该微流控检测器件是按照包括下述步骤的方法制备得到的:在衬底上旋涂光刻胶,并对光刻胶依次进行前烘、曝光、显影和定影后形成微流道形状的光刻胶图形;对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀,在衬底上形成了垂直分布于的纳米颗粒结构或纳米纤维直立结构;以所述纳米颗粒结构为掩模,对衬底进行各向异性刻蚀,在衬底上形成了纳米柱;在衬底上的硅纳米柱或纳米纤维直立结构上溅射金属纳米颗粒层,得到表面增强拉曼散射活性基底;结合微流体器件及其加工技术形成了无杂质干扰、可实时监测的硅-PDMS双层结构SERS微流控检测器件,该微流控检测器件不仅能用于液体待分析物的检测还可用于胶体和气体待分析物的检测。 CN101792112A 2010/3/3 2010/8/4 吴文刚,张煜龙,毛海央,王阳元,郝一龙,黄如 一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件 CN101792112B 2012/5/30 10 北京大学 CN 201010117672 CN101792112A 2010/3/3 32 4 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102326411 [发明公布] 硅的腐蚀深度实时监控方法 C23F1/02(2006.01)I; C23F1/08(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I 俞达成 2010.12.22 2010.07.16 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101922008A 严远;  张大成; 王玮; 杨芳; 李婷; 王颖; 罗葵; 田大宇 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 北京大学 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法,属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀,所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽,位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面,和位于腐蚀凹槽侧面的监控面,所述腐蚀面和监控面的晶向相同,所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液,腐蚀液浸没所述腐蚀面,所述监控面,以及所述监控面和所述表面相交的监控线,在腐蚀过程中或腐蚀过程后,通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。 CN101922008A 2010/7/16 2010/12/22 严远,张大成,李婷,杨芳,王玮,王颖,田大宇,罗葵 硅的腐蚀深度实时监控方法 CN101922008B 2011/11/9 7 北京大学 CN 201010232641 CN101922008A 2010/7/16 3 1 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010102179520 [发明公布] 三叶因子3在制备预防和/或治疗抑郁症药物中的用途 A61K38/17(2006.01)I; A61P25/24(2006.01)I 关畅; 任凤华 2010.12.01 2010.06.24 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 CN101897952A 陆林;  史海水; 朱维莉; 王慎军; 丁增波 100083北京市海淀区学院路38号 北京大学 本发明公开了一种三叶因子3的新用途。本发明提供了三叶因子3在制备预防和/或治疗抑郁症产品中的应用。所述产品为药物。本发明主要发现了TFF3具有抗抑郁作用,因此,可用于预防和治疗由各种因素引起的抑郁症。 CN101897952A 2010/6/24 2010/12/1 丁增波,史海水,朱维莉,王慎军,陆林 三叶因子3在制备预防和/或治疗抑郁症药物中的用途 CN101897952B 2012/8/8 2 北京大学 CN 201010217952 CN101897952A 2010/6/24 1 0 CN - IP Right Grant
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010101181896 [发明公布] 吸气式液体燃料脉冲爆震发动机 F02K9/62(2006.01)I 麻吉凤; 毛燕生 2010.07.14 2010.03.04 北京市商泰律师事务所11255 CN101776027A 郑殿峰 100871北京市海淀区中关村颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种吸气式液体燃料脉冲爆震发动机,在该发动机中,喷嘴(1)位于固定座(2)中心位置;进气道(3)与凸型雾化室(5)进口端密封相连;钝体(4)安装在进气道(3)和凸型雾化室(5)内部;凸型雾化室(5)下游与爆震管(7)密封连接;点火环(8)位于爆震管(7)进口,下游为火花塞(14);蒸发器(9)安装在爆震管(7)内部,上游是点火环(8),下游设置扰流器(10);尾喷管(11)固定在爆震管(7)出口;喷嘴(1)与电磁阀(12)、控制器(13)、火花塞(14)连接。本发明与旋流式脉冲爆震发动机相比,能改善燃油雾化蒸发掺混性能,提高爆震燃烧强度,减小漏气损失和进气阻力,增加有效推力。 CN101776027A 2010/3/4 2010/7/14 郑殿峰 吸气式液体燃料脉冲爆震发动机 CN101776027B 2011/8/10 10 北京大学 CN 201010118189 CN101776027A 2010/3/4 8 6 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010138829X [发明公布] 补偿电路及辐射探测系统 G01T1/17(2006.01)I; G01T1/15(2006.01)I 胡小永 2010.08.11 2010.03.19 北京路浩知识产权代理有限公司11002 CN101799553A 李静;  张雅聪; 陈中建; 鲁文高; 周春芝; 邵建辉; 杨团伟; 朱红英 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种补偿电路及辐射探测系统,该补偿电路设置在辐射探测系统的第一级放大器输出端和第二级放大器输入端之间,该补偿电路包括:两个电阻和一个电容,第一电阻与电容并联,其连接点与第二电阻串联。本发明提供的补偿电路应用在辐射探测系统中,在不影响读出电路第一级环路增益稳定性的前提下,能够增大第二级环路的相位裕度,增加系统的稳定性,提高读出速率;且结构简单,成本低廉,易于实现。 CN101799553A 2010/3/19 2010/8/11 周春芝,张雅聪,朱红英,李静,杨团伟,邵建辉,陈中建,鲁文高 补偿电路及辐射探测系统 2 北京大学 CN 201010138829 CN101799553A 2010/3/19 3 3 CN - Application Discontinuation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 201010242144X [发明公布] 一种流式电穿孔装置及系统 C12M1/42(2006.01)I 董琍雯 2010.12.29 2010.07.30 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 CN101928666A 李志宏;  梁子才; 魏泽文; 黄璜 100871北京市海淀区颐和园路5号 北京大学 本发明公开了一种流式电穿孔装置及系统,该系统包括:流式电穿孔装置,其中包括:基板,以及制作在基板上的电极,所述的电极,是平行并成对放置的,每对电极包括相对设置的阳极和阴极;置于电极之上的限制流体流动的通道;所述通道起始端具有多个入口分支通道,并汇聚成一条主通道,结束端具有多个出口分支通道,所述通道上方设置具有多个流体入口及出口的顶盖;注射泵,由管道连接到所述流式电穿孔装置中顶盖的入口及出口控制流体的流速;电压源,由电连接件连接电极设定并产生脉冲电压。流式电穿孔系统利用流体通道以及相连接的注射泵来实现各种悬浮液在流体通道中的连续流动,从而使细胞被电穿孔的过程能够持续进行,实现快速处理大量样品。 CN101928666A 2010/7/30 2010/12/29 李志宏,梁子才,魏泽文,黄璜 一种流式电穿孔装置及系统 CN101928666B 2013/4/3 17 北京大学 CN201010242144XA CN101928666A 2010/7/30 5 2 CN - IP Right Cessation
北京大学 4111010001 教育部 北京市 北京市 本科 公办 2010103005653 [发明公布] 一种碳纳米角的制备方法 C01B31/02(2006.01)I 贾晓玲 2010.06.30 2010.01.22 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 CN101759179A </